整流器是任何單片機開發(fā)電源管理系統(tǒng)制造商的關鍵組件。盡管在現(xiàn)場故障分析中它們通常很少，但它們是PCB上最熱的組件，它們決定了效率和EMI，并承受許多溫度循環(huán)和高壓。

絕對最大額定值

單片機開發(fā)整流器數(shù)據(jù)表中只有2個絕對最大額定值：浪涌電流Ifsm和擊穿電壓Vrrm。超過它們可能導致災難性的故障。

擊穿電壓已在生產(chǎn)中經(jīng)過完全測試。大多數(shù)標準整流器具有許多不同的部件名稱，通常從100V到1000V，但它們可能只有一個或兩個芯片電源。不同的供應商可能具有不同的測試規(guī)格，保護帶和擊穿電壓分布。如果設計中存在電壓尖峰，則應注意這些差異。僅具有一個晶片源意味著在所有電壓下，正向的電氣特性都相同。如果供應鏈出現(xiàn)問題，此信息可能會有所幫助。

Ifsm浪涌電流未經(jīng)量產(chǎn)測試，但通過單片機開發(fā)設計保證。它由芯片尺寸決定，因為AC / DC轉換器中的浪涌電流通常小于1.5ms。為了節(jié)省成本，不同的供應商可以減小其模具尺寸。制造過程可能會產(chǎn)生不同數(shù)量的焊料空洞，這也會影響浪涌電流。因此，如果您的設計在瞬息萬變的邊緣，您可能需要在進行交叉引用（對故障的激增）時進行一些詳細的測試。不同的供應商也可能對Vf值有不同的測試約定，以消除最壞情況下的焊錫空隙。增量Vf測試在短電流脈沖前后測量Vf，這會加熱芯片。整流器的Vf具有負Tc。Vf的變化表示熱阻。

整流器的最高結溫 Tj可以3種不同的方式進行解釋和使用：使用Arrhenius方程確定電流額定值，設置可靠性測試并確定長期可靠性（Tj為149C時的FIT數(shù)據(jù)優(yōu)于151C時，但都不好）

圖1：整流二極管1N4007的降額曲線

營銷會影響數(shù)據(jù)表中的最大Tj。對于符合AECQ要求的設備，應在額定溫度和額定電壓下進行可靠性測試。對于非AECQ101設備，供應商擁有更大的自由度（JEDEC規(guī)范–公司內部程序）

整流器是溫度驅動裝置。整流器最重要的方程是Tj = Ta + Pd * Rthj-a，其中Tj是結溫，Ta是環(huán)境溫度，Pd是功耗，Rthj-a是與環(huán)境的熱阻。通常，人們可以忽略泄漏電流和開關損耗：在這種情況下，Pd = If * Vf。營銷人員可以影響設備的當前等級。

市場營銷確定該曲線中的Rthj-a以及降額開始的點。同一整流器在不同熱環(huán)境下的額定電流為x2。通過在X軸上使用外殼溫度Tc可以避免這種情況，并且Rthj-1在數(shù)據(jù)表中為固定值。熱阻由兩部分組成：連接到外殼/引線的熱阻和連接外殼/引線的熱阻。除非產(chǎn)品進行散熱（或非常好的對流冷卻），否則熱阻的后半部分是主要的貢獻者（超過75％）。然后，Tc降額變得毫無意義。因此在交叉引用時使用電流額定值作為主要參數(shù)可能會導致意外。整流器為3A或5A的說法可能會產(chǎn)生誤導。最好比較Vf規(guī)格和測試條件。但是，兩個不同的供應商可能具有2個不同的Cpk目標。最好分析典型的Vf曲線。此曲線無法操作，如果正確測量，就可以將蘋果與蘋果（模具尺寸）進行比較。

圖2：典型的Vf曲線

其他電氣特性

在許多數(shù)據(jù)表中，標準整流器的泄漏電流規(guī)格設置為1uA至5uA。這些數(shù)據(jù)表可以使用30至50年。漏電流的正態(tài)分布在100nA左右停止，具體取決于芯片尺寸。使用所謂的GPP工藝（玻璃鈍化球）制造標準整流器。這些過程之間在質量上存在差異。有時，通過比較較高溫度下的典型Ir曲線，可以最好地驗證有關Tj等級為150或175C的討論。

交叉引用時最重要的驚喜可能來自各個制造商使用的不同測試程序。可靠的整流器需要PAT（零件平均測試），以使Ir上的測試規(guī)格與正態(tài)分布（而不是數(shù)據(jù)表值）一致。在正態(tài)分布之外但在1 / 5uA數(shù)據(jù)表限制內的零件可能存在隱藏的質量問題。降級–重新測試不滿足1000V的整流器，并以較低的價格以更高的泄漏電流將其作為100V出售-是造成現(xiàn)場故障的良方。

PAT使用統(tǒng)計技術來確定這些測試結果的限制。設置這些測試極限是為了刪除輪廓線（其參數(shù)與典型零件在統(tǒng)計上不同的零件），并且對通過良好控制的過程正確加工的零件的成品率影響應最小。

圖3：PAT測試消除了現(xiàn)場故障

恢復時間（Trr）：Trr的定義基于40年前建造的批量生產(chǎn)測試設備。在以40kHz或更低的頻率切換以及ZCS拓撲的應用中可能就足夠了。在具有硬開關的電路中，Trr參數(shù)不是最重要的參數(shù)，供應商之間的技術差異會變得很明顯。反向電流峰值Irrm增加了開關晶體管的應力，Qrr進一步確定了開關損耗，軟度（Tb / Ta）可能不同。只有在使用相同的正向電流If和di / dt來關斷二極管的情況下，才有可能對2個數(shù)據(jù)表進行有意義的比較。Qrr，Irrm和Tb / Ta與溫度有關，并且具有正溫度系數(shù)。數(shù)據(jù)表可能會給出柔軟度（EMI）的指示，但此參數(shù)還取決于溫度。

低壓FER整流器可以通過幾種不同的方式生產(chǎn)?？梢允褂猛庋泳蚍荅PI晶片生產(chǎn)200V輸出整流器。這可能導致較低的Vf和較好的Trr。但是，存在成本損失。為了降低Trr，供應商將需要添加更多的鉑金或其他可殺死生命的材料。這些往往會增加Vf。因此，在第二次采購或設計FER二極管時，您需要考慮這一折衷。每個供應商都有獨特的配方。

圖4：通過改進的引線框架設計避免熱點

不同的橋式整流器供應商可能具有不同的構造模型/引線框架和熱阻，因此應使用紅外熱像儀檢查溫度曲線。在制造橋式整流器時，可以更加自由地使用裸片尺寸，以降低成本。確保始終比較Ifsm。所用的模塑料對濕度的影響很大，與可靠性測試有關。
編輯：hfy