一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕及沉積工藝的關(guān)系

454398 ? 來源:alpha007 ? 作者:alpha007 ? 2022-12-13 11:42 ? 次閱讀

不久前,MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。

1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處

MEMS 與 CMOS 的根本區(qū)別在于:MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件,CMOS 是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是 MEMS 獨(dú)有的,例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子,由于 CMOS 器件沒有活動(dòng)部件,因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱耍?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上,導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí),就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦,CMOS 沒有這種問題。

CMOS 器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝,但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面,MEMS 是采用體硅加工工藝嵌入到硅中,或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。

體硅 MEMS 的深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)也稱為 Bosch 工藝(因?yàn)樵摴に囋?20 世紀(jì) 90 年代由 Bosch 開發(fā)),是專為 MEMS 設(shè)計(jì)的一種最老的工藝解決方案。雖然它不是標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝,但現(xiàn)在已應(yīng)用于三維裸片堆疊中,通過硅通孔(TSV)技術(shù)進(jìn)行蝕刻。此外,表面微加工蝕刻的釋放蝕刻是另外一種需要釋放材料的受控化學(xué)蝕刻的特定 MEMS 工藝。

2 將舊 CMOS 轉(zhuǎn)換為 MEMS 生產(chǎn)線

盡管歐美國(guó)家多年來一直在推動(dòng) MEMS 創(chuàng)新,但直到現(xiàn)在,還沒有一家建立 MEMS 專用工廠。雖然有些公司有 MEMS 工藝生產(chǎn)線,但它們并不一定是最先進(jìn)的。相反,是二次利用舊半導(dǎo)體工廠的方式,為它們注入新的活力。將舊 CMOS 半導(dǎo)體制造設(shè)備的富余生產(chǎn)能力轉(zhuǎn)換為 MEMS 生產(chǎn)線可能是中國(guó)可以考慮的一種方法。

MEMS 器件不太可能達(dá)到 CMOS 器件的產(chǎn)量,理解這一點(diǎn)非常重要。一種器件沒法讓 MEMS 生產(chǎn)線盈利,因?yàn)槿藗儾恍枰?5 萬(wàn)個(gè)初制晶圓。即使是 MEMS 麥克風(fēng)這種相當(dāng)高產(chǎn)量的應(yīng)用,但生產(chǎn)卻分布在多個(gè)廠家。

3 中國(guó) MEMS 制造廠和實(shí)驗(yàn)設(shè)備的挑戰(zhàn)

總體來看,中國(guó)在 MEMS 應(yīng)用的內(nèi)部開發(fā)方面落后于世界其他先進(jìn)國(guó)家。目前,中國(guó)面臨著與歐美國(guó)家多年前一樣的制造和設(shè)備挑戰(zhàn),而且隨著歐美國(guó)家不斷推進(jìn)發(fā)展,中國(guó)較難迎頭趕上。鑒于中國(guó)當(dāng)前與其他國(guó)家之間的關(guān)系,中國(guó)正在加緊發(fā)展國(guó)內(nèi)能力,以期獲得獨(dú)立供應(yīng)鏈。

MEMS 產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度快,創(chuàng)新力強(qiáng)。此外,大多數(shù) MEMS 器件都是專用的,沒有像 CMOS 器件那樣大的體量。因此,正確合理的解決方案必須以技術(shù)為基礎(chǔ)。

尖端科技是需要成本的。為一家工廠配備已使用了 20 年工藝的傳統(tǒng) MEMS 設(shè)備并非成功之道。重要的是,設(shè)備不僅要滿足今天的需要,還要滿足未來 5 ~ 10 年的需要。因此,為應(yīng)對(duì)未來發(fā)展的需要,應(yīng)盡可能選擇最高生產(chǎn)能力的設(shè)備是很重要的,以備援未來。

4 MEMS 制造需要外包嗎

要想成為一家成功的中國(guó) MEMS 制造公司,是選擇外包還是建廠?這取決于您的商業(yè)模式。MEMS 集成器件制造商(IDM)并不是孤立存在的。成功的 MEMS 制造公司擁有多種 MEMS 產(chǎn)品,能夠處理不同尺寸的晶圓,以及各種材料和工藝。目前,對(duì)于中國(guó)企業(yè)來說,這種能力都在海外——在歐洲或美國(guó)。

MEMS 代工廠之所以存在并取得成功,是因?yàn)樗鼈優(yōu)樵S多不同的公司生產(chǎn)許多不同的 MEMS 產(chǎn)品。例如,ST Microelectronics 成功地使用了代工廠(foundry)模式。

總之,除非你是一個(gè)為多家 MEMS 服務(wù)的代工廠,否則建立自己的代工廠是沒有意義的。對(duì)于中國(guó)內(nèi)部的 MEMS 市場(chǎng)來說,可以采取合作的方式來替代外包,即幾家 MEMS 公司共用一家工廠。歸根結(jié)底,選擇最終要帶來最佳的投資回報(bào)。

