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使用嵌入式組件改善PCB性能并減小尺寸

PCB設(shè)計(jì) ? 2020-09-10 18:45 ? 次閱讀
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電子設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和密度增加了,部分原因是移動(dòng)行業(yè)的興起,給印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。在電路板基板中嵌入組件可為一些問(wèn)題提供實(shí)用的解決方案,并且它正迅速成為制造商可行的生產(chǎn)步驟。

為什么要嵌入組件?

在討論向設(shè)計(jì)中添加嵌入式組件的方法之前,重要的是要了解它們提供的一些優(yōu)勢(shì)。除了對(duì)成本和產(chǎn)量的潛在影響之外,人們還必須考慮在開(kāi)始設(shè)計(jì)之前增加制造步驟的所有利弊。

尺寸和成本的減少推動(dòng)了PCB技術(shù)的創(chuàng)新。嵌入組件可以幫助減小電路板組件的尺寸。它還可以潛在地降低復(fù)雜產(chǎn)品的制造成本。

在處理高頻電路時(shí),最小化電氣路徑長(zhǎng)度以減少寄生效應(yīng)至關(guān)重要。減少無(wú)源元件到IC的布線長(zhǎng)度可以減少寄生電容和電感,從而減少系統(tǒng)中的負(fù)載波動(dòng)和噪聲。通過(guò)嵌入無(wú)源元件,可以將它們直接放置在IC引腳的下面,從而最大程度地減少潛在的負(fù)面影響,包括過(guò)孔電感

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最小化到IC的布線長(zhǎng)度是減少寄生效應(yīng)和改善器件性能的常見(jiàn)解決方案。在電路板基板(頂部)中嵌入組件可以在表面安裝(底部)上進(jìn)一步減少導(dǎo)線長(zhǎng)度。

可以直接在嵌入式IC周?chē)圃旒傻碾姶鸥蓴_(EMI)屏蔽。只需在IC周?chē)砑与婂兺?,就可以減少電容性和電感性耦合噪聲。在某些應(yīng)用中,它還可以消除對(duì)額外的表面安裝屏蔽的需求。

導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以輕松地添加到嵌入式組件中,從而改善了熱管理。一個(gè)這樣的例子是將熱微通孔嵌入與嵌入的組件直接接觸,從而允許熱量散發(fā)到熱平面層。此外,減少熱量必須流經(jīng)的PCB基板的數(shù)量會(huì)降低熱阻。

在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)嵌入式組件時(shí),長(zhǎng)期可靠性是困難和擔(dān)憂(yōu)的主要根源。將焊點(diǎn)放置在PCB的層壓框架內(nèi)時(shí),其可持續(xù)性會(huì)受到后續(xù)焊接工藝(例如表面貼裝器件上的回流焊)的影響。嵌入式組件制造后可能會(huì)引起其他問(wèn)題,因?yàn)榍度胧浇M件無(wú)法在故障后輕易進(jìn)行測(cè)試或更換。

嵌入式組件的類(lèi)型

嵌入式組件分為被動(dòng)和主動(dòng)兩大類(lèi),但是它們以不同的方式和不同的用途廣泛使用。被動(dòng)填充了大部分組件。因此,已經(jīng)對(duì)嵌入式電容和電阻進(jìn)行了全面的研究。

術(shù)語(yǔ)“嵌入式無(wú)源”通常不是指僅放置在板基板內(nèi)腔中的分立電阻器電容器。而是,通過(guò)選擇特定的層材料以形成電阻或電容結(jié)構(gòu)來(lái)制造嵌入式無(wú)源器件。雖然這些類(lèi)型的嵌入式組件在某一時(shí)刻被大量使用以節(jié)省空間,但較小的分立無(wú)源器件(例如01005封裝)的發(fā)展已使其在許多設(shè)計(jì)中對(duì)于該目的變得不必要。

嵌入式無(wú)源器件仍具有許多優(yōu)勢(shì),包括減少寄生效應(yīng)和減小尺寸,并已成為分立式表面安裝無(wú)源器件的常見(jiàn)制造替代方案。這對(duì)于諸如串聯(lián)終端電阻器之類(lèi)的應(yīng)用尤其有益,在該應(yīng)用中,數(shù)百條傳輸線進(jìn)入密集的球柵陣列(BGA微處理器和存儲(chǔ)設(shè)備。

IC放置在板基板中的制造步驟可能會(huì)有所不同,但必須為組件主體以空腔的形式留出空間。芯片嵌入技術(shù)有幾種值得注意的方法:

l集成模塊板(IMB):將組件對(duì)齊并放置在空腔內(nèi),該空腔通過(guò)控制深度的布線布線到核心層壓板??涨惶畛溆心V凭酆衔?,以確保與基板的化學(xué),機(jī)械和電氣兼容性。當(dāng)將嵌入式部件層壓到疊層中時(shí),聚合物將各向同性焊料浸漬以形成可靠的焊點(diǎn)。

l嵌入式晶圓級(jí)封裝(EWLP):所有技術(shù)步驟均在晶圓級(jí)執(zhí)行。始終需要扇入,這意味著可用于I / O的區(qū)域僅限于芯片尺寸。

l嵌入式芯片構(gòu)建(ECBU):將芯片安裝到聚酰亞胺膜上,并從那里構(gòu)建互連結(jié)構(gòu)。

l聚合物中的芯片(CIP):薄芯片被嵌入到PCB的堆積電介質(zhì)層中,而不是將它們集成到芯層中。然后可以使用標(biāo)準(zhǔn)的層壓基板材料。

組件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

為嵌入式目的進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),考慮組件的物理方向和布局很重要。此外,正確選擇兼容的組件和基板材料有助于減少制造過(guò)程中發(fā)生故障的機(jī)會(huì)。

