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全球真無線耳機市場規(guī)模預計2020年將達到2.30億部,同比增長90%

MEMS ? 來源:MEMS ? 2020-09-26 09:54 ? 次閱讀
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即使在疫情為消費電子行業(yè)帶來巨大沖擊和不確定性的情況下,真無線立體聲(TWS)耳機仍然在今年保持快速的增長,全球市場研究公司Counterpoint Research預測,全球真無線耳機市場規(guī)模預計2020年將達到2.30億部,同比增長90% 。

TWS耳機小巧、輕便、無拘無束的產(chǎn)品特性促使其快速增長。同時,隨著相關解決方案的不斷成熟,TWS耳機在音質、連接穩(wěn)定性、傳輸延遲和功耗等用戶關心的產(chǎn)品力層面也在不斷提升。ANC主動降噪和AI語音助手的加入,也將耳機帶入更廣闊的應用空間。

與此同時,TWS耳機整體解決方案的成本也在不斷下降。從市場的整體趨勢來看,未來智能手機廠商將逐步以TWS耳機取代有線耳機。

目前市場上大多數(shù)TWS耳機均由耳機本體和充電倉兩部分構成。如下是其功能框圖:

TWS耳機應用框圖

豪威集團旗下韋爾半導體擁有電源管理器件、分立器件、音頻器件、信號鏈和射頻器件等多條產(chǎn)品線,能夠為TWS耳機提供超低功耗電源管理、MEMS麥克風、霍爾傳感器、系統(tǒng)保護、模擬開關等,如框圖中綠色部分所示,涵蓋一個TWS耳機解決方案中SoC以外的大部分產(chǎn)品。

下面對這些產(chǎn)品做一些深入的介紹。

MEMS麥克風


韋爾半導體提供適用于 ANC 降噪功能的MEMS麥克風產(chǎn)品 WMM7018ABSNA0,采用底部收音,2.75 x 1.85 x 0.90mm 的超小尺寸設計。其信噪比高達 65dB,能夠為 TWS 耳機提供靈敏的拾音和純凈的音質,可下沉至 20Hz 的平坦頻響設計,能夠帶來優(yōu)異的低頻特性,有利于多 MIC 匹配,也為后續(xù)的算法提供更多空間,進一步提升 TWS 耳機的主動降噪性能。此外,其聲學過載點(AOP)高達 130dBSPL,工作電流僅 92uA ,符合 TWS 耳機的寬輸入動態(tài)范圍和低功耗等要求。

為便于結構設計,韋爾還推出了與 WMM7018ABSNA0 同樣小尺寸封裝的頂部收音的降噪專用硅麥克風。其性能與 WMM7018ABSNA0 相當,頂進音的特點,簡化了用戶聲導管的設計,為整機結構設計帶來更大的靈活性。

低靜態(tài)電流 LDO

韋爾半導體在國內(nèi) LDO 市場有著非常好的市場占有率。為了滿足 TWS 耳機低功耗、小體積、輕量化等需求,推出靜態(tài)電流低、輸出精度高、封裝小的 WL2825D 和 WL2815D,非常適合 TWS 耳機等智能可穿戴設備。

其中,WL2825D 的靜態(tài)電流可低至 0.6uA ,能夠有效提高電能利用率,延長設備待機時間;±1% 的高輸出電壓精度,確保負載工作在理想的供電環(huán)境。其采用 DFN1X1-4L 封裝,尺寸小,熱阻低,通用性強,能夠滿足 TWS 耳機輕便小巧的需求。

除了 WL2825D, 韋爾半導體還有具備更高帶載能力的 WL2815D。其功耗稍高,價格更低,為側重性價比的客戶和應用提供了解決方案。提供 1.2~3.3V 多種輸出電壓版本,其封裝和 WL2825D 引腳兼容。

充電管理 IC

在耳機充電方面,韋爾半導體推出了高集成度充電管理 IC 解決方案 WS4538Q。其輸入耐壓高達 28V,充電電壓精度達 ±1%,可編程充電電流為 5~300mA,并具備熱管理功能。WS4538Q 同樣采用超緊湊的封裝,高度僅為 0.4mm,超小體積適合 TWS 耳機的空間需求。

此外,還有支持 1A 線性充電的 WS4508S,其采用 SOP-8L 封裝,具備低截止電流等特性,線性充電外圍電路簡單,紋波小,成本低,可以滿足大多數(shù)充電倉的性能需求,

過流保護負載開關(OCP)

在 TWS 耳機充電倉當中,出于系統(tǒng)對充放電的安全要求,適配器輸入口和 Pogo Pin 都需要過流保護。

韋爾半導體推出的過流保護負載開關(OCP) WS4612EAA-5/TR 具備較低的阻抗,在輸入電壓為 5V 時,正常的導通電阻僅為 60mΩ,可有效減少發(fā)熱。其采用業(yè)內(nèi)成熟的 SOT23-5L 通用封裝,能夠適配更多 TWS 耳機解決方案,并有利于保證供貨穩(wěn)定。

