光敏二極管的反向直流電阻在無光照時(shí)可達(dá)到幾兆歐；有光照時(shí)，下降到幾百歐左右。其主要參數(shù)如下。

1．最高工作電壓

最高工作電壓也稱為最高反向工作電壓。它是指無光照時(shí)，光敏二極管中反向電流≤0.2~0.3uA時(shí)允許的高反向電壓。該電壓一般為10-50V。

2．光電流la

光電流I啊是指在受到一定的光照及最高工作電壓下流過管子的反向電流。一般光電流為幾十微安，并且與照度呈線性關(guān)系。光電流越大越好。

3．暗電流IB

暗電流是指在無光照且加一定反向電壓時(shí)的反向漏電流與暗電流。通常在50V反向電壓下的暗電流小于100uA。暗電流要求盡量小。光敏二極管的暗電流隨溫度變化而變化，如硅光敏二極管的IB值，在環(huán)境溫度升高30-40℃時(shí)將增大10倍。因此，在要求穩(wěn)定性高的電路中，需要考慮進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

4．光譜響應(yīng)特性

不同類型的光電二極管，其光譜特性和峰值波長都不相同。圖3-10畫出了硅光敏二極管和鍺光敏二極管的光譜特性曲線。從該曲線可看出，鍺管的光譜范圍要比硅管寬，硅光敏二極管的光譜范圍為400 -1100nm，其峰值波長為880 - 900nm，其與GaAs紅外發(fā)光二極管的波形相匹配，可獲得較高的傳輸效率。鍺光敏二極管的峰值波長約為14 650A（1A= O.1nm），在采用同樣的白熾燈作為光源時(shí)，它的光電池比硅管的大。