臺(tái)積電2納米制程研發(fā)獲重大突破。供應(yīng)鏈透露，有別于3納米與5納米采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺(tái)積電2納米改采全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)良率即可達(dá)九成，助攻未來(lái)持續(xù)拿下蘋(píng)果、輝達(dá)等大廠先進(jìn)制程大單，狠甩三星。

半導(dǎo)體制程一路微縮，面臨物理極限，業(yè)界原憂(yōu)心不利摩爾定律延續(xù)，也就是過(guò)往每18個(gè)月推進(jìn)一個(gè)制程時(shí)代的腳步受阻，使得臺(tái)積電等半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程發(fā)展受影響。

三星預(yù)計(jì)年底才投入5納米制程，落后臺(tái)積。隨著臺(tái)積電在2納米新制程節(jié)點(diǎn)有重大突破，宣示臺(tái)積電將可延續(xù)摩爾定律發(fā)展，更確定未來(lái)朝1納米推進(jìn)可能性大增，進(jìn)一步擴(kuò)大與三星的差距。臺(tái)積電向來(lái)不對(duì)訂單等動(dòng)態(tài)置評(píng)，且迄今仍低調(diào)未對(duì)外透露2納米制程細(xì)節(jié)，僅表示2納米將是全新架構(gòu)。

業(yè)界人士指出，2020年臺(tái)灣國(guó)際半導(dǎo)體展（SEMICON TAIWAN）將在本周三（23日）登場(chǎng)，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音受邀進(jìn)行主題演講，市場(chǎng)聚焦臺(tái)積電先進(jìn)制程研發(fā)對(duì)人工智慧（AI）、第五代行動(dòng)通訊（5G）推動(dòng)影響，并關(guān)注劉德音釋出的臺(tái)積電先進(jìn)制程研發(fā)近況。

據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立2納米專(zhuān)案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)，考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2納米采以環(huán)繞柵極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題，在極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)提升，使臺(tái)積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進(jìn)度較預(yù)期順利。

臺(tái)積電總裁魏哲家日前于玉山科技協(xié)會(huì)晚宴專(zhuān)講時(shí)透露，臺(tái)積電制程每前進(jìn)一個(gè)世代，客戶(hù)產(chǎn)品速度效能增加30%至40%，功耗可以降低20%至30%。

供應(yīng)鏈認(rèn)為，以臺(tái)積電2納米目前研發(fā)進(jìn)度研判，2023年下半年可望進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。臺(tái)積電先前揭示2納米研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個(gè)超大型晶圓廠，占地90多公頃。

業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電2納米良率及效能值得期待，推出即可望獲蘋(píng)果、輝達(dá)、高通、超微等大客戶(hù)采用，陸續(xù)轉(zhuǎn)到2納米投片。尤其輝達(dá)收購(gòu)安謀（ARM）后，朝超級(jí)電腦、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心等高速運(yùn)算前進(jìn)，未來(lái)將更仰賴(lài)與臺(tái)積電合作。
責(zé)任編輯：tzh