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NOR閃存架構有怎樣的特點和優(yōu)勢?

我快閉嘴 ? 來源:半導體行業(yè)觀察 ? 作者:半導體行業(yè)觀察 ? 2020-09-28 16:19 ? 次閱讀
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隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的到來,海量的數(shù)據(jù)蜂擁而至。特別是各種應用終端和邊緣側需要處理的數(shù)據(jù)越來越多,而且對處理器的穩(wěn)定性,以及功耗提出了越來越高的要求,這樣,傳統(tǒng)的計算體系和架構的短板就顯得愈加突出,未來,具有更高效率和更低功耗的計算系統(tǒng)一定會大行其道。

在這樣的背景下,存算一體(Computing In Memory,內存內計算)AI芯片應運而生。目前,不少國際上的領先企業(yè)和研究機構正在致力于各種新型存儲器的研究,其中一個很大的驅動力就是希望能夠實現(xiàn)具有更高效率的存算一體系統(tǒng),而在這其中,AI的融入也是一大趨勢。這些使得計算+存儲+AI的融合發(fā)展成為了一大方向。

不僅是在國際上,最近幾年,我國本土的一些企業(yè)和科研院所也在致力于這方面的研究工作。就在上周,合肥恒爍半導體科技公司與中國科大團隊歷時兩年共同研發(fā)的基于NOR閃存架構的存算一體AI芯片系統(tǒng)演示順利完成。這是國際領先的超低功耗存算一體的人工智能芯片。據(jù)悉,該芯片是一款具有邊緣計算和推理能力的AI芯片,能實時檢測通過攝像頭拍攝的人臉頭像并給出計算概率,可廣泛應用于森林防火中的人臉識別與救援、心電圖的實時監(jiān)測、人工智能在人臉識別上的硬件解決方案等。

這也是我國本土企業(yè)在基于NOR閃存架構的存算一體AI芯片領域的又一次突破,實際上,在該領域,恒爍半導體并不是唯一一家,還有其它一些企業(yè)也在進行著基于NOR閃存架構的低功耗AI芯片的研究工作。那么,作為一種傳統(tǒng)的、非前沿的存儲技術,NOR閃存架構有怎樣的特點和優(yōu)勢,能夠使得這些企業(yè)對其投入資源和人力,進行相應的低功耗AI芯片和系統(tǒng)研發(fā)呢?

存算一體的優(yōu)勢

在談基于NOR閃存架構AI芯片的特點和優(yōu)勢之前,先來看一下存算一體芯片的優(yōu)勢及其能夠解決的主要問題。

目前來看,不論是PC還是超算,處理器和存儲芯片都是分離的,這就是馮諾依曼50多年前確立的計算架構。隨著技術的發(fā)展,存儲計算分離的架構瓶頸越來越明顯。

一般芯片的設計思路是增加大量的并行計算單元,比如上千個AI卷積單元,這樣,需要調用的存儲資源也在增大,然而,在傳統(tǒng)的計算架構當中,存儲一直是有限且稀缺的資源,隨著運算單元的增加,每個單元能夠使用的存儲器的帶寬和大小將逐漸減小,而隨著人工智能時代的到來,這種矛盾顯得愈加突出,特別是對于物聯(lián)網(wǎng)來說,網(wǎng)絡的每一層,現(xiàn)有權重和每個AI訓練示例的元素都被加載到處理器的寄存器中,然后相乘,并將結果寫回到存儲器中。這樣,性能瓶頸就不是在計算一側了,而是處理器和存儲器陣列之間的帶寬。存儲器和處理器之間的這種分離是馮·諾依曼架構的定義特征之一,并且存在于幾乎所有現(xiàn)代計算系統(tǒng)中。

這種“存儲墻”的高起正在阻礙著AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,可以說,存儲器是AI芯片發(fā)展的最大瓶頸。

在很多AI推理運算中,90%以上的運算資源都消耗在數(shù)據(jù)搬運的過程中。芯片內部到外部的帶寬,以及片上緩存空間限制了運算的效率。因此,在業(yè)界和學術界,越來越多的人認為存算一體化是未來的趨勢,可以很好地解決“存儲墻”問題。

