一、2020第一季NOR Flash廠商市占排名

據(jù)集邦咨詢2020第一季NOR Flash廠商市占數(shù)據(jù)，NOR Flash營(yíng)收市占第一是旺宏，其制程在業(yè)界相對(duì)領(lǐng)先，目前采用55nm制程生產(chǎn)，月產(chǎn)能約在20K左右。由于該公司NOR Flash產(chǎn)品線完整，從低容量至高容量齊備，尤其看中未來(lái)5G基站的商機(jī)，512Mb的NOR Flash將是旺宏生產(chǎn)的主要產(chǎn)品之一，為產(chǎn)業(yè)當(dāng)中少數(shù)提供大容量的解決方案。

排名第二的華邦電緊追在后，目前是使用58/90nm制程，每月產(chǎn)能約在18K。

排名第三則是中國(guó)的兆易創(chuàng)新，近幾年無(wú)論在產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)出量方面都有明顯躍進(jìn)，甚至拿下Apple的AirPods訂單，其研發(fā)實(shí)力已被肯定，月產(chǎn)能約9K，分別在中芯國(guó)際（SIMC）與華力微投片生產(chǎn)。值得注意的是，兆易創(chuàng)新與合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還有緊密的合作關(guān)系，意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

二、NOR 市場(chǎng)增量來(lái)源

帶動(dòng)NOR Flash市場(chǎng)增量的原因主要有以下三點(diǎn)，首先，TWS近幾年出貨量上升，2020E年TWS耳機(jī)出貨量接近250百萬(wàn)副。

其次全球智能手機(jī)面板與OLED也是帶動(dòng)增量 的重要原因， 2020E年智能手機(jī)出貨量達(dá)到1788百萬(wàn)臺(tái)，此外，AMOLED出貨量達(dá)到715.2百萬(wàn)顆，帶動(dòng)NOR 市場(chǎng)增量443.42百萬(wàn)元。

AI-IoT的高速發(fā)展也為NOR市場(chǎng)增量助力 ，帶動(dòng)增量2600.78百萬(wàn)元。最后，5G的普及率提高，成為NOR市場(chǎng)增量的主要推手，其貢獻(xiàn)市場(chǎng)增量達(dá)6011.84百萬(wàn)元。

三、NOR主要廠商及產(chǎn)品

電子發(fā)燒友梳理了NOR Flash主要廠商及其產(chǎn)品，其中旺宏、華邦、武漢新芯等廠商在NOR Flash領(lǐng)域占有重要地位，英飛凌收購(gòu)Cypress后，其Serial NOR Flash產(chǎn)品運(yùn)用于汽車(chē)導(dǎo)航與娛樂(lè)系統(tǒng)。此外，國(guó)內(nèi)的兆易創(chuàng)新NOR Flash營(yíng)收排在第三位，具有研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)量NOR相關(guān)產(chǎn)品能力，具體詳情見(jiàn)下表。

旺宏

旺宏電子從512KB到256Mb的密度在一個(gè)8-pin SOP（采用150mil，200mil）或16引腳SOP封裝（300 mil）的串行閃存產(chǎn)品。 這些設(shè)備，在X1組織提供，支持讀取，擦除和編程操作。 這些產(chǎn)品采用串行外設(shè)接口（SPI）協(xié)議。 旺宏串行閃存不僅有利于系統(tǒng)的硬件配置，但也降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。 我們的操作過(guò)電壓范圍為2.7V至3.6V 3V產(chǎn)品。 現(xiàn)在可從512KB到256Mb的所有產(chǎn)品。

此外，旺宏電子與雙I / O和四I / O操作，它的兩倍和四倍讀取性能到300Mbits/second的高端消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用，還提供了高性能的串行閃存產(chǎn)品。 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿觸發(fā)，DTR（雙傳輸速率）模式，進(jìn)一步提高讀取速度400Mbits/second。 多個(gè)I / O產(chǎn)品提供容量為8MB及以上。 旺宏電子也提供了一系列低電壓，1.8V和2.5V的雙I / O和四I / O接口的串行閃存產(chǎn)品。

