一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何準(zhǔn)確測(cè)量到功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫?

工程師 ? 來(lái)源:松哥電源 ? 作者:松哥電源 ? 2020-10-19 10:26 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

功率器件結(jié)溫和殼頂溫度,差多少?

測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如MOSFETIGBT的結(jié)溫,是一個(gè)不可或缺的過(guò)程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:

1、熱電偶

2、紅外熱成像測(cè)溫儀

圖1:熱電偶

圖2:紅外熱成像測(cè)溫儀

為了提高熱電偶的測(cè)量精度,需要對(duì)其做精確的溫度補(bǔ)償;熱電偶本身要用特定的粘膠固定在測(cè)量器件的表面,固定的方式和接觸面積都會(huì)影響測(cè)量的精度;相對(duì)于測(cè)量的功率器件,如果熱電偶接觸面積大,本身相當(dāng)于散熱器的作用,會(huì)嚴(yán)重的影響測(cè)量精度。

紅外熱成像儀不需要和器件接觸,因此測(cè)量過(guò)程對(duì)測(cè)量的精度幾乎沒(méi)有影響,因此近年來(lái)獲得大量的使用。紅外熱成像測(cè)溫儀得到溫度如圖3所示,溫度最高的點(diǎn)為功率器件,那么這個(gè)溫度是功率器件的結(jié)溫,還是功率器件塑料外殼頂部的溫度?

圖3:紅外熱成像測(cè)溫儀測(cè)量溫度

毫無(wú)疑問(wèn),測(cè)量的這個(gè)溫度是功率器件塑料外殼頂部,那么這個(gè)溫度和功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫一樣嗎?當(dāng)然不一樣,功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫高于塑料外殼頂部的溫度。結(jié)溫和殼頂溫度差多少?

數(shù)據(jù)表中,RthJC是結(jié)到殼(底部銅皮)的熱阻,不是結(jié)到殼頂?shù)臒嶙瑁缦卤硭?。RthJT+RthTA 遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于RthJC+ RthCA,只有很少的一部分熱量從殼頂導(dǎo)出,因此結(jié)溫和殼頂溫度差異很小。

DFN5*6

TO220F

圖4:底部有銅皮功率器件的熱阻

沒(méi)有簡(jiǎn)單的方法來(lái)估算這個(gè)差值,仿真的差值如下圖所示。不同的封閉類型、不同的外殼材料等因素都會(huì)影響到這個(gè)差值,經(jīng)驗(yàn)值通常取5-10℃左右。

圖5:紅外熱成像測(cè)溫儀測(cè)量溫度和仿真溫度

經(jīng)常有工程師問(wèn)到這樣的問(wèn)題,如何才能準(zhǔn)確的測(cè)量到功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫?

靜態(tài)的條件下,可以測(cè)量功率器件內(nèi)部寄生的二極管的壓降,通過(guò)校核的結(jié)溫曲線,查到相應(yīng)的內(nèi)部硅片的結(jié)溫。在實(shí)際電路工作的條件下,不太可能測(cè)量?jī)?nèi)部寄生的二極管的壓降,因此實(shí)時(shí)的測(cè)量?jī)?nèi)部硅片的結(jié)溫也不太現(xiàn)實(shí)。

對(duì)于特定器件,可以使用上述靜態(tài)的方式,結(jié)合紅外熱成像測(cè)溫儀,校核它們之間的差值,然后在實(shí)際的測(cè)量中,使用這個(gè)差值來(lái)得到結(jié)溫。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 紅外
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    763

    瀏覽量

    95711
  • 散熱器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    1086

    瀏覽量

    38603
  • 成像儀
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    87

    瀏覽量

    15708
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    紅外熱像和電學(xué)法測(cè)得藍(lán)光LED芯片結(jié)比較

    測(cè)試背景熱阻是衡量超高亮度和功率型LED器件及陣列組件熱工控制設(shè)計(jì)是否合理的一個(gè)最關(guān)鍵的參數(shù)。測(cè)量芯片熱阻的主要方法電學(xué)參數(shù)法和紅外熱像法。其中電學(xué)法利用LED本身的熱敏感參數(shù)——電壓變化來(lái)反算出
    的頭像 發(fā)表于 06-20 23:01 ?157次閱讀
    紅外熱像和電學(xué)法測(cè)得藍(lán)光LED芯片<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>溫</b>比較

    碳化硅襯底厚度測(cè)量中探頭漂的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

    引言 在碳化硅襯底厚度測(cè)量過(guò)程中,探頭漂會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量精度。構(gòu)建探頭漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,有助于深入理解探頭漂的產(chǎn)生機(jī)理,為提
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:37 ?132次閱讀
    碳化硅襯底厚度<b class='flag-5'>測(cè)量</b>中探頭<b class='flag-5'>溫</b>漂的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?629次閱讀

    測(cè)量探頭的 “漂” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的影響

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中,氮化鎵(GaN)襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料,正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而,氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 01-22 09:43 ?449次閱讀
    <b class='flag-5'>測(cè)量</b>探頭的 “<b class='flag-5'>溫</b>漂” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于氮化鎵襯底厚度<b class='flag-5'>測(cè)量</b>的影響

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)信息

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:33 ?1419次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>溫</b>信息

    測(cè)量探頭的 “漂” 問(wèn)題,對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響

    在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里,氮化鎵(GaN)襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而,氮化鎵襯底厚度測(cè)量
    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:36 ?404次閱讀
    <b class='flag-5'>測(cè)量</b>探頭的 “<b class='flag-5'>溫</b>漂” 問(wèn)題,對(duì)于氮化鎵襯底厚度<b class='flag-5'>測(cè)量</b>的實(shí)際影響

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低,最高工作結(jié)提升,
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1022次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng),
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?788次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    方塊電容怎么測(cè)量內(nèi)部升?

    在三相整流電路,用方塊電容作為主回路支撐濾波電容,該怎么測(cè)量內(nèi)部升判斷其壽命?
    發(fā)表于 01-01 23:07

    如何保證ads1292R的內(nèi)部測(cè)試信號(hào)結(jié)果的準(zhǔn)確性?

    我在使用ads1292R這款I(lǐng)C的時(shí)候,根據(jù)其spec,在遵守spi總線協(xié)議的前提下,各項(xiàng)寄存器配置均已配置ok(讀回來(lái)的值和寫入值一致),使用的是內(nèi)部時(shí)鐘512khz(可以測(cè)量到),內(nèi)部參考電壓
    發(fā)表于 11-27 06:49

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,
    的頭像 發(fā)表于 11-26 01:02 ?1485次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    功率模塊中的結(jié)估算技術(shù)

    結(jié)是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過(guò)熱,可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引發(fā)故障。而過(guò)熱損壞可能由多種因素
    的頭像 發(fā)表于 11-13 10:19 ?1604次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>模塊中的<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>溫</b>估算技術(shù)

    IVC102最小能測(cè)量到的電流是多少?

    IVC102最小能測(cè)量到的電流是多少?
    發(fā)表于 09-25 08:17

    功率器件功率循環(huán)測(cè)試原理詳解

    了爆發(fā)式的增長(zhǎng)。與消費(fèi)電子市場(chǎng)相比,車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件所面臨的挑戰(zhàn)更為嚴(yán)峻,因其需要在高工作結(jié)、高功率密度和高開(kāi)關(guān)頻率等嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定運(yùn)
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:31 ?2935次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b>循環(huán)測(cè)試原理詳解

    igbt芯片vce與結(jié)的關(guān)系

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,VCE(集電極-發(fā)射極電壓)和結(jié)是兩個(gè)非常重要的參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-08 09:13 ?3097次閱讀