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基于非易失性存儲器的高可靠性存儲游戲數(shù)據(jù)方案

454398 ? 來源:電子元件技術(shù) ? 作者:電子元件技術(shù) ? 2021-01-12 14:25 ? 次閱讀
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處理財務(wù)數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)需要高度的可靠性,賭場游戲機也不例外。這些機器存儲和/或訪問敏感的個人和財務(wù)信息,包括玩家數(shù)據(jù)和金額。玩家還可以調(diào)取補償資金和存儲的積分,這些金融交易可以代表數(shù)千美元或更多。游戲機還需要存儲各種關(guān)鍵的操作信息,例如用戶按鍵,支出比率和獲勝統(tǒng)計數(shù)據(jù)。

由于賭注可能很高,因此在停電,電源故障或機器故障的情況下,游戲機必須能夠安全地保留所有這些信息。通常,當(dāng)嵌入式系統(tǒng)發(fā)生故障時,它將默認返回安全模式,該模式使關(guān)鍵任務(wù)功能可以不間斷地繼續(xù)運行。例如,一架飛機必須保持運轉(zhuǎn)以防止其墜毀。

賭場游戲機則相反。發(fā)生故障時,標(biāo)準(zhǔn)操作程序是確保機器受到保護,而不是清除錯誤狀態(tài)。在這一點上,通常建議對機器進行分析以確定故障原因并創(chuàng)建證據(jù)鏈日志以用于潛在的賠付。例如,如果玩家剛好在死機前獲得了一個大獎,則此證據(jù)記錄對于確定該獎金是否被接受至關(guān)重要。

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(圖1:游戲機的框圖。)

除了存儲玩家和操作數(shù)據(jù)之外,系統(tǒng)還需要存儲FPGA和/或MPU使用的游戲算法圖像(見圖1)。此外,還需要記錄操作執(zhí)行狀態(tài)和系統(tǒng)堆棧。這些日志中的數(shù)據(jù)對于保證賭場運營的安全完整性至關(guān)重要。

所有這些要求共同為工程師帶來了挑戰(zhàn)性的問題。必須安全存儲大量數(shù)據(jù)需要高密度的內(nèi)存。此外,內(nèi)存子系統(tǒng)必須非??欤苑乐箶嚯娖陂g丟失數(shù)據(jù)。

非易失性存儲器

首先,非易失性存儲器至關(guān)重要。傳統(tǒng)上,游戲機使用電池供電的SRAM來有效保留內(nèi)存。但是,這種方法不能提供足夠的可靠性。電池供電的SRAM需要多個組件,并且比單獨的本地非易失性存儲芯片消耗更多的PCB面積。通常在回流工藝之后安裝電池,以避免溫度過高影響電池,因此這會增加制造成本。電池還需要按計劃進行維護和更換。這樣的維護增加了運營費用。如果游戲機采用諸如嗡嗡聲或震動之類的反饋,則這種振動會導(dǎo)致將電池易失效。最后,不符合RoHS要求的電池給娛樂場經(jīng)營者帶來了不必要的麻煩。

由于這些原因,制造商更喜歡使用無電池非易失性存儲解決方案來存儲記錄的信息。表1列出了幾種類型的非易失性存儲器。 EEPROM有限的耐用性并不適合必須連續(xù)運行數(shù)十年的游戲機。

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(表1:不同非易失性存儲器類型的比較。)

基于閃存的方法,即使像EEPROM這樣的有限耐用性計數(shù),也可以使用稱為損耗平衡的技術(shù)來延長存儲器的壽命。 MCU上的軟件采用復(fù)雜的算法來識別何時閃存磨損,并開始遇到超出設(shè)置閾值的錯誤。然后,算法搜索另一個未磨損的塊,并將數(shù)據(jù)移至該塊。損耗均衡算法傾向于嘗試在Flash設(shè)備中平均分配損耗。這使損耗均衡成為一個相當(dāng)復(fù)雜的過程,在提高可靠性的同時,最終增加了寫入操作的延遲。

Flash的寫入性能會產(chǎn)生重大影響。通常,要記錄的數(shù)據(jù)將被捕獲并收集到緩沖區(qū)中,直到可以寫入一個完整的塊為止。接下來,必須通過耗損平衡算法來識別要寫入的內(nèi)存塊,這可能涉及在大型數(shù)據(jù)表中進行基于軟件的查找。對于Flash,必須先擦除該塊,然后才能將其寫入。最后,數(shù)據(jù)緩沖區(qū)被寫入內(nèi)存。

實時捕捉

當(dāng)電源出現(xiàn)故障時,系統(tǒng)幾乎沒有時間做出反應(yīng)。因此,為了以高可靠性存儲游戲數(shù)據(jù),必須連續(xù)捕獲和存儲數(shù)據(jù)。最壞的情況是在游戲事件期間發(fā)生電源故障,因為這是實時數(shù)據(jù)產(chǎn)生最多的時刻。

如果在閃存寫入過程中的任何時間發(fā)生故障,則緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)將丟失。寫入過程越長,丟失數(shù)據(jù)的風(fēng)險就越大,這對于理解機器為何故障以及建立完整性操作至關(guān)重要。

