一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式順利舉行

華大半導(dǎo)體有限公司 ? 來(lái)源:華大半導(dǎo)體有限公司 ? 作者:華大半導(dǎo)體有限公 ? 2020-10-10 15:37 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,由華大半導(dǎo)體和復(fù)旦大學(xué)共建的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲、上海市科委、復(fù)旦大學(xué)和華大半導(dǎo)體等相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)出席了揭牌儀式并致辭,來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的專家以及復(fù)旦工程與應(yīng)用技術(shù)研究院、信息科學(xué)與工程學(xué)院等單位的師生共同出席了揭牌儀式。

上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心的建立,將聚焦碳化硅功率器件技術(shù)的研發(fā)及應(yīng)用,協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈上下游,讓高校和企業(yè)之間的科研合作更加深度融合,強(qiáng)化開(kāi)放平臺(tái)建設(shè),從而促進(jìn)人才培養(yǎng)并引領(lǐng)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展。華大半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理李建軍表示,華大半導(dǎo)體和復(fù)旦大學(xué)在碳化硅方面已經(jīng)開(kāi)展了卓越有效的合作,目前已經(jīng)完成了碳化硅二極管工藝開(kāi)發(fā),碳化硅MOS工藝和器件也在開(kāi)發(fā)中。期待雙方的合作為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出貢獻(xiàn),共同打造中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)高地。

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:華大半導(dǎo)體·復(fù)旦大學(xué)共建 上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心儀式隆重舉行

文章出處:【微信公眾號(hào):華大半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    9

    瀏覽量

    8295
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3066

    瀏覽量

    50487
  • 華大半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    83

    瀏覽量

    30440

原文標(biāo)題:華大半導(dǎo)體·復(fù)旦大學(xué)共建 上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心儀式隆重舉行

文章出處:【微信號(hào):HDSC_semiconductor,微信公眾號(hào):華大半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?568次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?661次閱讀

    鴻利顯示榮獲“廣東省Mini LED新型顯示工程技術(shù)研究中心”認(rèn)定

    日前,廣東省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布了關(guān)于擬認(rèn)定2024年度廣東省工程技術(shù)研究中心名單的公示,鴻利智匯集團(tuán)旗下子公司廣州市鴻利顯示電子有限公司(鴻利顯示)榮獲“廣東省Mini LED新型顯示工程技術(shù)研究中心
    的頭像 發(fā)表于 02-22 13:45 ?740次閱讀

    優(yōu)艾智合獲批廣東省復(fù)合協(xié)作機(jī)器人工程技術(shù)研究中心

    近日,廣東省科技廳公示2024年度廣東省工程技術(shù)研究中心名單,經(jīng)過(guò)專家評(píng)審和網(wǎng)上公示,優(yōu)艾智合憑借在移動(dòng)操作機(jī)器人領(lǐng)域的研發(fā)創(chuàng)新實(shí)力獲得“廣東省復(fù)合協(xié)作機(jī)器人工程技術(shù)研究中心”認(rèn)定。 ? 廣東省
    的頭像 發(fā)表于 02-20 18:01 ?363次閱讀

    珠海泰芯半導(dǎo)體入選2024年度廣東省工程技術(shù)研究中心

    近日,廣東省科學(xué)技術(shù)廳正式公示了2024年度擬認(rèn)定的廣東省工程技術(shù)研究中心名單,其中,依托珠海泰芯半導(dǎo)體有限公司所建立的“廣東省遠(yuǎn)距離低功耗WiFi芯片共創(chuàng)技術(shù)研究中心”赫然在列,這一殊榮不僅彰顯了珠海泰芯半導(dǎo)體在無(wú)線通訊科技創(chuàng)
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:24 ?438次閱讀

    曦華科技榮獲2024年度廣東省工程技術(shù)研究中心認(rèn)定

    近日,廣東省科學(xué)技術(shù)廳對(duì)2024年度認(rèn)定的廣東省工程技術(shù)研究中心予以公示,曦華科技憑借技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)實(shí)力,認(rèn)定確立為“廣東省智能感知與計(jì)算控制芯片設(shè)計(jì)工程技術(shù)研究中心”。這不僅是對(duì)曦華
    的頭像 發(fā)表于 02-14 09:53 ?484次閱讀

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?646次閱讀

    森源電氣子公司華盛隆源“智能電網(wǎng)設(shè)備工程技術(shù)研究中心”獲省級(jí)認(rèn)定

    喜 訊? : 華盛隆源獲河南省工程技術(shù)研究中心認(rèn)定? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 近日,河南省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布《關(guān)于認(rèn)定建設(shè)2024
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:59 ?724次閱讀

    國(guó)星光電獲評(píng)禪城區(qū)智能光電子器件工程技術(shù)研究中心

    近日,佛山市禪城區(qū)經(jīng)濟(jì)和科技促進(jìn)局公布了《2024年度禪城區(qū)工程技術(shù)研究中心認(rèn)定名單》及《2024年禪城區(qū)科技創(chuàng)新聯(lián)合體創(chuàng)建示范單位名單》,國(guó)星光電獲評(píng)“禪城區(qū)智能光電子器件工程技術(shù)研究中心”、“禪城區(qū)科技創(chuàng)新聯(lián)合體創(chuàng)建示范單位
    的頭像 發(fā)表于 01-10 14:20 ?544次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1272次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1444次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1167次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?1173次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢(shì)

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?1321次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和分類