如果能夠讓計算和內存更緊密地結合在一起,甚至是在內存內進行計算,就可以大幅提升數(shù)據(jù)的傳輸效率,同時節(jié)省更多的電能,因為在內存和計算之間不再需要往返太多次數(shù),一切處理過程都再同一芯片內完成了。

分類

為了應對物聯(lián)網(wǎng)以及存算一體的應用需求,各種新型的、傳統(tǒng)的存儲技術和器件紛紛登場,想在這些新興應用方面盡量地施展出自己的才華。

過去50年中,SRAM、DRAM和Flash已經(jīng)成為存儲器的主力,這些存儲結構在往更小的幾何結構微縮的過程中都存在問題,很重要的原因在于它們都是平面結構,而新的存儲技術,如基于電阻開關的存儲技術是金屬層結構,消除了許多制造問題。然而,由于DRAM和Flash技術已經(jīng)非常成熟,成本又很低。所以,它們在存算一體方面依然有獨到的優(yōu)勢,也正在被一些企業(yè)所采用

目前來看,新型的存儲技術主要包括相變存儲器(PCM)、鐵電存儲器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM或 ReRAM)、自旋轉移力矩RAM(STT-RAM)、導電橋RAM(CBRAM),以及氧化物電阻存儲器(OxRAM)等?;谶@些的存算一體研究或多或少地都在進行著,相應的成果也經(jīng)常見諸于報端。以上這些都是新技術,目前來看,它們的主要問題就是成本,以及生態(tài)系統(tǒng)的完整度,還需要一些發(fā)展時間才能成氣候。

而從存儲與計算的結合方式來看,存算一體又可以分為兩大類:一是在DRAM中植入邏輯計算單元,被稱為內存內處理或者近數(shù)據(jù)計算,這種方式非常適合云端的大數(shù)據(jù)和神經(jīng)網(wǎng)絡訓練等應用;二是存儲和計算完全結合在一起,存儲器件也即計算單元,如采用基于NOR閃存架構的存算一體AI芯片,其主要特點是能耗低、運算效率高、速度快且成本低,這種形式比較適合邊緣側的神經(jīng)網(wǎng)絡推理等應用。

NOR閃存架構的優(yōu)勢

基于NOR閃存架構的存算一體AI芯片,利用NOR Flash的模擬特性,可直接在存儲單元內進行全精度矩陣卷積運算(乘加運算)。規(guī)避了數(shù)據(jù)在ALU和存儲器之間來回傳輸?shù)钠款i,從而使功耗大幅降低、提高了運算效率。

其Flash存儲單元可以存儲神經(jīng)網(wǎng)絡的權重參數(shù),同時還可以完成和此權重相關的乘加法運算,從而將乘加法運算和存儲融合到了一個Flash單元里面。例如,100萬個Flash單元可以存儲100萬個權重參數(shù),同時還可以并行完成100萬次乘加法運算。

在這樣的芯片里面,深度學習網(wǎng)絡可以被映射到多個Flash陣列,這些Flash陣列不僅可以存儲數(shù)據(jù),其深度學習網(wǎng)絡同時還能完成AI推理,注意,這個過程是不需要額外邏輯計算電路的,一切處理都在這一塊芯片內完成。相比于傳統(tǒng)的馮諾依曼架構深度學習芯片,這種的運算效率非常高,而且成本低廉,因為省去了DRAM、SRAM以及片上并行計算單元,從而簡化了系統(tǒng)設計。

目前來看,這種基于NOR閃存架構的存算一體AI芯片,其主要應用領域就是對成本和運算效率(特別是功耗)敏感的應用,如邊緣側的低功耗、低成本語音識別等。而隨著人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,它還可以拓展更多的應用場景。

結語

無論是新型存儲技術,還是以NOR閃存為代表的老牌技術,在發(fā)展存算一體AI芯片方面,都需要不斷完善生態(tài)系統(tǒng)建設,才能使整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展起來。

因此,除了存儲和計算技術本身之外,行業(yè)相關的接口標準跟進特別重要,特別是對于以存儲為基礎的新型應用來說,更加重要。另外,由于芯片內部集中了越來越多的功能塊,片內總線和片內網(wǎng)絡系統(tǒng)成為了一個新的課題,目前,這方面的研究和新技術越來越受到業(yè)界的重視,新的技術和IP也陸續(xù)推出。
責任編輯:tzh

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