旺宏電子為3V，1.8V和5V的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行快閃記憶體產(chǎn)品提供了一個(gè)廣泛的產(chǎn)品線，從2Mb到1Gb密度。 這些產(chǎn)品具有引導(dǎo)和統(tǒng)一的部門(mén)架構(gòu)在x8，x16，和x8/x16可選配置。 旺宏快閃記憶體，為客戶提供符合成本效益，高性能和可靠的產(chǎn)品，提供低功耗，高耐用性和可靠性。

旺宏電子3V并行閃存產(chǎn)品都可以在兩個(gè)的版本：MX29LV系列（標(biāo)準(zhǔn)的讀訪問(wèn)）和MX29GL MX68GL系列（頁(yè)面模式訪問(wèn)）。 旺宏電子還提供了1.8V以下并行閃存產(chǎn)品：MX29SL（標(biāo)準(zhǔn)訪問(wèn)），MX29NS（突發(fā)模式下，AD-MUX），和MX29VS（突發(fā)模式，同步讀寫(xiě)，AD-MUX）。

提供8位、16位、8位/16位可選的數(shù)據(jù)傳輸方式。電源電壓有5V，3V和1.8V。MX29GL系列產(chǎn)品提供先進(jìn)的頁(yè)模式接口，在讀訪問(wèn)和編程操作上都進(jìn)行了優(yōu)化，用戶可以使用頁(yè)模式連續(xù)讀取多個(gè)數(shù)據(jù)。

華邦

1.2V Serial NOR Flash

華邦推出支援最新業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)低電壓1.2V，且能支援dual、quad SPI 和Quad Peripheral Interface (QPI) 的NOR Flash是前所未見(jiàn)的。W25QxxND 1.2V系列產(chǎn)品跟既有3V和1.8V的閃存產(chǎn)品具有相當(dāng)?shù)牟僮餍?，且能進(jìn)一步的節(jié)省功耗。對(duì)于由電池供電且設(shè)計(jì)空間有限的裝置，像是行動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置，和對(duì)于需要省電且低功耗的閃存，W25QxxND 1.2V系列產(chǎn)品提供2mm x 3mm USON8、narrow 150mil SOP8、6x5mm WSON 8-pin封裝和KGD (Known Good Die)。 1.2V系列產(chǎn)品可延伸操作到1.5V，利用單顆干電池即可運(yùn)作，不像一般需將兩個(gè)電池串聯(lián)到3V才可操作的設(shè)計(jì)。

2、W25X 與W25Q

臺(tái)灣華邦的W25X 與W25Q SpiFlash?Multi-I/O記憶體支援通用的SPI介面，容量從512Kb 到 512Mb，具有小容量分割的可擦除區(qū)塊與業(yè)界操作效能。 W25X系列支援Dual-SPI雙線輸出入模式，相當(dāng)于將原本標(biāo)準(zhǔn)SPI的操作頻率變?yōu)閮杀丁?br />

W25X系列支援Dual-SPI雙線輸出入模式，相當(dāng)于將原本標(biāo)準(zhǔn)SPI的操作頻率變?yōu)閮杀丁?W25Q系列是25X系列的進(jìn)階版，可支援Quad-I/O SPI四線輸出入模式提供更高的效能，操作頻率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S傳輸率)，相當(dāng)于是一般單線SPI操作的4倍效能。 W25Q系列不但效能超過(guò)Parallel flash，還提供更少腳位的封裝。

更快的傳輸率代表控制器可以直接透過(guò)SPI介面與閃存做晶片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，或是加快復(fù)制代碼到RAM使開(kāi)機(jī)速度加快。除此之外，部份SpiFlash?支援QPI (Quad Peripheral Interface)讓指令集可更快的傳輸，加快XIP的傳輸效率。另外更小的封裝， 更利于對(duì)設(shè)計(jì)空間有限的手持和行動(dòng)裝置應(yīng)用。

