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低噪聲運算放大器LMR1802G-LB及USB_2.0高速PCB設計要點

454398 ? 來源:alpha007 ? 作者:alpha007 ? 2022-12-06 15:43 ? 次閱讀
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運算放大器“LMR1802G-LB”簡介:

近年來,隨著IoT的普及,為實現(xiàn)更高性能并進行高級控制,包括移動設備在內,汽車、工業(yè)設備等所有應用中均搭載了諸多傳感器。傳感器是將各種環(huán)境、物理變化轉換為信號元器件,要求具備高精度,而同時在節(jié)能化(省電化)的大趨勢下,傳感器外圍電路的電壓呈日益降低趨勢。

LMR1802G-LB融合ROHM的“電路設計”、“工藝”、“布局”三大模擬技術優(yōu)勢開發(fā)而成,是一款等效輸入電壓噪聲密度(以下簡稱“噪聲性能”)僅為市場流通產(chǎn)品(以下簡稱“傳統(tǒng)產(chǎn)品”)的1/2左右(1kHz 時2.9nV/√Hz,10Hz 時7.8nV/√Hz)、低噪聲性能具有絕對優(yōu)勢、傳感器信號檢測性能顯著提升的運算放大器。另外,與低噪聲性能呈矛盾關系的相位裕量和容性負載驅動也分別實現(xiàn)了業(yè)界頂級性能(相位裕量68°,容性負載500pF),還是一款具備業(yè)界頂級的低噪聲性能,并具有卓越的穩(wěn)定性(不易振蕩,易于操作)的運放產(chǎn)品。這使得準確地放大僅幾μV的電壓也成為可能,非常有助于促進需要高精度感測的工業(yè)設備以及家電發(fā)展。

ROHM通過發(fā)揮模擬設計技術和獨有的工藝等垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制優(yōu)勢,去年面向車載市場開發(fā)出超強抗噪聲(抗外部噪聲性能優(yōu)異)運算放大器,此次則面向工業(yè)設備及家電等領域開發(fā)出業(yè)界頂級的低噪聲(電子電路產(chǎn)生的噪聲少)運算放大器。

<特點>

1.低噪聲且更易用,業(yè)界頂級性能的低噪聲CMOS運算放大器

新產(chǎn)品作為融合ROHM的“電路設計(差分輸入級新電路)”、“布局(多年積累的模擬布局)”、“工藝(為了低噪聲而優(yōu)化)”三大模擬技術優(yōu)勢開發(fā)而成的低噪聲CMOS運算放大器,等效輸入電壓噪聲密度實現(xiàn)1kHz 時2.9nV/√Hz、10Hz 時7.8nV/√Hz,與市場流通品相比,噪聲量僅為1/2左右,低噪聲性能具有絕對優(yōu)勢。

另外,以往在追求運算放大器的低噪聲性能時,存在相位裕量和容性負載特性惡化、容易振蕩等電路設計方面的難題。而ROHM通過在運算放大器的差分輸入級采用新電路,不僅實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低噪聲性能,還同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的68°相位裕量和500pF容性負載驅動。

這使得傳感器信號檢測性能顯著提升(例如提高至傳統(tǒng)產(chǎn)品的2倍等),僅幾μV的電壓也可準確地放大,非常有助于以“高精度”為關鍵詞的搭載傳感器的設備實現(xiàn)更高性能。

2.引發(fā)誤差的輸入失調電壓和輸入偏置電流也力求極小化

運算放大器當輸入電壓為0V時輸出電壓應為0V,不過因其結構方面的原因將產(chǎn)生失調電壓而出現(xiàn)誤差。另外,當傳感器輸出的阻抗較高時,如果運算放大器的輸入偏置電流較大,則將影響到傳感器輸出電壓。這兩個特性作為導致運算放大器誤差的主要因素,要求其值要盡量小。

新產(chǎn)品的輸入失調電壓僅為450μV(傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/4),輸入偏置電流僅為0.5pA(傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/2),從減少誤差的角度看也可實現(xiàn)高精度放大。

