來源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus

本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。

穩(wěn)定電流源(BJT)

目標(biāo)

本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。

材料

● ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

● 無焊面包板

● 一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類似值）

● 一個(gè)100 Ω電阻

● 一個(gè)4.7 kΩ電阻

● 兩個(gè)小信號(hào)NPN晶體管（2N3904或SSM2212）

說明

BJT穩(wěn)定電流源對(duì)應(yīng)的電路如圖1所示。

圖1.穩(wěn)定電流源

硬件設(shè)置

面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照 2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE，因此可能的話，從器件庫存中選擇Q1和Q2滿足條件——在相同集電極電流下，Q2的VBE小于Q1的VBE。晶體管Q2的基極連接到Q1集電極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和Q2的集電極之間，與2+示波器輸入一起用來測量集電極電流。

圖2.NMOS零增益放大器面包板電路

程序步驟

零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源。現(xiàn)在，當(dāng)W1所表示的輸入電源電壓變化時(shí)，晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定，因此可以將其用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。

波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。

配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。確保啟用XY功能。

使用示波器的波形圖示例如圖3和圖4所示。

圖3.Q2集電極電壓與W1電壓的關(guān)系

圖4.Q2集電極電流與W1電壓關(guān)系的示波器圖

穩(wěn)定電流源(NMOS)

材料

● ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

● 無焊面包板

● 一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類似值）

● 一個(gè)168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián)）

● 一個(gè)4.7 kΩ電阻

● 兩個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管（CD4007或ZVN2110A）

說明

MOS穩(wěn)定電流源對(duì)應(yīng)的電路如圖5所示。

圖5.穩(wěn)定電流源

硬件設(shè)置

面包板連接如圖6所示。波形發(fā)生器W1的輸出驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管M1按照 2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于M2的VGS始終小于M1的VGS，因此可能的話，從器件庫存中選擇M1和M2滿足——在相同漏極電流下，M2的VGS小于M1的VGS。晶體管M2的柵極連接到M1漏極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和M2的漏極之間，與2+示波器輸入一起用來測量漏極電流。

圖6.穩(wěn)定電流源面包板電路

程序步驟

波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏置為2 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量M2漏極上的穩(wěn)定輸出電流。

配置示波器以捕獲測量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。確保啟用XY功能。

圖7提供了示波器顯示的圖像示例。

圖7.M2漏極電壓與W1電壓的關(guān)系

關(guān)于BJT和NMOS的問題

此類電路有時(shí)稱為峰化電流源。您認(rèn)為為什么會(huì)使用此命名規(guī)則？

輸出電流的峰值很窄。如何調(diào)整電路以產(chǎn)生更寬、更平坦的峰值？

編輯：hfy