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五種去耦電容的有效使用方法解析

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:rohm ? 作者:rohm ? 2021-03-29 15:29 ? 次閱讀
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去耦電容的有效使用方法:其他注意事項(xiàng)

①Q(mào)較高的陶瓷電容

電容具有被稱(chēng)為“Q”的特性。下圖即表示Q和頻率-阻抗特性之間的關(guān)系。

當(dāng)Q值高時(shí),阻抗在特定的窄帶會(huì)變得非常低。當(dāng)Q值低時(shí),阻抗雖然不會(huì)極度下降,但可以在很寬的頻段內(nèi)降低。這種特性可能有助于符合某些EMC標(biāo)準(zhǔn)。例如,使用電容量變化較大的電容時(shí),如果Q值很高,則可能存在無(wú)法消除目標(biāo)頻率噪聲的個(gè)體。在這種情況下,還有一種通過(guò)使用具有低Q的電容來(lái)抑制波動(dòng)影響的手法。

②熱風(fēng)焊盤(pán)等的PCB圖形

旨在提高散熱性的熱風(fēng)焊盤(pán)等的PCB圖形,圖形的電感分量會(huì)增加。電感分量的增加會(huì)使諧振頻率向低頻端移動(dòng),所以有時(shí)可能無(wú)法獲得理想的噪聲消除效果。

③探討對(duì)策時(shí)的電容試裝

試制后需要對(duì)高頻噪聲采取對(duì)策,可以考慮增加小容量的電容器。此時(shí),如下圖所示,如果在大容量電容器上安裝要增加的電容器(左例),則縱向會(huì)增加額外的電感分量,因此不能充分發(fā)揮增加電容器的效果。在中間的例子中,雖然未違背“盡可能使小容量電容靠近噪聲源”的理論,但阻抗會(huì)與實(shí)際修改的PCB布局不同。最好的方法是以盡量接近實(shí)際修改的配置進(jìn)行探討(右例)。

在探討對(duì)策時(shí),也可能會(huì)發(fā)生雖然噪聲試驗(yàn)OK,但安裝到修改后的PCB時(shí)NG的現(xiàn)象,因此需要在探討時(shí)就有意識(shí)地按照實(shí)際來(lái)安裝。

④電容的電容量變化率

噪聲對(duì)策用的電容的電容量變化率較大時(shí),諧振頻率的波動(dòng)會(huì)變大,目標(biāo)消減頻段會(huì)產(chǎn)生變化或波動(dòng),有時(shí)很難找到理想的噪聲對(duì)策。尤其是需要在窄頻段大幅消除噪聲時(shí),需要格外注意。下表表示電容量變化率和實(shí)際的電容量和諧振頻率之間的關(guān)系。仔細(xì)看這個(gè)表的話可以看出,雖然視條件而定,不過(guò)很多情況是無(wú)法接受的。

⑤電容器的溫度特性

眾所眾知,電容的特性會(huì)受溫度影響。目前,EMC測(cè)試的溫度特性尚未標(biāo)準(zhǔn)化,但在某些應(yīng)用中,不得不在明顯的高溫或低溫條件/環(huán)境下工作、或在會(huì)產(chǎn)生較大溫度變化的條件/環(huán)境下使用。

在這類(lèi)情況下,非常有可能發(fā)生“④電容量變化率”中提到的問(wèn)題,所以,用于噪聲對(duì)策的電容,需要盡量使用具有CH、C0G特性的溫度特性?xún)?yōu)異的產(chǎn)品。

編輯:hfy

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    的頭像 發(fā)表于 08-19 14:54 ?844次閱讀
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