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新推出的晶圓級(jí)封裝的紅外探測(cè)器以及專用圖像處理芯片的實(shí)際應(yīng)用

MEMS ? 來源:《激光與紅外》 ? 2020-08-31 11:38 ? 次閱讀
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摘要:紅外成像系統(tǒng)已經(jīng)應(yīng)用到軍事和民用領(lǐng)域多年,但一直沒得到廣泛應(yīng)用,主要原因是其分辨率低、成本高、工藝不穩(wěn)定和技術(shù)門檻高等。解決這些問題需要從傳感器工藝、探測(cè)器封裝、紅外圖像處理芯片等方面加以改進(jìn)。紅外技術(shù)未來會(huì)朝低成本、專用處理芯片、高分辨率等方向發(fā)展。目前,國(guó)內(nèi)廠商陸續(xù)推出了晶圓級(jí)封裝(Wafer-Level Package,WLP)、高分辨率探測(cè)器和專用圖像處理芯片等方面的新產(chǎn)品。但采用這些新器件的紅外成像系統(tǒng)卻沒有得到相應(yīng)的研究。本文主要基于煙臺(tái)艾睿光電科技有限公司新推出的晶圓級(jí)封裝的1280 × 1024元紅外探測(cè)器以及專用圖像處理芯片的實(shí)際應(yīng)用,在系統(tǒng)架構(gòu)、結(jié)構(gòu)散熱、成像算法等方面對(duì)由新器件構(gòu)建的紅外成像系統(tǒng)進(jìn)行了驗(yàn)證分析。

0引言

紅外成像系統(tǒng)已被應(yīng)用到軍事和民用領(lǐng)域多年。其主要應(yīng)用特點(diǎn)是,面陣規(guī)模集中在640 × 512和384 × 288兩種,極少數(shù)紅外探測(cè)器高端機(jī)型采用1024 × 768面陣規(guī)模;探測(cè)器的封裝以金屬為主,以陶瓷為輔,WLP產(chǎn)品較少;處理器主要采用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(Field Programmable Gate Array,FPGA)方案,沒有標(biāo)準(zhǔn)的圖像處理芯片。這些應(yīng)用特點(diǎn)決定了紅外成像系統(tǒng)的特點(diǎn):價(jià)格高、開發(fā)難度大和開發(fā)周期長(zhǎng)。這些特點(diǎn)制約著紅外成像系統(tǒng)的大面積推廣。

紅外成像系統(tǒng)的普及需降低成本和開發(fā)難度。晶圓級(jí)封裝探測(cè)器加上專用集成電路(Application-Apecific Intergrated Circuit,ASIC)芯片,在大幅降低成本的同時(shí)也大幅降低了開發(fā)難度,因此必然是未來的發(fā)展趨勢(shì);相關(guān)行業(yè)已開始這種嘗試。美國(guó)FLIR公司推出的成像模組Lepton就是晶圓級(jí)封裝小面陣探測(cè)器加上ASIC芯片的初步嘗試。從成像效果上看,它可以滿足民用低端市場(chǎng)的需求。

隨著探測(cè)器制造工藝的進(jìn)步和像元尺寸的縮小,大面陣探測(cè)器的應(yīng)用開始增多。與640 × 512元探測(cè)器相比,大面陣探測(cè)器更適于觀察類應(yīng)用。同樣的焦距下,大面陣探測(cè)器覆蓋的場(chǎng)景更廣闊,觀察的細(xì)節(jié)更豐富。隨著制造技術(shù)的進(jìn)步和成本的降低,大面陣探測(cè)器的應(yīng)用方向會(huì)越來越多。

