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IGBT短路保護之退飽和即Desat概念

電子設(shè)計 ? 來源:上海衡麗貿(mào)易有限公司 ? 作者:上海衡麗貿(mào)易有限 ? 2021-03-01 12:10 ? 次閱讀
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工程師在做IGBT短路保護的時候,常會接觸到退飽和即Desat的概念,到底怎么一回事,今天就用通俗的話給它說清楚了,千萬不要錯過

全控半導(dǎo)體器件不可避免要涉及工作區(qū)的問題,這也是應(yīng)用全控半導(dǎo)體器件的基本,但有時候不太好理解,而且容易弄混。例如:

IGBT分為截止區(qū)、線性區(qū)、和飽和區(qū);

三極管分為截止區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū);

MOS分為截止區(qū)、可變電阻區(qū)和飽和區(qū)。

以IGBT為例,看一下平時工程師們說的退飽和保護及其注意事項是個啥

首先得知道,IGBT在工作的時候,一般是工作在飽和區(qū)的,就是下圖中的紅色區(qū)域。為什么?很容易理解,在這個區(qū)域Vce隨著Ic的變化非常小,因此損耗也就很小,功率半導(dǎo)體讓人關(guān)注的歸根結(jié)底不就是個損耗嘛

那假如有一種工況,Ic持續(xù)增大,當(dāng)大到一定程度,這個時候Vce增加很快,但Ic上升速率變慢,IGBT便進入了飽和區(qū),即紅色方框右邊的區(qū)域,這個區(qū)域有兩個顯著的特點:

Vce和Ic的乘積非常大,也就是損耗功率很大,往往超過10us就會燒壞,很危險;

飽和區(qū)電流與Vge成正相關(guān),即Vge大的話,進入飽和區(qū)的電流也會大一點,上圖也可以看出來。

那么飽和區(qū)怎樣理解好記又好用呢?

飽和區(qū)怎樣容易理解?

打一個比方可能大家對飽和區(qū)到線性區(qū)的過渡會更容易理解:

看下邊這個水閥的開關(guān)就是Vge,Vge的大小便是水閥被打開的大小,水閥里的水是電流Ic,水閥的水壓就是Vce

對于特定的Vge,即水閥打開的大小固定,Ic小的時候能夠順利通過,水壓Vce也很?。籌c增大,只要在合理范圍內(nèi),依然能夠順利通過,Vce依然很?。划?dāng)增大到上圖的線性區(qū),再大也就過不去了,因為閥門就開這么大,因此這個時候水壓Vce會快速增長但水流卻不怎么變大

于是我們發(fā)現(xiàn)一個有趣的現(xiàn)象,在線性區(qū)的電流是跟Vge也就是類比中的水閥打開大小直接相關(guān)的,想要增大線性區(qū)電流,閥門開大點就行了,也就是把Vge給大點就行了,前提是要在IGBT的承受范圍之內(nèi)

說白了,線性的含義可以理解成線性區(qū)電流跟控制電壓Vge近似成線性關(guān)系

上邊只是打了個比方讓大家好記,畢竟電是電,水是水嘛。至于真正的原理,想必也不用我在此贅述,此處請翻課本。

學(xué)過的一般存在兩種情況:

學(xué)霸從原理層面理解得非常透徹,用起來得心應(yīng)手;

學(xué)渣死記硬背還老記錯,飽和區(qū)那么飽和電流咋還小呀

而我的作用就是給大家提供一種中間態(tài),好記、好用、且不用從電場、載流子、溝道的層面去理解

其實三極管也很類似,只不過這個時候的水閥開關(guān)變成了基極電流Ib;倒是MOS的理解跟它們有點不同,它的飽和區(qū)(又稱有源區(qū))對應(yīng)三極管的放大區(qū)

接下來就是怎么檢測并保護了

上邊分析了,退出飽和區(qū)進入線性區(qū)之后,發(fā)熱很厲害,IGBT很危險,這時候就要求在IGBT設(shè)計驅(qū)動的時候,要能夠檢測到并保護,這樣才是一個合格的驅(qū)動

例如在驅(qū)動器設(shè)計的時候,上下管直通,IGBT便會迅速退出飽和態(tài),C-E電壓迅速升高,最終達到直流母線電壓Udc

下圖是典型的退飽和檢測電路:

ABUIABACGAAgk_mDgAYovrXSyAUwtAc4wAQ!700x700.jpg

原理:

設(shè)定比較電壓Vref,例如7V

當(dāng)IGBT開始導(dǎo)通Vce還沒有下降時,恒流源Idesat給Cdesat充電,充電至Vref的時間稱之為消隱時間tb,tb=Cdesat*Vref/Idesat

IGBT正常導(dǎo)通,Cdesat電壓還沒充到Vref,退飽和尚未觸發(fā),由于Vce下降,Idesat流過電阻Rdesat和高壓二極管Ddesat和IGBT,Desat引腳電壓會下降至:Vdesat=Idesat*Rdesat+VFdiode+Vce

如果IGBT短路退飽和,Vce上升,二極管截止,恒流源Idesat給Cdesat充電至Vref大小,從而觸發(fā)退飽和保護

需要注意:二極管Ddesat的基本作用是解耦高壓,如果該二極管的寄生電容參數(shù)比較大,根據(jù)I=C(dVce/dt),會有額外電流給Cdesat充電,導(dǎo)致檢測比較敏感

下圖分別是一類短路和二類短路可以檢測的區(qū)域(一類短路時IGBT直通,電流迅速上升,二類短路時負載短路,電流上升相對較慢)

ABUIABACGAAglOmDgAYo6M-47Acw-Ag4zgM!800x800.jpg

編輯:hfy

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