10月14日消息，ARC未來(lái)低能耗電子技術(shù)卓越中心（FLEET）的科學(xué)家發(fā)表研究報(bào)告稱，“超越二進(jìn)制 ”的 “多狀態(tài)存儲(chǔ)器 ”數(shù)據(jù)存儲(chǔ)有望成為未來(lái)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式。

研究人員表示，多狀態(tài)存儲(chǔ)器是未來(lái)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的一種極有前途的技術(shù)，它能夠以超過(guò)一個(gè)比特（即0或1）的方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，使得存儲(chǔ)密度（單位面積存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量）大大提高。

這就規(guī)避了 “摩爾定律 ”歷史上提供的平緩效益，即組件尺寸大約每?jī)赡隃p少一半。近年來(lái)，摩爾定律長(zhǎng)期以來(lái)所預(yù)測(cè)的平臺(tái)化現(xiàn)象已經(jīng)出現(xiàn)。

非易失性多態(tài)存儲(chǔ)器（NMSM）具有節(jié)能、高、非易失性、快速訪問(wèn)和低成本的特點(diǎn)。

在不縮減存儲(chǔ)單元尺寸的情況下，存儲(chǔ)密度得到了極大的提升，使得存儲(chǔ)設(shè)備的效率更高，成本更低。

多態(tài)存儲(chǔ)器還可以實(shí)現(xiàn)所提出的未來(lái)技術(shù)神經(jīng)形態(tài)計(jì)算，它將反映人類大腦的結(jié)構(gòu)。這種完全不同的、受大腦啟發(fā)的計(jì)算體制有可能為采用NMSM等新型技術(shù)提供經(jīng)濟(jì)動(dòng)力。

NMSM允許模擬計(jì)算，這可能對(duì)智能的神經(jīng)形態(tài)網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要，也有可能幫助最終揭開(kāi)人腦本身的工作機(jī)制。

研究論文《用于高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性多態(tài)存儲(chǔ)器》回顧了領(lǐng)先的NMSM候選器件的器件架構(gòu)、工作機(jī)制、材料創(chuàng)新、挑戰(zhàn)和最新進(jìn)展，包括：

閃存

磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）

電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）

鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM）

相變存儲(chǔ)器（PCM）
責(zé)任編輯:tzh