通過(guò)圖示來(lái)一步步看芯片生產(chǎn)過(guò)程

1、上面是氧化層, 下面是襯底(硅)——濕洗

2、一般來(lái)說(shuō), 先對(duì)整個(gè)襯底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物質(zhì)(最外層少一個(gè)電子)，作為襯底——離子注入

3、先加入Photo-resist, 保護(hù)住不想被蝕刻的地方——光刻

4、上掩膜！(就是那個(gè)標(biāo)注Cr的地方。中間空的表示沒(méi)有遮蓋，黑的表示遮住了)

5、紫外線照上去，下面被照得那一塊就被反應(yīng)了——光刻

6、撤去掩膜——光刻

7、把暴露出來(lái)的氧化層洗掉, 露出硅層(就可以注入離子了)——光刻

8、把保護(hù)層撤去. 這樣就得到了一個(gè)準(zhǔn)備注入的硅片. 這一步會(huì)反復(fù)在硅片上進(jìn)行(幾十次甚至上百次)——光刻

9、然后光刻完畢后, 往里面狠狠地插入一塊少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物質(zhì)就做成了一個(gè)N-well (N-井)——離子注入

10、用干蝕刻把需要P-well的地方也蝕刻出來(lái)，也可以再次使用光刻刻出來(lái)——干蝕刻

11、上圖將P-型半導(dǎo)體上部再次氧化出一層薄薄的二氧化硅—— 熱處理

12、用分子束外延處理長(zhǎng)出的一層多晶硅，該層可導(dǎo)電——分子束外延

13、進(jìn)一步的蝕刻，做出精細(xì)的結(jié)構(gòu)。(在退火以及部分CVD)—— 重復(fù)3-8光刻 + 濕蝕刻

14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物質(zhì)，此時(shí)注意MOSFET已經(jīng)基本成型——離子注入

15、用氣相積淀 形成的氮化物層 —— 化學(xué)氣相積淀

16、將氮化物蝕刻出溝道——光刻 + 濕蝕刻

17、物理氣相積淀長(zhǎng)出 金屬層——物理氣相積淀

18、將多余金屬層蝕刻。光刻 + 濕蝕刻重復(fù) 17-18 次長(zhǎng)出每個(gè)金屬層。

最終成型大概長(zhǎng)這樣:

其中，步驟1-15 屬于 前端處理 (FEOL)，也即如何做出場(chǎng)效應(yīng)管。步驟16-18 (加上許許多多的重復(fù)) 屬于后端處理 (BEOL)，后端處理主要是用來(lái)布線。最開(kāi)始那個(gè)大芯片里面能看到的基本都是布線！一般一個(gè)高度集中的芯片上幾乎看不見(jiàn)底層的硅片，都會(huì)被布線遮擋住。