隨著特征縮放到達物理極限，半導體行業(yè)開始研究后摩爾技術。在此領域，無論光刻技術節(jié)點，還是7納米傳統(tǒng)集成電路、28納米射頻集成電路，多芯片封裝對于在小形狀因子中集成多種功能是至關重要的。所有這些都必須確保低成本并在短時間內(nèi)上市。以此來看，Intel已經(jīng)開發(fā)了幾種互連技術以實現(xiàn)小芯片（chiplet）的異構集成。早在2018年，人們就在英特爾處理器上看到了這一技術的雛形，當時稱為嵌入式多芯片互連橋(EMiB)。今天，英特爾展示了另一種在處理器中使用有源轉接板和Foveros技術進行芯片互連的方案。

Foveros允許3D面對面（F-F）堆疊，通過使用硅通孔(TSV)在有源轉接板上集成不同類型的器件。轉接板作為不同小芯片之間的橋梁。它也包括低功率器件，如輸入/輸出(I/O)連接和高性能邏輯功率傳輸。

本報告分析的產(chǎn)品為英特爾Core i5-L16G7，特色是采用了英特爾的混合封裝技術。該技術依賴于Foveros F-F芯片堆疊和PoP結構。該設計旨在將10nm運算芯片與SK Hynix LPDDR4 DRAM集成在一個PoP架構的封裝體中。該方案降低了功耗并提高了核心性能，同時降低形狀因子和Z高度，以適應超級移動應用。在該結構中，采用Foveros F-F技術和Via-Middle TSV工藝將10nm的運算芯片與22nm轉接板直接互連，這樣就可以方便地將功率傳輸?shù)教幚砥餍酒稀?/p>

關于Intel Foveros 3D Packaging Technology

本報告對英特爾 Core i5-L16G7處理器進行了詳盡分析，全面調研了英特爾混合封裝技術，還分析了集成在封裝體內(nèi)的LPDDR4X DRAM芯片。最后，它包含了完整的成本分析和器件銷售價格預估，并與臺積電的CoWoS技術進行比較。

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