為了最大程度地減少寫入時間并提高整體可靠性,制造商正在轉(zhuǎn)向高度可靠的NVRAM解決方案,例如鐵電隨機存取存儲器(FRAM)。作為一種非易失性存儲技術(shù),F(xiàn)RAM相對于電池供電的SRAM,EEPROM和閃存,為數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用提供了許多優(yōu)勢。FRAM具有極高的耐用性,可反復(fù)讀寫多達10 ^ 14個周期,對于記錄應(yīng)用程序?qū)嶋H上是無限的。由于具有如此高的耐用性,因此無需進行磨損平衡,從而簡化了寫入過程。

此外,F(xiàn)RAM是一種隨機訪問技術(shù),不需要緩沖區(qū),可以直接在非易失性存儲單元中執(zhí)行寫操作,而無需先進行單獨的擦除周期。這意味著在收集數(shù)據(jù)時,可以立即將其存儲在非易失性存儲器中。隨機訪問還消除了與內(nèi)存分頁相關(guān)的延遲。因此,與閃存使用緩沖區(qū)所需的相對較長的窗口相比,可以“立即”寫入已記錄的數(shù)據(jù)(參見圖2)。

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(圖2:在緩沖區(qū)中捕獲數(shù)據(jù)并僅在緩沖區(qū)已滿時才將其寫入Flash的延遲使關(guān)鍵數(shù)據(jù)處于危險之中。如果在此期間發(fā)生電源故障,則會丟失重要的取證數(shù)據(jù)。)隨機訪問捕獲的數(shù)據(jù)可以立即寫入FRAM。這消除了EEPROM的寫入等待時間,從而最大限度地減少了風(fēng)險和數(shù)據(jù)丟失的時間。

為了提供更高的可靠性,F(xiàn)-RAM存儲器包括片上錯誤代碼校正(ECC),以檢測和校正位錯誤。此外,F(xiàn)RAM讀取具有破壞性。因此,當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時,F(xiàn)RAM陣列中的任何位翻轉(zhuǎn)都會被檢測到并通過ECC進行校正,并將校正后的數(shù)據(jù)寫回到該陣列中。這確保了更高的可靠性,并提高了FRAM的使用壽命。

F-RAM通過串行接口(如SPI)連接到標(biāo)準(zhǔn)存儲控制器。與電池供電的SRAM使用的并行接口相比,串口的使用可釋放處理器引腳,從而使開發(fā)人員可以選擇更緊湊的MCU封裝,減少總線走線并減小電路板尺寸。

例如Infineon Technologies的Excelon FRAM,可用于工業(yè)和汽車級,以確保在極端工作條件下的高可靠性。工業(yè)F-RAM在最高溫度為85°C時可以存儲長達10年的數(shù)據(jù),而在60°C時可以存儲到151年。這些存儲器還具有高性能的108 MHZ Quad SPI接口,使它們能夠提供與并行電池供電的SRAM相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>

數(shù)據(jù)和代碼

由于其連續(xù),隨機訪問的性質(zhì),單個FRAM器件可用于數(shù)據(jù)記錄和代碼存儲。實際上,單個存儲器可以代替ROM和RAM設(shè)備,因為FRAM同時提供SRAM和Flash的功能。在單個存儲設(shè)備中組合數(shù)據(jù)和代碼可以簡化系統(tǒng)設(shè)計并降低總體成本。此外,將算法代碼存儲在FRAM中會自動保留系統(tǒng)在發(fā)生故障時使用的代碼映像,這在故障取證過程中非常有用。

為了滿足游戲機等應(yīng)用程序?qū)?nèi)存的可靠需求,F(xiàn)RAM具有高密度特性,目前最高可達8 Mbit,2021年初將推出16 Mbit產(chǎn)品。

當(dāng)今的賭場運營商需要高度可靠的游戲機來保護自己的利益,以防萬一機器在不適當(dāng)?shù)臅r間出現(xiàn)故障或斷電。當(dāng)前的電池供電的SRAM系統(tǒng)缺乏物理魯棒性,增加了系統(tǒng)成本,并產(chǎn)生了持續(xù)的維護費用?;陂W存的系統(tǒng)可以在斷電期間保留數(shù)據(jù),但也可以丟失其緩沖區(qū),緩沖區(qū)具有最關(guān)鍵的數(shù)據(jù),對于了解游戲系統(tǒng)為何以及如何出現(xiàn)故障是至關(guān)重要的。通過與FRAM協(xié)作,開發(fā)人員可以創(chuàng)建數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng),該系統(tǒng)通過在捕獲數(shù)據(jù)時寫入數(shù)據(jù)來提供最高的可靠性,從而確保賭場運營商擁有建立證據(jù)鏈并確??梢猿晒Λ@得取證分析所需的數(shù)據(jù)。

(作者:Shivendra Singh是賽普拉斯高級應(yīng)用工程師;Karthik Rangarajan是Infineon的高級產(chǎn)品營銷工程師。)

編輯:hfy

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