來源:高速先生
大家有沒有類似你們認(rèn)為非常規(guī)的DDR設(shè)計(jì)經(jīng)歷呢?
謝謝各位網(wǎng)友的回答,下面是高速先生的觀點(diǎn):
1,首先很多網(wǎng)友問到是怎么做到的,其實(shí)大家可以回顧下這篇文章的一些PCB設(shè)計(jì)截圖,大家能看到走T拓?fù)涞脑捵铌P(guān)鍵的是等長(zhǎng),每一段并聯(lián)的分支做到等長(zhǎng)(當(dāng)然在這個(gè)基礎(chǔ)上能夠盡量短就最好了)是很重要的,另外還需要依托芯片的能力,有足夠多的驅(qū)動(dòng)可以選擇,我們選擇一個(gè)適中的驅(qū)動(dòng),就能讓顆粒接收的波形過沖減小,保證信號(hào)質(zhì)量。這是fly-by拓?fù)湓跊]有端接電阻的情況下做不到的,因?yàn)閒ly-by拓?fù)湓谇懊骖w粒處一定會(huì)有分支,而且?guī)У念w粒越多,分支越長(zhǎng),如果沒有端接,就沒法避免后面分支對(duì)前面顆粒的反射,因此信號(hào)質(zhì)量很難做好;
2,然后就是問大家有沒有遇到類似的非常規(guī)設(shè)計(jì)了,高速先生在這里大概列舉幾種我們認(rèn)為的非常規(guī)設(shè)計(jì),首先是本例子的去掉端接的情況,還有像拖的顆粒很多的情況,例如9個(gè)顆粒及以上;還有是遇到雙die的顆粒,也就是一個(gè)顆粒芯片封裝在兩個(gè)die,地址控制信號(hào)也是1拖2的情況;還有是在雙面板或者4層板去完成DDR設(shè)計(jì)的情況,一般這種情況阻抗都不一定能控制到,也是非常規(guī)的設(shè)計(jì)。如果大家遇到這些自己把握不了的設(shè)計(jì)時(shí),可以和我們溝通下哈,或許我們能給你們一些有用的建議哈。
(以下內(nèi)容選自部分網(wǎng)友答題)
沒有畫過非常規(guī)設(shè)計(jì)的DDR板。1.記得以前面試一家電子廠,被問到用兩層板畫DDR2一拖二的問題。想到平時(shí)在T型等長(zhǎng)、線寬線距、電源處理方面被“嚴(yán)格”訓(xùn)練,面露難色,回答沒有畫過,建議增加為四層板。領(lǐng)導(dǎo)說,簡(jiǎn)單的兩層板都畫不好,復(fù)雜的四層板你能行嗎。2.后來DDR3畫習(xí)慣了,冷不丁一個(gè)小插曲被高傲的眼睛給忽略了,把手坑到鼠標(biāo)上移動(dòng)幾天,把屁股坑到椅子上幾天不能移動(dòng)。又一個(gè)1拖4的畫圖任務(wù),趕緊開工,F(xiàn)lyby一個(gè)串一個(gè),等長(zhǎng)繞好。自查、同事互查沒有問題,下發(fā)打樣,坐等好結(jié)果。誰知等來的是調(diào)試失敗的消息,和硬漢排查問題,才知道顆粒是DDR2,不能用Flyby走線。
@ 山水江南
評(píng)分:3分
一般有提供DEMO板或芯片手冊(cè)時(shí),我們按照DEMO板或是芯片手冊(cè)的要求來做。但有時(shí)候可能由于各種理由也不是絕對(duì)執(zhí)行,這就與你的應(yīng)用場(chǎng)景有關(guān),如某些芯片手冊(cè)需要獨(dú)立分割,這樣設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)小,準(zhǔn)確性高。而實(shí)際應(yīng)用肯定會(huì)有違反規(guī)則的情況,只要能滿足它的抗干擾或輻射的情況,我們需要做一個(gè)權(quán)衡。這也算非常規(guī)操作,但不推薦。呵呵
@ 桿
評(píng)分:3分
DDR4我們公司只用過瑞薩平臺(tái)的,里面的阻抗都是非常規(guī)。單端不是50歐姆,差分這不是100歐姆。我們領(lǐng)導(dǎo)直接說,用demo的疊層,copy demo的走線。出問題就找fae,讓他們負(fù)責(zé)。
@ Ben
評(píng)分:3分
我們公司產(chǎn)品太多,很多平臺(tái)要復(fù)用,所以我們的ddr模塊走線都是統(tǒng)一的,不會(huì)因?yàn)榀B層變化而變化。(領(lǐng)導(dǎo)說,保證好時(shí)序,其他問題不大)。這樣設(shè)計(jì)更快更方便,通過odt來調(diào)整信號(hào)質(zhì)量就行。領(lǐng)導(dǎo)說都是“正確的”,呵呵噠
@ 歐陽
評(píng)分:3分
以前ddr3少于等于4片的都可以去掉vtt端接的, 走T。ddr4還是要仿真下的。
@ 劉浩
評(píng)分:2分
端接采用上下拉電阻,電阻為阻抗的2倍,電阻中間正好為vtt,上下拉后正好為匹配阻抗,還省了電源,只是多了一倍的電阻,不知道功耗是否增加了
@ fanyujie
評(píng)分:2分
控制器到顆粒之間的走線加粗,阻抗變小,顆粒之間的走線變細(xì),同時(shí)顆粒之間的走線繞線變長(zhǎng)
@ Alan
評(píng)分:2分
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