武漢新芯

武漢新芯推出50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該產(chǎn)品系列支持低功耗寬電壓工作范圍，適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用產(chǎn)品設(shè)計(jì)方案。

XM25QWxxC系列產(chǎn)品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)可達(dá)108MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供應(yīng)商更快更強(qiáng)的性能，在電源電壓下降后，時(shí)鐘速度沒(méi)有任何減慢。其傳輸速率優(yōu)勝于8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下可以實(shí)現(xiàn)高效的存儲(chǔ)器訪問(wèn)，僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實(shí)現(xiàn)真正的XIP（execute in place）操作。

XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封裝，適用于便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)。


XM25QH256B


單一電壓供應(yīng)，電壓：2.7V至3.6V，用于快速讀取操作最高為133 MHz，靈活的存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)，扇區(qū)大?。?K字節(jié)

兆易創(chuàng)新

兆易創(chuàng)新提供超低功耗閃存系列，具有零深度待機(jī)電流

兆易創(chuàng)新提供 GD25WD 系列，具有零深度待機(jī)電流和低有源讀取電流，適用于低功耗應(yīng)用。GD25WD 系列亮點(diǎn)包括零待機(jī)電流和 1.65 V 至 3.6 V 的寬電壓范圍。128 位唯一 ID 功能還為低功耗應(yīng)用提供增強(qiáng)的安全性。電壓為1.65 V 至 3.6 V，密度為512 Kb ~ 8 Mb，
采用單/雙 SPI接口，雙 SPI 數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)每秒 160 Mb，還有靈活的內(nèi)存架構(gòu)（扇區(qū)大?。?K 字節(jié)，塊大?。?2/64K 字節(jié)），高可靠性，20 年數(shù)據(jù)保留和 100,000 次編程/擦除周期。



Micron

Micron Technology串行 NOR 解決方案專為滿足消費(fèi)電子、工業(yè)、有線通信和計(jì)算應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)。 Micron 的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝、引腳分配、指令集和芯片組兼容性易于為設(shè)計(jì)采用，節(jié)省了寶貴的開(kāi)發(fā)時(shí)間，同時(shí)確保與現(xiàn)有和未來(lái)設(shè)計(jì)的兼容性。

多 I/O（單、雙和四通道）串行 NOR 線路具有吸引人的讀取性能（高達(dá) 54 MB/s）、靈活的存儲(chǔ)器分區(qū)（均勻 64 KB 和 4 KB）、小型封裝尺寸以及寬封裝支持。 N25Q 基于 65 nm 技術(shù)，采用 1.8 V 和 3 V 電源供電 ，也提供汽車(chē)級(jí)版本。 N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。

Cypress


對(duì)于專注于保護(hù)信息和維護(hù)系統(tǒng)完整性的客戶來(lái)說(shuō)，擁有安全的連接系統(tǒng)是頭等大事。隨著系統(tǒng)越來(lái)越依賴外部NOR Flash來(lái)保護(hù)連接系統(tǒng)中的代碼和數(shù)據(jù)，對(duì)內(nèi)存中添加高級(jí)密碼安全性的需求也越來(lái)越大。英飛凌表示，它的Semper Secure NOR Flash架構(gòu)為其功能安全的Semper產(chǎn)品添加了一個(gè)安全子系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)端到端的持久保護(hù)，并有效地保護(hù)系統(tǒng)不受損害。

Semper Secure NOR Flash系列包括AEC-Q100汽車(chē)認(rèn)證設(shè)備，擴(kuò)展溫度范圍為-40°C至+125°C，支持1.8-V和3.0-V工作范圍，并提供128 Mb、256 Mb和512 Mb的密度。Semper Secure NOR Flash的設(shè)計(jì)完全符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，并符合ASIL-B標(biāo)準(zhǔn)，可用于ASIL-D之前的系統(tǒng)中。實(shí)施的EnduraFlex架構(gòu)通過(guò)優(yōu)化高耐久性或長(zhǎng)數(shù)據(jù)保留分區(qū)簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。設(shè)備提供四串行外圍接口（SPI）、八進(jìn)制SPI和hybibus接口。八進(jìn)制和超總線接口設(shè)備符合用于高速x8串行NOR閃存的JEDEC擴(kuò)展SPI（xSPI）標(biāo)準(zhǔn)，并提供高達(dá)400mbps的讀取帶寬。