目前幾乎沒有關(guān)于晶圓級(jí)封裝大面陣探測(cè)器和專用紅外圖像處理芯片的應(yīng)用,也缺少該方面的技術(shù)積累。本文主要基于煙臺(tái)艾睿光電科技有限公司開發(fā)的1280 × 1024元晶圓級(jí)封裝探測(cè)器以及專用的圖像處理芯片進(jìn)行大面陣探測(cè)器的應(yīng)用分析,即在系統(tǒng)架構(gòu)、結(jié)構(gòu)散熱、成像算法等方面進(jìn)行實(shí)踐驗(yàn)證。

1系統(tǒng)設(shè)計(jì)

1.1探測(cè)器

本文采用艾睿光電科技有限公司研發(fā)的WLP封裝、數(shù)字輸出、1280 × 1024陣列規(guī)模的非制冷紅外探測(cè)器。該探測(cè)器的功能框圖如圖1所示。

圖1 RTDS121W框圖

RTDS121W探測(cè)器已集成了14 bit的模數(shù)轉(zhuǎn)換器Analog Digital Converter,ADC)和非均勻性校正(On-chip Offset Calibration,OOC)功能。對(duì)外的數(shù)字接口主要有三部分,分別是時(shí)鐘輸入(MCK)、數(shù)字輸入(SD<5:0>)和數(shù)字輸出(DO<13:0>)。該探測(cè)器的主要特性見表1。

表1 RTDS121W組件產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格

1.2紅外圖像處理芯片

本系統(tǒng)采用的紅外圖像處理芯片(Image Signal Processor,ISP)為艾睿光電科技有限公司開發(fā)的專門針對(duì)紅外圖像處理的RS001型集成電路芯片。該芯片是我們專門為自產(chǎn)紅外探測(cè)器定制的紅外圖像處理芯片,可以取代當(dāng)前應(yīng)用中的FPGA芯片,縮小系統(tǒng)尺寸,降低成本和功耗。RS001芯片的主要功能如下:

(1)內(nèi)部集成8051控制器,速度高達(dá)120 MHz。

(2)接口部分包括驅(qū)動(dòng)紅外探測(cè)器的數(shù)字接口和兩路并行數(shù)字視頻輸出接口,外部的控制接口采用集成電路總線(Inter-Integrated Circuit,IIC)或者通用異步收發(fā)傳輸器(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter,UART)。

(3)ISP的最大處理能力為1280 × 1024 @ 60 fps,最快主時(shí)鐘為100 MHz;輸入數(shù)據(jù)的精度為14 bits,輸出為8 bits、10 bits、14 bits的灰度圖像或者是YUV422彩色圖。

(4)ISP的功能包括非均勻性校正、CDC短壞列糾正、去橫豎紋、去盲元、時(shí)域?yàn)V波、去鍋蓋、鏡像、空域?yàn)V波、自動(dòng)增益補(bǔ)償(AutomaticGain Control,AGC)、數(shù)字圖像細(xì)節(jié)增強(qiáng)(DigitalDetail Enhancement,DDE)、GAMMA調(diào)整和縮放等功能。

(5)最大功耗為600mW。

(6)芯片的封裝尺寸僅為11 mm × 11 mm。

1.3系統(tǒng)設(shè)計(jì)

成像系統(tǒng)主要由電源轉(zhuǎn)換部分、探測(cè)器、ISP、通用串行總線控制器(Universal Serial Bus,USB)和Cameral Link信號(hào)收發(fā)器組成。其中,電源轉(zhuǎn)換部分的主要功能是將輸入電源轉(zhuǎn)換為各芯片需求的電壓。探測(cè)器和ISP在前兩節(jié)已介紹。USB控制器將上位機(jī)通過USB發(fā)送的命令信號(hào)轉(zhuǎn)換為IIC信號(hào)并將其發(fā)送給ISP,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)ISP芯片的配置。CameralLink信號(hào)收發(fā)器主要將ISP輸出的數(shù)字圖像轉(zhuǎn)換為CameralLink標(biāo)準(zhǔn)信號(hào),以便于上位機(jī)進(jìn)行采集分析。整個(gè)系統(tǒng)的原理框圖如圖2所示。

1.4系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)

