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電子顯微鏡下英特爾的14nm+++和臺積電的7nm

電子工程師 ? 來源:TSMC ? 作者:TSMC ? 2020-10-26 14:50 ? 次閱讀
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單純從名字上看,臺積電在工藝制成方面明顯領(lǐng)先于英特爾,不過情況似乎并不是這樣,此前英特爾也表示,臺積電的命名方式有爭議,并非按照實際物理數(shù)值。臺積電也表示,很早就不按照物理數(shù)值命名了。那么英特爾和臺積電的制程工藝差多少呢? 一位加拿大博主拿來電子顯微鏡,專門對比了英特爾的14nm+++和臺積電的7nm,對應(yīng)產(chǎn)品為i9-10900K和銳龍9 3950X。結(jié)果比較有意思,雖然兩者命名差距很大,但從電子顯微鏡中看,兩者差別很小。

英特爾14nm+++和臺積電的7nm

英特爾14nm+++和臺積電的7nm 實際上英特爾14nm+++的晶體管柵格寬度為24nm,而臺積電7nm的晶體管柵格寬度為22nm,而且柵格高度也很相似。從數(shù)據(jù)上看臺積電7nm確實領(lǐng)先英特爾14nm+++,但領(lǐng)先幅度非常有限。如此看來,英特爾的10nm超越臺積電7nm是沒有問題的,看來在營銷方面,臺積電還是有一手啊。

原文標(biāo)題:電子顯微鏡下看英特爾14nm+++和臺積電7nm

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原文標(biāo)題:電子顯微鏡下看英特爾14nm+++和臺積電7nm

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