恒爍
??
恒爍半導(dǎo)體可提供具有通用SPI接口的Flash存儲(chǔ)器，主要產(chǎn)品為1.8V工作電壓的ZB25LD/ZB25LQ系列，3.0V工作電壓的ZB25VQ/ZB25D系列，以及1.8/3.3V寬工作電壓的ZB25WD/ZB25WQ系列。可供選擇的容量大小為1Mbit到256Mbit。

??

配合最高133MHz的工作頻率，和標(biāo)準(zhǔn)、雙口和四口的工作模式，恒爍半導(dǎo)體的SPI NOR Flash產(chǎn)品可支持高達(dá)到（Dual）266MHz和（Quad）532MHz的數(shù)據(jù)交換速度。

??
恒爍半導(dǎo)體SPI NOR Flash產(chǎn)品的靜態(tài)電流最低至1uA，數(shù)據(jù)保持時(shí)間20年，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10萬(wàn)次，工作溫度范圍-40℃～105℃。產(chǎn)品具有可靠性高，功耗低，和先進(jìn)的安全特性，應(yīng)用范圍涵蓋了DVD/CD drives，STB，DPF，Desktop和Notebook PC，DVD Recorders，WLAN，DSL，LCD Monitors，F(xiàn)lat Panel TV，Printers，GPS，MP3等等。


復(fù)旦微電子

復(fù)旦微電子擁有豐富的NOR Flash設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)可提供通用SPI接口Flash存儲(chǔ)器:2.3V~3.6V工作電壓范圍的FM25F/FM25Q系列及1.65V~3.6V款工作電壓范圍的FM25W系列。產(chǎn)品具有高可靠性及高安全性，應(yīng)用范圍涵蓋了手機(jī)，網(wǎng)通、安防，PC，物聯(lián)網(wǎng)，顯示面板，辦公設(shè)備及工控產(chǎn)品等。

產(chǎn)品特性：
●容量: 0.5Mbit到256Mbiit
●多種接口模式：SPI，Dual SPI，Quad SPI，QPI
●工作電壓：1.65V-3.6V（FM25WXX），2.3V-3.6V(FM25FXX/FM25QXX)
●可靠性：數(shù)據(jù)保持時(shí)間20年，擦寫(xiě)壽命10萬(wàn)次
●小型化封裝：SOP8(208mil)，SOP8(150mil)，DFN8，WLCSP
●安全特性：硬件寫(xiě)保護(hù)，32Byte安全扇區(qū)，128bit UID

中天弘宇

中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司擁有豐富的NOR Flash設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)可提供通用SPI接口Flash存儲(chǔ)器，工作電壓在1.08V~3.6V的范圍。產(chǎn)品具有高可靠性及高安全性。

產(chǎn)品特性：1）很小的單個(gè)bit顆粒，面積可達(dá)4F2 2）規(guī)劃產(chǎn)品容量256Mbit到4Gbit 3）接口模式：SPI，Dual SPI，Quad SPI , DDR 4）工作電壓：1.08V-3.6V 5）可靠性：數(shù)據(jù)保持時(shí)間20年，擦寫(xiě)壽命10萬(wàn)次 6）小型化封裝：SOIC，VSOP , WSON, USON, PDIP

東芯

東芯串行NOR FLASH系列產(chǎn)品可提供具有通用SPI接口不同規(guī)格的NOR Flash，容量從2Mb到256Mb，3.3V/1.8V兩種電壓，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式以及多種封裝方式，可適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。專注在中小容量，性價(jià)比高，廣泛應(yīng)用于對(duì)存儲(chǔ)空間需求不高的設(shè)備中。