大面陣紅外探測(cè)器在實(shí)際應(yīng)用中的難點(diǎn)是功耗高、溫度變化快,圖像均勻性容易受到影響。所以最好針對(duì)探測(cè)器進(jìn)行專門的散熱設(shè)計(jì),使系統(tǒng)溫度不太高,同時(shí)使紅外焦平面的溫度足夠穩(wěn)定。本文對(duì)最終成像組件進(jìn)行了熱仿真(結(jié)果見圖3)。其中探測(cè)器的溫度如圖4所示。從仿真結(jié)果看,整個(gè)組件的最高溫度為40 ℃,探測(cè)器整體的溫度均勻性不超過0.2 ℃,基本滿足設(shè)計(jì)要求。

圖2 系統(tǒng)框圖

圖3 組件系統(tǒng)的熱仿真結(jié)果

圖4 探測(cè)器的熱仿真結(jié)果

2非均勻性校正

非均勻性校正是紅外成像算法的第一步,也是關(guān)鍵一環(huán)。本文不做深入研究,只介紹艾睿探測(cè)器自帶的校正技術(shù)(片上非均勻性校正)和業(yè)內(nèi)常用的非均勻性校正方法(兩點(diǎn)校正法)。

2.1片上非均勻性校正

片上非均勻性校正屬于粗略的均勻性校正,主要目的是使紅外焦平面上每個(gè)像素的輸出集中在某個(gè)均值附近,即每個(gè)像素的原始輸出在合理的動(dòng)態(tài)范圍之內(nèi)。實(shí)現(xiàn)方式是在RTDS121W探測(cè)器芯片上集成OOC功能。通常情況下,在沒進(jìn)行OOC校正之前,探測(cè)器每個(gè)像素的輸出差異較大。圖5所示為面對(duì)均勻黑體輻射源時(shí)探測(cè)器的原始輸出數(shù)據(jù)。從圖5中可以看出,原始輸出分布在2000~14000之間,探測(cè)器的整個(gè)動(dòng)態(tài)范圍為0~16383。很多像素的原始輸出已經(jīng)接近動(dòng)態(tài)范圍的邊緣,因此無法有效利用整個(gè)動(dòng)態(tài)范圍。這些差異主要是由加工工藝導(dǎo)致的。為了讓像素之間的原始輸出差異足夠小,需要對(duì)每個(gè)像素配置不同的OOC值,以調(diào)節(jié)輸出。通過探測(cè)器數(shù)字輸入引腳配置OOC值。圖6所示為探測(cè)器面對(duì)均勻黑體輻射源并經(jīng)片上非均勻性校正后的輸出統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。由圖6可以看出,探測(cè)器所有像素的輸出都集中在8000~9000之間。對(duì)比圖5和圖6可知,經(jīng)片上非均勻性校正后,整個(gè)面陣的均勻性已達(dá)到比較高的水平。校正之后的圖像數(shù)據(jù)大多集中在校正目標(biāo)左右;對(duì)于少數(shù)無法校正的像元,可將其作為盲元處理。

圖5 原始數(shù)據(jù)

圖6 OOC校正后的數(shù)據(jù)

2.2兩點(diǎn)校正

紅外探測(cè)器的非均勻性有兩種。一是與輸入信號(hào)無關(guān)的偏移量非均勻性,由加工工藝引入。偏移量非均勻性在焦平面溫度固定時(shí)是不變的,可以認(rèn)為是直流分量。二是由探測(cè)器像素對(duì)輸入信號(hào)響應(yīng)不均勻造成的增益非均勻性。偏移量非均勻性和增益非均勻性同時(shí)存在,二者疊加在一起,對(duì)探測(cè)器的響應(yīng)信號(hào)產(chǎn)生影響。因此,通過對(duì)焦平面陣列各像素的增益非均勻性和偏移量非均勻性進(jìn)行校正,能有效提高圖像的質(zhì)量。