USB_2.0簡介:

USB 通用串行總線(Universal Serial Bus),目前我們所說的 USB 一般都是指 USB2.0,USB2.0 接口是目前許多高速數(shù)據(jù)傳輸設備的首選接口,從 1.1 過渡到 2.O,作為其重要指標的設備傳輸速度,從 1.5 Mbps 的低速和 12 Mbps 的全速,提高到如今的 480 Mbps 的高速。USB 的特點不用多說大家也知道就是:速度快、功耗低、支持即插即用、使用安裝方便。正是因為其以上優(yōu)點現(xiàn)在很多視頻設備也都采用 USB 傳輸。

USB2.0 設備高速數(shù)據(jù)傳輸 PCB 板設計。對于高速數(shù)據(jù)傳輸 PCB 板設計最主要的就是差分信號線設計,設計好壞關乎整個設備能否正常運行。

USB2.0 接口差分信號線設計

USB2.0 協(xié)議定義由兩根差分信號線(D、D-)傳輸高速數(shù)字信號,最高的傳輸速率為 480 Mbps。差分信號線上的差分電壓為 400 mV,理想的差分阻抗(Zdiff)為 90(1±O.1)Ω。在設計 PCB 板時,控制差分信號線的差分阻抗對高速數(shù)字信號的完整性是非常重要的,因為差分 阻抗影響差分信號的眼圖、信號帶寬、信號抖動和信號線上的干擾電壓。由于不同軟件測量存在一定偏差,所以一般我們都是要求控制在 80Ω 至 100Ω 間。

差分線由兩根平行繪制在PCB 板表層(頂層或底層)發(fā)生邊緣耦合效應的微帶線(Microstrip)組成的,其阻抗由兩根微帶線的阻抗及其和決定,而微帶線的阻抗(Zo)由微帶線線寬(W)、微帶線走線的銅皮厚度(T)、微帶線到最近參考平面的距離(H)以及 PCB 板材料的介電常數(shù)(Er)決定,其計算公式 為:Zo={87/sqrt(Er 1.41)]}ln[5.98H/(0.8W T)]。影響差分線阻抗的主要參數(shù)為微帶線阻抗和兩根微帶線的線間距(S)。當兩根微帶線的線間距增加時,差分線的耦合效應減弱,差分阻抗增大;線間距減 少時,差分線的耦合效應增強,差分阻抗減小。差分線阻抗的計算公式為:Zdiff=2Zo(1-0.48exp(-0.96S/H))。當 W=16mil,S=7mil時,Zdiff=87Ω。但通過上述公式來推導合適的走線尺寸的計算過程比較復雜,借助 PCB 阻抗控制設計軟件 Polar 可 以很方便的得到合適的結果,由 Polar 可以得到當 W=11mil,S=5mil 時,Zdiff=92.2Ω。

在繪制 USB2.O 設備接口差分線時,應注意以下幾點要求:

在元件布局時,應將USB2.O 芯片放置在離地層最近的信號層,并盡量靠近 USB 插座,縮短差分 線走線距離。

差分線上不應加磁珠或者電容等濾波措施,否則會嚴重影響差分線的阻抗。

如果 USB2.O 接口芯片需串聯(lián)端電阻或者 D 線接上拉電阻時,務必將這些電阻盡可能的靠近芯片放置。

將 USB2.O 差分信號線布在離地層最近的信號層。

在繪制 PCB 板上其他信號線之前,應完成 USB2.0 差分線和其他差分線的布線。

保持 USB2.O 差分線下端地層完整性,如果分割差分線下端的地層,會造成差分線阻抗的不連續(xù)性,并會增加外部噪聲對差分線的影響。

在 USB2.0 差分線的布線過程中,應避免在差分線上放置過孔(via),過孔會造成差分線阻抗失調。如果必須要通過放置過孔才能完成差 分線的布線,那么應盡量使用小尺寸的過孔,并保持 USB2.0 差分線在一個信號層上。

