一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于晶體管的發(fā)明歷史

中科院半導體所 ? 來源:中科院半導體所 ? 作者:中科院半導體所 ? 2020-10-10 10:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

著名的諾貝爾獎從1901年第一次頒獎至今,已近120年的歷史。(John Bardeen,1908 – 1991),是一位美國物理學家。

兩獲諾獎

巴丁的父親是一名教授,但是年輕的巴丁并不想像父親一樣成為學者,于是他大學時就讀于電機系而非物理系。巴丁畢業(yè)時,正值1930年美國經(jīng)濟大蕭條時代,他向AT&T(American Telephone & Telegraph,美國電話電報公司)發(fā)送的工作申請沒有通過,于是便接受了海灣石油公司的聘用,并在那里出色地工作了4年。

盡管他的初衷是偏向?qū)嵱?,但終歸還是因為對物理和數(shù)學的濃厚興趣放棄了工資優(yōu)厚的工作,到普林斯頓大學攻讀物理博士學位。巴丁在普林斯頓師從著名的匈牙利裔理論物理學家及數(shù)學家尤金·維格納(Eugene Wigner,1902-1995),滿足了自己的求知欲。

巴丁的兩項諾獎成就,都不是物理概念意義上的重大革命,但卻引發(fā)了(或即將引發(fā))對現(xiàn)代文明社會最重要的科學革命:晶體管的發(fā)明引發(fā)了計算機革命及信息革命,而革命性的超導研究如今仍然是物理界的熱門課題。

1956年尋常的一天。早上7點,巴丁正在給家人做煎雞蛋。女兒貝特茜和兒子比爾突然沖進廚房,大喊“爸爸獲得了諾貝爾獎!”原來他們剛聽到新聞報道,巴丁和過去貝爾實驗室的同事威廉·肖克利(William Shockley,1910-1989)、沃爾特·布拉頓(Walter Brattain,1902-1987)三人,共同獲得了1956年諾貝爾物理學獎。聽到這一消息,巴丁手里的平底鍋“啪”地一聲掉到了地上,鍋里的東西撒了一地。

“我懷疑委員會中的很多人都不確信晶體管這項技術(shù)值得這個獎,我自己也感到懷疑?!焙髞恚诮o朋友的信中,48歲的巴丁如此寫道。

這次讓巴丁感覺“意料之外”的諾獎,是9年前他們發(fā)明的世界上第一支晶體管。當時,貝爾實驗室的這三名研究人員,擔心他們的發(fā)現(xiàn)只是偶然成功,經(jīng)過一周時間的反復驗證后才向領(lǐng)導匯報并進行了演示。然而,巴丁不久后便遭到肖克利的排擠,在1951年轉(zhuǎn)到了伊利諾伊大學香檳分校任教。

那時的巴丁正在緊張地研究他的BCS超導理論,差不多已經(jīng)到了最后沖刺的階段。這個理論最后讓他又贏得了1972年的諾貝爾物理學獎。

圖25-2:巴丁的兩次諾貝爾物理獎

巴丁的這兩次諾貝爾獎,第一次主要是技術(shù)發(fā)明,第二次是基礎(chǔ)理論。作為一位物理學家,固然更看重自己的理論功夫。然而,如今看來,讓巴丁榮獲第一次諾獎的那個小小的晶體管發(fā)明,對人類文明社會的巨大貢獻,怎么夸贊都不過分。

發(fā)明晶體管

二戰(zhàn)勝利之后的美國,經(jīng)濟迅速發(fā)展。戰(zhàn)爭中的許多研究成果,包括原子彈、微波、電子等技術(shù)的研發(fā),都對工業(yè)及各個科學領(lǐng)域有極大的正面影響。引導了美國開展各種產(chǎn)業(yè),形成一股強大的動力,一直延續(xù)至今,幾十年未衰。

前幾篇文章中描述的二戰(zhàn)后幾次物理會議(謝爾特島會議、波科諾會議、紐約Oldstone會議),促成了量子場論(量子電動力學)的建立和發(fā)展。與此同時,科學家們不僅關(guān)注理論,也重視其實用價值。甚至在戰(zhàn)爭尚未終止時,美國政府就加強了對半導體材料的研究。1945年夏天,貝爾實驗室正式制定了一個龐大的研究計劃:決定以固體物理為主要研究方向。那時候,半導體整流器已經(jīng)是成熟的裝置,人們希望能用半導體制造晶體管,再組成放大器,以開拓電子技術(shù)的新領(lǐng)域。