兩點(diǎn)校正的理論推導(dǎo)過程如下:紅外焦平面陣列單個(gè)像素在均勻黑體輻射下的響應(yīng)可以表示為

式中,Φ為輻射通量,uij和vij分別為坐標(biāo)(i,j)單元的增益和偏移量。

對(duì)于單個(gè)像素,uij和vij的值都是固定的,不隨時(shí)間變化。但探測(cè)器不同像素的響應(yīng)不一致。所以在同一輻射通量入射時(shí),各個(gè)xij值互有差異。必須對(duì)這差異進(jìn)行校正,即

式中,Gij和Oij分別為增益校正和偏移量校正,yij為校正后的輸出。

增益校正Gij和偏移量校正Oij的計(jì)算式為

式中,VL和VH分別為所有像素單元在低溫TL和高溫TH下的平均響應(yīng)。

本次采用的WLP封裝的探測(cè)器沒有半導(dǎo)體制冷器(Thermal Electric Cooler,TEC)。該探測(cè)器的功耗較高、發(fā)熱多,本身的溫度波動(dòng)大,尤其是剛開機(jī)的一段時(shí)間內(nèi),溫度變化快,導(dǎo)致上面的均勻性校正誤差變大。這對(duì)探測(cè)器的應(yīng)用非常不利。為解決此問題,有兩種方法。第一種是在機(jī)芯溫度穩(wěn)定之前較頻繁地打快門,以更新OOC校正和兩點(diǎn)校正中的偏移量校正。實(shí)際應(yīng)用中,大概每分鐘打一次快門就能達(dá)到較好的效果。另一種方法是應(yīng)用TECLESS算法。其核心思想是,在工作溫度范圍內(nèi),在不同溫度下獲取探測(cè)器的原始輸出,然后通過算法擬合探測(cè)器的輸出隨溫度變化的漂移,從而得到擬合系數(shù);在成像時(shí)根據(jù)探測(cè)器的溫度變化,補(bǔ)償由溫度變化導(dǎo)致的探測(cè)器輸出變化量,以減小探測(cè)器輸出隨溫度變化的非均勻性。

本文在擬合算法上嘗試了Polynomial模型,其公式為

圖8所示為其中一個(gè)像素?cái)M合完后的曲線。橫坐標(biāo)Dtemp為焦平面陣列(Focal Plane Array,F(xiàn)PA)溫度的數(shù)字輸出值,縱坐標(biāo)為探測(cè)器像素輸出中心化后的值。從擬合結(jié)果看,效果可以接受。

圖7 兩點(diǎn)校正后的成像結(jié)果

圖8 單個(gè)像素的擬合結(jié)果

通過無TEC算法處理可以緩解由溫度變化導(dǎo)致的增益漂移,但實(shí)際應(yīng)用中則很難完全消除增益漂移。最終的成像效果如圖9所示。

圖9 加上無TEC算法的圖像

4結(jié)論

從以上應(yīng)用可以看出,WLP封裝的非制冷大面陣紅外探測(cè)器初步具備了實(shí)際應(yīng)用的特性,且實(shí)際成像效果不錯(cuò)。同時(shí)也存在一些問題,比如大面陣探測(cè)器的發(fā)熱量大,不利于產(chǎn)品的小型化。實(shí)際成像中雖然加入了無TEC算法,但仍不能完全彌補(bǔ)由溫度漂移引起的增益漂移。為解決此問題,我們?cè)诋a(chǎn)品設(shè)計(jì)之初就需考慮系統(tǒng)散熱,或者研究更準(zhǔn)確的無TEC算法,以彌補(bǔ)漂移。

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原文標(biāo)題:晶圓級(jí)封裝非制冷大面陣紅外探測(cè)器應(yīng)用分析

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    的頭像 發(fā)表于 08-20 15:27 ?628次閱讀
    LoRa人體<b class='flag-5'>紅外</b><b class='flag-5'>探測(cè)器</b>的原理