保證差分線的線間距在走線過程中的一致性,使用 Cadence 繪圖時可以用shove 保證,但在使用 Protel繪圖時要特別注意。如果在 走線過程中差分線的間距發(fā)生改變,會造成差分線阻抗的不連續(xù)性。

在繪制差分線的 過程中,使用 45°彎角或圓弧彎角來代替 90°彎角,并盡量在差分線周圍的 150 mil 范圍內不要走其他的信號線,特別是邊沿比較陡峭的數(shù)字信號線更加要注意其走線不能影響 USB 差分線。

差分線要盡量等長,如果兩根線長度相差較大時,可以繪制蛇行線增加短線長度。

USB2.0 總線接口端電源線和地線設計

USB 接口有 5 個端點,分別為:USB 電源(VBUS)、D-、D 、信號地(GND)和保護地(SHIELD)。上面已經(jīng)介紹過如何設計 D 、D-差分信號了,正確設計 USB 總線電源、信號地和保護地對USB 系統(tǒng)的正常工作也是同樣重要的。

USB 電源線電壓為 5 V,提供的最大電流為500mA,應將電源線布置在靠近電源層的信號層上,而不是布置在與 USB 差分線所在的相同層上,線寬應在 30mil 以上,以減少它對差分信號線的干擾?,F(xiàn)在很多廠家的 USB 從控制芯片工作電壓為 3.3 V,當其工作在總線供電模式時,需要 3.3~5 V 的電源轉換芯片,電源轉換芯片的輸出端應盡量靠近 USB 芯片的電壓輸入端,并且電源轉換芯片的輸入和輸出端都應加大容量電容并聯(lián)小容量電容進行濾波。當 USB 從控制芯片工作在自供電的模式時,USB 電源線可以串聯(lián)一個大電阻接到地。

保護地和信號地之間的間距不應小于 25mil, 以減少兩個地之間的邊緣耦合作用。保護地不要大面積覆銅,一根 100mli 寬度的銅箔線就已能滿足保護地的功能需要了。

在繪制 USB 電源線、信號地和保護地時,應注意以下幾點:

USB 插座的 1、2、3、4 腳應在信號地的包圍范圍內,而不是在保護地的包圍范圍內。

USB 差分信號線和其他信號線在走線的時候不應與保護地層出現(xiàn)交疊。

電源層和信號地層在覆銅的時候要注意不應與保護地層出現(xiàn)交疊。

電源層要比信號地層內縮20D,D 為電源層與信號地層之間的距離。

如果差分線所在層的信號地需要大面積覆銅,注意信號地與差分線之間要保證 35 mil 以上的間距,以免覆銅后降低差分線的阻抗。

在其他信號層可以放置一些具有 信號地屬性的過孔,增加信號地的連接性,縮短信號電流回流路徑。

在 USB 總線的 電源線和 PCB 板的電源線上,可以加磁珠增加電源的抗干擾能力。

USB2.0 其他信號的拓撲結構設計

USB2.O 提供高達 480 Mbps 的傳輸速率,因此芯片需要外接一個較高頻率的晶振,例如 Cypress 公司的 CY7C68013 需要外接 1 個 24 MHz 的晶振。晶振應盡量靠近 USB 芯片的時鐘輸入腳,時鐘線不能跨越 USB2.0 的差分線,晶振下不要布置任何信號線,并且在時鐘線周圍應覆有完整的信號地,以降低時鐘線對其他信號線的干擾,特別是對差分線的干擾。在繪制USB 芯片與其他芯片相連的數(shù)據(jù)線時,應保證線間距不小于 8mil。

EMC、EMI 原理和信號完整性要求設計的 USB2.0 設備 PCB 板,傳輸速率可以達到 300 Mbps 以上。高速數(shù)字信號傳輸 PCB 板設計是一個比較復雜的領域,對設計人員的要求比較高,設計周期也比較長。

審核編輯黃昊宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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