5 良率指標(biāo)更為關(guān)鍵

memsstar 一直專注于技術(shù)、工藝和良率。memsstar 通過實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),來確??蛻粼诋?dāng)前和未來都能以最低的成本制造最先進(jìn)的 MEMS 器件。許多公司把“產(chǎn)量”作為控制成本的一種方法。而 memsstar 深信“良率”這一指標(biāo)更為關(guān)鍵。因?yàn)闊o論你能生產(chǎn)多少器件,如果你的良率只有 50%,那么成本就是 2 倍。

memsstar 的第二個(gè)獨(dú)特之處在于,所提供的工藝流程貫穿在 MEMS 器件發(fā)展演變過程中,始終有效。從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)制造,MEMS 器件經(jīng)歷了概念驗(yàn)證、原型制作、試產(chǎn)和生產(chǎn)制造等多個(gè)階段。如果在概念設(shè)計(jì)和可行性階段使用不同的工藝工具,它們可能不會(huì)過渡到主流制造設(shè)備。memsstar 作為 MEMS 蝕刻和表面涂層方面的專家,提供了專業(yè)知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)和專有技術(shù),并且提供從研發(fā)到生產(chǎn)的全套設(shè)備。memsstar 的 MEMS 產(chǎn)品融合了下一代專有的釋放蝕刻和涂層技術(shù),以及專有和再使用半導(dǎo)體設(shè)備。這一系列產(chǎn)品確保 memsstar 能夠提供全套蝕刻和沉積解決方案,以支持 MEMS 開發(fā)和生產(chǎn)準(zhǔn)備制造。

審核編輯黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • CMOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    58

    文章

    5900

    瀏覽量

    237643
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    4022

    瀏覽量

    192410
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝:濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析

    刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 04-27 10:42 ?93次閱讀
    半導(dǎo)體制造關(guān)鍵<b class='flag-5'>工藝</b>:濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>設(shè)備技術(shù)解析

    微型傳感革命:國(guó)產(chǎn)CMOS-MEMS單片集成技術(shù)、MEMS Speaker破局

    =(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道)在萬(wàn)物互聯(lián)與智能硬件的浪潮下,傳感器微型化、高精度化正成為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)力。MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))與CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的深度融合,被視為突破傳統(tǒng)傳感
    發(fā)表于 03-18 00:05 ?711次閱讀

    什么是原子層刻蝕

    原子層為單位,逐步去除材料表面,從而實(shí)現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD(原子層沉積)相對(duì),一個(gè)是逐層沉積材料,一個(gè)是逐層去除材料。 ? 工作原理 ALE 通常由以下兩個(gè)關(guān)鍵階段組成: ? 表面活化階段:使用氣相前體或等離子
    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:32 ?326次閱讀
    什么是原子層<b class='flag-5'>刻蝕</b>

    后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解

    后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡(jiǎn)稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是BEOL ETCH BEOL是指從金屬互連開始
    的頭像 發(fā)表于 12-31 09:44 ?812次閱讀

    【「大話芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+ 芯片制造過程和生產(chǎn)工藝

    蓋樓一樣,層層堆疊。 總結(jié)一下,芯片制造的主要過程包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測(cè)試和封裝。 晶圓,作為單晶柱體切割而成的圓薄片,其制作原料是硅或砷化鎵。高純度的硅材料提取自硅砂
    發(fā)表于 12-30 18:15

    ALE的刻蝕原理?

    ????? ALE,英文名Atomic Layer Etching,中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)的,均是自限性反應(yīng),一個(gè)是沉積一個(gè)是刻蝕。ALD是每個(gè)循環(huán)只沉積一層原子,ALE是每
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:15 ?659次閱讀
    ALE的<b class='flag-5'>刻蝕</b>原理?

    刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

    本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層,以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求。本文將介紹幾種關(guān)鍵的刻蝕參數(shù),
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:03 ?1413次閱讀
    <b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>的參數(shù)有哪些

    晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響

    本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響 表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:48 ?961次閱讀
    晶圓表面溫度對(duì)干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>的影響

    干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

    ? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用? 1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度 晶圓表面溫度:控制
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:56 ?1341次閱讀

    刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝

    在本篇文章中,我們主要介紹刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。 一、刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:15 ?1414次閱讀
    <b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>評(píng)價(jià)的<b class='flag-5'>工藝</b>參數(shù)以及如何做好<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    Bosch刻蝕工藝的制造過程

    Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),對(duì)于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 09:43 ?2066次閱讀
    Bosch<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>的制造過程

    離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用

    口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難
    的頭像 發(fā)表于 09-12 13:31 ?593次閱讀
    離子束<b class='flag-5'>刻蝕</b>機(jī)物理量傳感器 <b class='flag-5'>MEMS</b> <b class='flag-5'>刻蝕</b>應(yīng)用

    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積刻蝕技術(shù)

    著提升。通常,銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形,然后通過大馬士革流程用銅填充溝槽。 但這種方法會(huì)生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結(jié)構(gòu),從而增加銅線電阻。 為防止大馬士革退火
    的頭像 發(fā)表于 08-19 11:49 ?631次閱讀
    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的<b class='flag-5'>沉積</b>和<b class='flag-5'>刻蝕</b>技術(shù)

    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積刻蝕技術(shù)

    摘要 :使用SEMulator3D?可視性沉積刻蝕功能研究金屬線制造工藝,實(shí)現(xiàn)電阻的大幅降低 作者:泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Timothy Yang
    發(fā)表于 08-15 16:01 ?1100次閱讀
     降低半導(dǎo)體金屬線電阻的<b class='flag-5'>沉積</b>和<b class='flag-5'>刻蝕</b>技術(shù)

    HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

    的成本相對(duì)傳統(tǒng)CMOS 要高很多。對(duì)于一些用途單一的LCD 和LED高壓驅(qū)動(dòng)芯片,它們的要求是驅(qū)動(dòng)商壓信號(hào),并沒有大功率的要求,所以一種基于傳統(tǒng) CMOS
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:40 ?4403次閱讀
    HV-<b class='flag-5'>CMOS</b><b class='flag-5'>工藝</b>制程技術(shù)簡(jiǎn)介