1945年的十月,巴丁加入到貝爾實驗室的肖克利小組,參與研究開發(fā)制造晶體管的項目。這個小組還有另外兩位美國物理學家:課題負責人威廉·肖克利和另一位同事沃爾特·布拉頓[1]。

這三人可謂珠聯(lián)璧合:肖克利是生于倫敦的美國人,MIT(麻省理工學院)畢業(yè)研究半導體的物理博士,當時已經(jīng)在PN結(jié)研究及策劃制造晶體管領(lǐng)域奮斗數(shù)年,布拉頓是實驗高手,而巴丁是理論天才。

對晶體管的課題,肖克利原來有些想法,但和布拉頓一起進行的幾次實驗都失敗了。擅長理論計算的巴丁潛心研究了這個問題,發(fā)現(xiàn)電場無法穿越半導體的原因可能是受到金屬片屏蔽。他進而提出了固體的表面態(tài)和表面能級的概念。巴丁猜想半導體物質(zhì)的表面存在著一種機制,能激發(fā)出一種可防止自身被外場貫穿的特殊狀態(tài)。這些工作涉及到半導體、導線和電解質(zhì)之間的點接觸,于是小組將研究重點改為材料的表面狀態(tài)。到1946年冬,他們的研究工作向前邁進了一大步,并且也產(chǎn)出了幾篇論文[2,3]。

經(jīng)過巴丁的再次計算,他們決定制造“點接觸晶體管”。在隨后的多次試驗中他們發(fā)現(xiàn):鍺半導體上兩根金屬絲的接觸點靠得越近,就越有可能引起電流的放大。這需要在晶體表面安置兩個大約相距只有5×10-3厘米的觸點。

布拉頓有信心克服這最后一道難關(guān),他找來一塊三角形的厚塑料版,從尖尖的頂角朝三角形的兩邊貼上了一片金箔,又小心仔細地用鋒利的刀片在頂角的金箔上劃了一道細痕,然后將三角塑料版用彈簧壓緊在半導體鍺的表面上。最后,將一分為二的金箔兩邊分別接上導線,作為發(fā)射極和集電極。加之金屬基底引出的基極,總共三條線,將它們分別接到了適當?shù)?a target="_blank">電源和線路上。

圖25-3:點接觸晶體管

1947年12月16日,他們終于觀察到兩個觸點間的電壓增益為100倍的數(shù)量級,第一個晶體管就此誕生了!從圖25-3中可見,這個劃時代的發(fā)明——“三條腿的魔術(shù)師”原始而笨拙,顯得不是那么漂亮。

但很快地,巴丁、布拉頓與肖克利之間,發(fā)生了一些不愉快的糾葛。一個月之后,肖克利自己又發(fā)明了一種全新的、能穩(wěn)定工作的“P-N結(jié)型晶體管”??傊?,晶體管的發(fā)明成為人類微電子革命的先聲,也使得三人后來共同獲得了1956年諾貝爾物理學獎。

但在肖克利對兩人研究工作無理的限制和打壓下,三人分道揚鑣:巴丁1951年接受了伊利諾伊大學香檳分校的教職,轉(zhuǎn)向他很早就想做的超導研究。布拉頓留守貝爾實驗室,但轉(zhuǎn)到了另外的部門。再后來,肖克利自己到加州創(chuàng)建硅谷,招聘人才,在硅谷點燃了晶體管發(fā)明的人類文明之火!

BCS超導理論

從1950年開始,巴丁開始考慮超導問題,攀向另一個科學高峰。超導現(xiàn)象指的是一些導體的電阻在溫度下降接近絕對零度時會突然消失成為沒有電阻的超導體的奇特現(xiàn)象。

眾所周知,材料在導電過程中會消耗能量,表現(xiàn)為材料的電阻。電阻越大,消耗能量越多。一般而言,電阻隨著環(huán)境溫度的降低而減小。1911年,荷蘭物理學家??恕ぐ簝?nèi)斯(Heike Onnes,1853-1926)發(fā)現(xiàn)水銀樣品以及其他的一些金屬,在低溫(4K左右)時電阻消失等于0,這被稱為超導現(xiàn)象。昂內(nèi)斯因此獲得了1913 年的諾貝爾物理學獎。