過壓保護負載開關(OVP)

為了給充電接口提供更好的保護,抑制高壓浪涌,高性能的過壓保護負載開關(OVP)也是必不可少的。

韋爾半導體推出的高性能過壓保護開關 WS3241C-12/TR 導通電阻僅 30mΩ(典型值),可以持續(xù)耐受高達 29V 的直流電壓。內(nèi)部集成浪涌泄放通路,抑制能力高達 100V。對于 TWS 耳機等便攜式電子產(chǎn)品的充電接口后端電路的兩大天敵“高壓”和“浪涌”,能夠起到有效的防護和抑制作用,從而大大降低產(chǎn)品市返率。

浪涌和 ESD 保護

TWS 耳機在日常使用中需要頻繁地進行取下、戴上等操作,對于其內(nèi)部的芯片產(chǎn)品來說,勢必面臨靜電考驗,需要采取相應的防護措施。

韋爾半導體為 TWS 耳機推出了全方位的 ESD 保護解決方案。

在充電倉側,韋爾半導體提供各種封裝的 TVS,滿足充電倉側重點防護位置 VBUS 的不同的浪涌需求。例如采用 DFN2020 封裝的 ESD56161D24,具有較低鉗位電壓(Vcl)和很高的脈沖峰值電流(IPP)。目前業(yè)內(nèi)對浪涌主流要求為 ±100V,同時要求滿足 DC16V 以上的直流耐壓。ESD56161D24 則能夠滿足高達 ±300V 的更為嚴苛的要求。

另有采用小尺寸 0201 封裝的 ESD54191CZ 可應用于 VBAT 及 POGO PIN,可兼顧浪涌和 ESD 綜合防護性能。

在耳機側,重點防護的位置是 VBAT、GPIO、POGO PIN,硅麥和 DC 電源。與充電倉的標準一樣,主流品牌的 ESD 需要滿足接觸放電 4KV,空氣放電 10KV 的要求。部分品牌要求滿足接觸 6KV,空氣 15KV 的高等級靜電防護要求。這對于超小尺寸的耳機設計提出了很大的挑戰(zhàn)。

韋爾半導體推出的 TVS 產(chǎn)品 ESD73111CZ 和 ESD73131CZ,采用 0201 小尺寸封裝,具超低鉗位電壓(低至 5.5V 和 6V),配合結構、電容、磁珠及 layout 的處理,可以迎接各種靜電挑戰(zhàn)。

MOSFET 產(chǎn)品

韋爾半導體擁有多元化 MOSFET 配置,提供單 N、單 P、雙 N 型 / 雙 P 型、共 Drain 等組合型式。具備封裝小、高速開關、低開啟門限電壓、大電流和高可靠性等特點,能夠充分滿足 TWS 耳機靈活多樣的架構要求,減小元件空間占用,有效利用 PCB 面積。小體積的高速信號開關 N 溝道 WNM2046E,具有封裝小、高可靠性等特點,可用于耳機系統(tǒng)的開關控制、通訊電路等。高速信號開關 P 溝道 WNM2092C,可用于耳機系統(tǒng)的負載控制和保護。鋰電池保護 MWNMD2171 作為保護電路的關鍵器件,其經(jīng)歷了嚴苛的測試驗證和市場檢驗。DFN2*2-6L 雙 P 溝道 WNMD2084 封裝緊湊、大電流、易操作,幫助客戶從容應對挑戰(zhàn)。

模擬開關

主流 TWS 耳機及充電倉多采取雙觸點接觸方式,充電倉為耳機充電以及與耳機實現(xiàn)通訊借助的是同一個觸點,需要功能切換。韋爾半導體推出的采用低 Ron 的雙路單刀雙擲開關 WAS4729QB,采用 QFN1418-10L 封裝,尺寸僅為 1.4mm x 1.8mm,占板面積小。其同時還具備邏輯控制簡單,電路穩(wěn)定可靠等優(yōu)點。

隨著 TWS 耳機的 SoC 方案不斷推陳出新,性能不斷進步,TWS 耳機成為未來便攜音頻設備的主流已經(jīng)是必然的趨勢。

豪威集團以強大的技術儲備和研發(fā)能力以及完備的產(chǎn)品線為 TWS 耳機提供一站式解決方案,滿足 TWS 耳機產(chǎn)品高集成度、超低功耗的要求,推動新一代 TWS 耳機在通訊、音質、續(xù)航等方面的用戶體驗不斷提升。

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原文標題:豪威集團提供“一站式”TWS耳機解決方案

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