Avago Technologies的達林頓放大器AVT-54689和AVT-55689是易于使用的磷化銦鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（InGaP HBT）增益塊放大器，采用SOT-89表面貼裝塑料封裝。達林頓反饋結(jié)構(gòu)提供了固有的寬帶寬性能，可提供50 MHz至6 GHz的有用工作頻率。寬帶匹配的性能和良好的線性度使這些器件非常適合RF無線應用，例如BTS預驅(qū)動器，無線數(shù)據(jù)，電纜系統(tǒng)（CATV和電纜調(diào)制解調(diào)器），光纖系統(tǒng)，IF放大器和ISM應用。兩種器件相似，主要區(qū)別在于電流消耗，輸出P1dB和輸出IP3，如圖1所示。

申請指引

AVT-54689和AVT-55689是內(nèi)部匹配的50 Ohm器件。這使得這兩種設備都非常易于使用，因為所需的唯一外部部件是直流電源為+5 V的合適的RF扼流圈和旁路電容器。這兩款器件各自的數(shù)據(jù)表提供了典型的性能曲線，該曲線是電壓和溫度的函數(shù)。圖2顯示了AVT-54689和AVT-55689的通用應用電路。

兩個設備的電源電壓（Vcc）必須通過RF扼流圈（RFC）施加到RF輸出引腳（RFout）。與放大器的Vcc連接必須通過RF旁路
將電容器（Cbyp）接地。Vcc旁路電容的值由放大器的最低工作頻率確定。另一方面，RF扼流圈值必須相對于50 Ohms大，以防止RF輸出負載。隔直電容器（Cblock）通常與RF輸入引腳（RFin）和RF輸出引腳串聯(lián)放置，以隔離這些引腳上的DC電壓與放大器附近的電路。選擇隔離電容器和旁路電容器的值，以提供在最低工作頻率下相對于50歐姆較小的電抗。較大值的旁路電容器可以通過抑制兩個輸入音之間的頻率差來改善電路的IP3性能。

PCB材料和疊層設計

圖3顯示了演示電路板的俯視圖和仰視圖以及組件放置的位置。該演示板是一個三層板，包含一個共面波導，其頂部為接地（CPWG）作為RF跡線，背面為一個固體金屬接地層，所有RF跡線的特征阻抗（Zo）為50歐姆。在每層上，銅的厚度為0.5盎司（或0.7密耳），并且每層銅層都由介電材料隔開。第一種介電材料是10密耳的Rogers RO4350，介電常數(shù)（r）為3.48。對于低成本無線應用，可以使用FR-4或G-10型材料代替RO4350材料。但是，對于噪聲系數(shù)（NF）臨界或更高頻率的應用（例如毫米波），為了使放大器輸入處的傳輸線損耗最小，可能需要增加PTFE /玻璃介電材料的成本。第二種介電材料FR-4（介電常數(shù)（r）為4.3）僅用于機械強度和剛度。

CPWG設計

使用Avago免費且方便的RF仿真軟件AppCAD，可以輕松確定CPWG線的尺寸。圖4中的演示板橫截面圖顯示了該板的總厚度約為62密耳，這使EF Johnson（142-0701-851）的SMA連接器可以滑入板的兩個邊緣。為了容納20密耳的中心引腳直徑，演示板傳輸線的寬度必須稍微寬一些。像為50歐姆環(huán)境設計的任何其他MMIC一樣，確保RF跡線具有50歐姆的特性阻抗（Zo）以最大程度地減少操作過程中任何可能的信號反射和RF性能下降，這一點很重要。該演示板的傳輸線寬度為22密耳，170 MHz時的Zo為50.1歐姆。

AVT-54689的70至240 MHz應用示例

選擇直流隔直電容器和RF旁路電容器，以單個材料清單（BOM）覆蓋三個典型的IF頻段（70 MHz，120 MHz和240 MHz）。圖6顯示了AVT-54689的完整原理圖。

用作RF扼流圈的L2的電抗應該很高，即在最低工作頻率下為數(shù)百歐姆。在70 MHz時電抗為360的820 nH電感足夠高，可以將電路負載的損耗降至最低。2.2 F（C6）直流旁路電容器會將任何不需要的低頻信號接地，特別是來自電源軌的信號。

編輯：hfy