圖25-4:超導基本特性

超導的應(yīng)用領(lǐng)域包括:醫(yī)院里的核磁共振成像、加速器、磁懸浮以及核聚變研究等。低溫超導的第一個理論是1935年弗里茨·倫敦(Fritz London,1900-1954)和海因茨·倫敦(Heinz London,1907-1970)兩兄弟提出的倫敦方程。后來,前蘇聯(lián)物理學家朗道(Lev Davidovich Landau,1908-1968)和金茨堡(Vitaly Lazarevich Ginzburg,1916-2009),以朗道的二級相變(Second order phase transition)和對稱破缺理論(Broken-symmetry)為基礎(chǔ),導出了著名的金茨堡-朗道方程(Ginzburg–Landau theory),成功地計算出了超導體的許多特性[4]。朗道因車禍1962年在病房中被授予諾貝爾物理學獎;之后,金茨堡于87歲高齡被授予2003年的諾貝爾物理學獎。

巴丁的研究偏向超導現(xiàn)象的微觀物理機制。到了伊利諾伊大學香檳分校幾年后,巴丁和利昂·庫珀(Leon Cooper,1930-)、約翰·施里弗(John Robert Schrieffer,1931-2019)三人提出了以他們名字第一個字母命名的BCS理論[5],解釋了超導現(xiàn)象的微觀機理,之后這個理論被稱為是超導現(xiàn)象的常規(guī)解釋。BCS理論認為:靠晶格振動,即聲子的耦合,使自旋和動量都相反的兩個電子組成動量為零、總自旋為零的庫珀對。電子是費米子,而兩個電子組成的庫珀對則可以是玻色子,低溫下能形成玻色-愛因斯坦凝聚(Bose–Einstein condensate)而集聚成超導大電流。學界認為,BSC理論基本解釋了低溫下的超導現(xiàn)象,三位學者也因此而獲得1972年的諾貝爾物理學獎。

電子間的直接相互作用是相互排斥的庫侖力。如果僅僅存在庫侖力直接作用的話,電子不能形成配對。但BCS理論認為,電子間還存在以晶格振動(聲子)為媒介的間接相互作用。電子聲子間的這種相互作用在滿足一定條件時,可以是相互吸引的,正是這種吸引作用導致了“庫珀對”的產(chǎn)生。在很低的溫度下,庫珀對的結(jié)合能可能高于晶格原子振動的能量。這樣,電子對將不會和晶格發(fā)生能量交換,也就沒有了電阻,形成所謂的“超導”。

責任編輯:YYX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28901

    瀏覽量

    237627
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10019

    瀏覽量

    141619

原文標題:晶體管發(fā)明人曾在實驗室受排擠,但沒人能阻止他兩獲諾獎 | 量子群英傳

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    關(guān)于晶體管的詳細解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導體材料(如硅、鍺)的特性,通過輸入信號(電流或電壓)控制輸出電流,實現(xiàn)信號放大或電路通斷。 ?
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?671次閱讀

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進制邏輯運算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優(yōu)勢比較

    如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管性能的一些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查晶體管
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?1158次閱讀

    晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數(shù)字電路中的作用

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 :
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:46 ?1682次閱讀

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1018次閱讀

    達林頓晶體管概述和作用

    結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)通過級聯(lián)多個晶體管,實現(xiàn)了更高的電流增益和更廣泛的應(yīng)用場景。達林頓晶體管最早由英國物理學家吉姆·達林頓(或稱為悉尼·達靈頓,具體名字可能因資料不同而有所差異)在1953年發(fā)明,并因此得名。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 15:42 ?1782次閱讀

    晶體管的輸出特性是什么

    晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號、電源電壓、溫度以及
    的頭像 發(fā)表于 09-24 17:59 ?1745次閱讀

    晶體管的基本工作模式

    晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性,通過控制輸入電壓或電流來實現(xiàn)對輸出電流的控制。下面將詳
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:40 ?1900次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?7779次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?4001次閱讀

    GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:16 ?1757次閱讀

    晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么

    晶體管是一種半導體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流,來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。晶體管
    的頭像 發(fā)表于 07-18 18:15 ?2937次閱讀

    NPN晶體管的電位關(guān)系

    NPN晶體管是一種常用的半導體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。 NPN晶體管的基本原理 NPN晶體管是一種雙極型晶體管,由N型半導體和P型半導體交替排列而成。它有三個引腳:基極(B)、集電
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:39 ?3781次閱讀

    芯片中的晶體管是怎么工作的

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們是構(gòu)建集成電路(IC)和微處理器的基礎(chǔ)。晶體管的工作原理涉及到半導體材料的電子特性,以及如何通過控制電流來實現(xiàn)開關(guān)功能。 歷史背景 晶體管
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:58 ?2203次閱讀