對(duì)于嵌入式無(wú)源器件,選擇特定材料最終決定了那些組件的電性能。嵌入式電阻器只是電阻膜片,其尺寸可實(shí)現(xiàn)一定的電阻值。電阻可以使用以下公式計(jì)算:

1.png

其中ρ是材料的電阻率,L是長(zhǎng)度,A是面積。(Wt分別是寬度和厚度。)每種電阻膜材料的電阻率都不同,并且與最終電阻值成正比,這意味著材料的選擇是設(shè)計(jì)和制造過(guò)程的關(guān)鍵部分。

嵌入式電容器是通過(guò)將銅包層布置為板狀并確定其尺寸來(lái)制造的,并在兩者之間適當(dāng)選擇介電材料。然后可以使用以下方法計(jì)算電容:

2.png

其中ε - [R是材料的介電常數(shù),ε 0是自由空間的介電常數(shù),A是極板的面積,d是板之間的距離。

介電常數(shù)根據(jù)所選材料而變化,并且與最終電容值成正比。從該方程式可以明顯看出,通過(guò)減小板層中的平面間距離并最大化平面面積來(lái)增加電容??梢允褂锰厥獾牟牧蟻?lái)保持介電強(qiáng)度,同時(shí)產(chǎn)生尺寸穩(wěn)定但非常薄的平面到平面介電層,以增加用于電源去耦的平面電容。

對(duì)于嵌入式IC和其他有源元件,選擇材料主要是為了考慮腔中元件的長(zhǎng)期可靠性以及基板的耐用性。熱膨脹系數(shù)(CTE)可以描述材料將如何改變并對(duì)高溫事件或過(guò)程做出反應(yīng),例如對(duì)表面安裝組件進(jìn)行的回流焊接。如果基板材料和用于填充型腔的聚合物之間的CTE(特別是z軸膨脹)不匹配,則可能會(huì)損害板的結(jié)構(gòu)和完整性。

在腔中對(duì)齊和放置嵌入式無(wú)源和有源組件時(shí),使用兩個(gè)基本處理流程:面朝上和面朝下。通過(guò)面朝下地嵌入組件,只需要在等于封裝高度的深度創(chuàng)建空腔即可,這意味著可以在同一層上嵌入多個(gè)厚度不同的芯片。面朝下的制造可實(shí)現(xiàn)良好的介電材料厚度控制,以及組裝過(guò)程中良好的組件放置精度。

制造過(guò)程

制造步驟將根據(jù)每個(gè)制造商決定的過(guò)程以及可用的制造設(shè)備而有所不同。通常,用于嵌入組件的制造過(guò)程可以分為兩類(lèi):對(duì)齊并放置在型腔內(nèi)的組件,以及模制到基板中的組件,從那里建立其他結(jié)構(gòu)。

可以使用不同的配置和制造技術(shù)來(lái)形成PCB腔。隨著用于嵌入有源元件的技術(shù)的發(fā)展,已經(jīng)開(kāi)發(fā)了更新和更有效的腔體開(kāi)發(fā)方法,具有更高的可靠性和更高的生產(chǎn)良率。

激光鉆孔腔可提供任何方法中最高的精度和位置精度。由于去除了介電材料,激光束受到精確控制,以實(shí)現(xiàn)均勻的深度控制和磨損。由于激光通常使用大波長(zhǎng),因此它無(wú)法穿透銅層,從而為該過(guò)程建立了定義明確的“停止層”。在形成腔之后,添加各向異性導(dǎo)電粘合劑物質(zhì),并將組件放置在空隙中。在特定壓力下對(duì)系統(tǒng)施加熱量,以熔化分散在粘合劑材料中的焊料顆粒,并形成可靠的焊料結(jié)合。

銑削提供了一種更常規(guī)且更具成本效益的方法來(lái)制造型腔。銑刀的尺寸已減小到足以滿(mǎn)足大多數(shù)現(xiàn)代制造需求,但是加工技術(shù)存在實(shí)際限制。盡管如此,銑削和銑削技術(shù)比激光鉆孔技術(shù)更為完善,因此更容易用于創(chuàng)建型腔。

薄晶圓封裝可直接集成到堆積的電介質(zhì)層中,而無(wú)需利用在芯材中鉆孔或布線的空腔。然后可以使用標(biāo)準(zhǔn)的層壓基板材料,例如多層FR-41從而降低了成本并降低了生產(chǎn)良率。首先,將薄芯片芯片接合到基板上。接下來(lái),將液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂或?qū)訅簶?shù)脂涂層銅(RCC)膜用作電介質(zhì)。通過(guò)優(yōu)化熱壓層壓工藝,可以無(wú)空隙地嵌入芯片。

結(jié)論

盡管將無(wú)源和有源組件嵌入板基板中的技術(shù)已經(jīng)存在了一段時(shí)間,但直到最近才在商業(yè)上可行以在制造過(guò)程中執(zhí)行此類(lèi)步驟。對(duì)高密度,薄型電子設(shè)備的市場(chǎng)需求已經(jīng)克服了潛在的缺點(diǎn),例如可靠性問(wèn)題以及成本和生產(chǎn)良率的風(fēng)險(xiǎn)。

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