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STM32單片機(jī)內(nèi)部FLASH的編程和擦除操作

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:CSDN博主 ? 作者: hurryddd ? 2021-02-14 16:37 ? 次閱讀
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單片機(jī)內(nèi)部的FLASH除了存儲(chǔ)固件以外,經(jīng)常將其分成多個(gè)區(qū)域,用來(lái)存儲(chǔ)一些參數(shù)或存儲(chǔ)OTA升級(jí)的待更新的固件,這時(shí)就會(huì)涉及到單片機(jī)內(nèi)部FLASH的編程和擦除操作,STM32不同系列的單片機(jī)內(nèi)部FLASH特性和扇區(qū)大小都不太一樣,如果不注意這些細(xì)節(jié),那就等著爬坑吧

1、FLASH的分區(qū)以及扇區(qū)大小

FLASH擦除是按照扇區(qū)擦的,所以這個(gè)很重要,在工程中全局搜索 FLASH_PAGE_SIZE 宏就可以查看該芯片的頁(yè)(扇區(qū))大小,改宏在 stm32xxx_hal_flash.h中有定義

2、FLASH擦拭后的狀態(tài)

F1和F4系列的芯片F(xiàn)LASH在擦除后會(huì)是0xFFFFFFFF,而L1系列的芯片F(xiàn)LASH在擦除后是0x00000000!!!!!

3、FLASH的編程速度

L1芯片內(nèi)部FLASH編程速度比F1慢50倍?。?!所以在使用L1芯片寫入數(shù)據(jù)時(shí)相對(duì)于F1慢是正常的

2、STM32 F1、F4、L1系列內(nèi)部FLASH分區(qū)及大小

1、STM32F1系列

對(duì)于F1系列的芯片大容量產(chǎn)品的FLASH主存儲(chǔ)器每頁(yè)大小為2K,如【下圖】,而中容量和小容量的產(chǎn)品每頁(yè)大小只有1K

pIYBAF_9XyWAQ1dBAAOSvMAux10854.png

2、STM32F4系列

分為2個(gè)Bank,每個(gè)Bank分為12個(gè)扇區(qū),前4個(gè)扇區(qū)為16KB大小,第五個(gè)扇區(qū)是64KB大小,剩下的7個(gè)扇區(qū)都是128K大小

pIYBAF_9X0OAEsyVAAOvy3Hl9PQ381.png

3、STM32L1系列

3、STM32 F1、F4、L1系列內(nèi)部FLASH編程時(shí)間

信息參考對(duì)應(yīng)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)的 Electrical characteristics 章節(jié)

o4YBAF_9X1iAWgPRAAIF8YMGK0Y997.png

1、STM32F1系列

可以看出F1系列內(nèi)部FLASH頁(yè)擦除時(shí)間最大為40ms,半字寫入的時(shí)間為52.2us,比如按字寫入1024字節(jié)數(shù)據(jù),需要26.8ms,還是比較快的

pIYBAF_9X2aAaA7-AAEGV0qnVH4638.png

2、STM32F4系列

可以看出F4系列內(nèi)部不同扇區(qū)擦除時(shí)間也不一樣的,字寫入的時(shí)間為16us,比如按字寫入1024字節(jié)數(shù)據(jù),只需要4ms,非常快

pIYBAF_9X3iAHIhRAALOnPFcjPU077.png

3、STM32L1系列

可以看出L1系列內(nèi)部FLASH頁(yè)擦除和編程的時(shí)間都是3.28ms,比如按字寫入1024字節(jié)數(shù)據(jù),需要840ms,非常慢;但是擦除是比較快的

pIYBAF_9X4eATOy-AAF82rU5_UE350.png

編輯:hfy

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