芯天下

芯天下技術(shù)提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的25 系列串口NOR Flash產(chǎn)品，小型化封裝、多容量選擇，兼容的指令集，寬電壓和高可靠性全面覆蓋消費(fèi)，通訊、工業(yè)和個(gè)人電腦等應(yīng)用領(lǐng)域。

1．超低功耗，深度睡眠電流典型值低至 60nA；
2．BP位保護(hù)、OTP保護(hù)、獨(dú)立block區(qū)域保護(hù)確保代碼安全；
3．高可靠性，確保10萬(wàn)次擦寫(xiě)，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年；
4．支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 寬電壓，容量1Mb~1Gbit；
5．DFN 1.2x1.2x0.40mm，2x3x0.40mm，4x3x0.55mm 等小尺寸封裝；
6．提供 KGD 產(chǎn)品與服務(wù)支持SiP合封需求。

時(shí)代芯存

產(chǎn)品概況和性能參數(shù)介紹：采用先進(jìn)的40納米CMOS工藝制程，芯片尺寸13.74mm2，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)前無(wú)需進(jìn)行擦除動(dòng)作工作電壓+1.8V—+3.6V，SPI接口，最大工作頻率133MHz。

產(chǎn)品可靠性參數(shù)介紹：產(chǎn)品耐擦寫(xiě)次數(shù)大于10^5次，強(qiáng)大的抗輻射性能，25℃數(shù)據(jù)保存時(shí)間20年，工作溫度-40℃—+85℃，2kV ESD防靜電保護(hù)能力。

揚(yáng)賀揚(yáng)微電子科技

NOR Flash系列的2M（HY25D02IEIAAG）和4M的HY25D04IEIAAG采用的都是USON 2x3mm工藝，8M、16M、32M、64M、128M系列都采用的是SO-8 208mil。

工作電壓范圍是2.7至3.6V，工作溫度-40℃—+85℃。

芯澤電子科技

芯澤電子科技可提供具有通用SPI接口的Flash存儲(chǔ)器，主要產(chǎn)品為ZD25Q和ZD25LQ系列，工作電壓為1.8V和3.3V，可供選擇的容量大小分別為2Mbit到128Mbit，最高支持105MHz的工作頻率，可在雙口和四口模式下工作，芯澤電子SPI NOR Flash產(chǎn)品的靜態(tài)電流最低至1uA，數(shù)據(jù)保持時(shí)間20年，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10萬(wàn)次，工作溫度范圍-40℃～+85℃。產(chǎn)品具有可靠性高，功耗低，和先進(jìn)的安全特性，應(yīng)用范圍涵蓋了DVD/CD drives，STB，DPF，Desktop和Notebook PC，DVD Recorders，WLAN ，DSL，LCD Monitors，F(xiàn)lat Panel TV，Printers，GPS，MP3 等等。

豆萁科技

豆萁科技SPI NORFLASH系列產(chǎn)品遵循國(guó)際JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于接口及控制模式的規(guī)定，按照J(rèn)EDEC相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行嚴(yán)格測(cè)試。公司采用先進(jìn)設(shè)計(jì)技術(shù)，優(yōu)化存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)操作，實(shí)現(xiàn)低功耗和高性能：運(yùn)行速度快，支持多種擦寫(xiě)模式，擦寫(xiě)次數(shù)高達(dá)10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)可保存20年以上。通過(guò)與上下游密切合作，提供SOP，VSOP，TSSOP，DIP,WSON,BGA，USON等多種封裝形式以滿足在消費(fèi)類(lèi)、工業(yè)級(jí)和醫(yī)療電子等多種應(yīng)用領(lǐng)域需求。

博雅科技


目前，正在研發(fā)的3.0V及1.8V，512 Kbit～256 Mbit高端通用芯片系列產(chǎn)品屬國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的核心芯片，代表性產(chǎn)品SPI串行閃存已經(jīng)完成研發(fā)設(shè)計(jì)，性能參數(shù)指標(biāo)已全面通過(guò)客戶的驗(yàn)證，進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。博雅BY25Q128AL工作溫度范圍為-40至+85℃，采用VSOP8 208mil封裝，容量為128M。