而據(jù)我們所知，在過(guò)去的五年中，Arm Research團(tuán)隊(duì)一直在努力開(kāi)發(fā)基于相關(guān)電子材料（CeRAM）的新型非易失性存儲(chǔ)器。為了集中精力在半導(dǎo)體市場(chǎng)上，它將把其所有相關(guān)IP轉(zhuǎn)移給Arm分拆公司Cerfe Labs，而Arm也獲得了該公司的部分股權(quán)。

作為交易的一部分，Arm將把其超過(guò)150個(gè)專(zhuān)利家族的完整CeRAM IP產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)讓給Cerfe Labs，這將成為相關(guān)CeRAM技術(shù)路線圖的基礎(chǔ)。Cerfe Labs將依次致力于開(kāi)發(fā)和許可基于CeRAM和鐵電晶體管（FeFET）的新型非易失性存儲(chǔ)器。

什么是CeRAM

在過(guò)去的十年中，業(yè)界一直在尋求開(kāi)發(fā)電阻式RAM（RRAM），因?yàn)槠涔牡颓以L問(wèn)延遲小。在這一發(fā)展過(guò)程中，研究人員轉(zhuǎn)向使用諸如NiO之類(lèi)的過(guò)渡金屬氧化物（Transition metal oxide ：TMO），其中的“filaments”在較高的“electroforming”電壓和電流下生長(zhǎng)。

存儲(chǔ)方案涉及電極之間這些filament的連接和斷開(kāi)。

另一方面，CeRAM是一種使用TMO且沒(méi)有filament和electroforming的電阻式存儲(chǔ)器。該技術(shù)利用了TMO具有不完整的3D或4D原子殼（atomic shells）的事實(shí)，這些殼經(jīng)歷了量子相變，涉及由電場(chǎng)或電壓引起的化合價(jià)變化。

在實(shí)際生長(zhǎng)中，我們可以看到，通過(guò)采用適當(dāng)?shù)膿诫s技術(shù)清除NiO，可以獲得導(dǎo)電的NiO，該導(dǎo)電的NiO可以在其電絕緣狀態(tài)和導(dǎo)電狀態(tài)之間進(jìn)行非?？焖?，可逆的非易失性體轉(zhuǎn)變。過(guò)去，這些轉(zhuǎn)換僅在高壓和高溫下才有可能，但現(xiàn)在可以在室溫下以低開(kāi)關(guān)電壓和低電流實(shí)現(xiàn)。操作的關(guān)鍵是可逆的金屬到絕緣體的過(guò)渡（MIT），其根源于Nevill Mott爵士和John Hubbard的工作。

CeRAM操作的一個(gè)獨(dú)特功能是其單點(diǎn)氧化和還原（意味著電子的損失和增益）。對(duì)于CeRAM的活性材料，氧化和還原是通過(guò)量子隧穿效應(yīng)在相同的鎳離子位點(diǎn)發(fā)生的。從那時(shí)起，對(duì)正在發(fā)生的事情的解釋變得極為復(fù)雜，并且依賴于那些用于處理單晶電子產(chǎn)品的效果所不熟悉的效果。

對(duì)于NiO，需要0.6 V的電壓來(lái)寫(xiě)入絕緣狀態(tài)，而需要1.2 V的電壓來(lái)寫(xiě)入導(dǎo)電狀態(tài)。對(duì)于RRAM來(lái)說(shuō)，這是一種很有前途的技術(shù)，因?yàn)樗峁└哌_(dá)10飛秒的讀取速度和0.1 V至0.2V的讀取電壓，使其成為一種非常快速且低功耗的技術(shù)。

什么是FeFET

FeFET是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以用作非易失性存儲(chǔ)器的一種形式。

該晶體管本身的布局與標(biāo)準(zhǔn)MOSFET非常相似：它是具有柵極，漏極和源極的三端MOS器件。不同之處在于，F(xiàn)eFET包括位于器件的柵極和源極-漏極導(dǎo)電區(qū)之間的鐵電材料。

通過(guò)向器件的柵極施加電場(chǎng)，它會(huì)在鐵電材料中產(chǎn)生永久性的電場(chǎng)極化。這樣的結(jié)果是即使斷電，設(shè)備也可以保持狀態(tài)并保持狀態(tài)。

它為非易失性存儲(chǔ)器提供了一個(gè)有希望的選擇，因?yàn)樗cMOSFET的相似性使其易于理解并與許多現(xiàn)有CMOS技術(shù)兼容。
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