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大電流雙列直插式溝道MOSFET分析

電子設(shè)計(jì) ? 來源: IXYS ? 作者: IXYS ? 2021-05-28 16:02 ? 次閱讀
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在汽車中使用越來越多的功率驅(qū)動(dòng)器,其功率范圍從幾百瓦到幾千瓦不等,例如用作起動(dòng)發(fā)電機(jī)或電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向風(fēng)扇泵的致動(dòng)器,以及將來的線控制動(dòng)系統(tǒng)。通常使用三相交流電機(jī),這需要根據(jù)圖1的逆變器從汽車的直流母線電壓L +,L-產(chǎn)生具有當(dāng)今V電平或?qū)砟繕?biāo)的12 V的交流系統(tǒng)L1,L2,L3。在內(nèi)燃機(jī)冷啟動(dòng)期間,由此產(chǎn)生的電流朝著額定功率的上限升高,達(dá)到啟動(dòng)發(fā)電機(jī)功率部分中的約500A。電力電子系統(tǒng)面臨惡劣的環(huán)境條件,這些設(shè)備必須承受較長的時(shí)間范圍(-30°C≤TS≤120°C)的較寬工作溫度范圍,并且在較長時(shí)間內(nèi)必須通過內(nèi)燃機(jī)冷卻液回火,使TS = 90°C左右。盡管如此,這些部件在車輛的預(yù)期使用壽命內(nèi)必須是高度可靠的。

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圖1 MOSFET三相全橋

實(shí)現(xiàn)

所建議的新設(shè)備的型號名稱為GWM160-0055P3的輪廓如圖2和3所示。與上一節(jié)中介紹的其他ISOPLUS組件一樣,其黑色塑料主體由覆蓋DCB基板的打漿化合物組成。為了最小化從DCB頂部的芯片到后面的散熱器的熱阻,同時(shí)保持足以為電池供電的汽車系統(tǒng)提供的隔離電壓,已經(jīng)采用了工業(yè)用設(shè)備已知的厚度小于0.63 mm的陶瓷。

圖2擬議的GWM160-0055P3組件的外部俯視圖和仰視圖

o4YBAGCwoimAOE5fAAB2Nk3G1Gk172.png

圖3建議的GWM160-0055P3組件的引腳排列和尺寸

編輯:hfy

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