美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。

美光、Intel合作時，走的是浮動柵極閃存單元架構(gòu)，獨立后轉(zhuǎn)向電荷捕獲（charge-trap）閃存單元架構(gòu)，第一代為128層堆疊，但更多的是過渡性質(zhì)，用來發(fā)現(xiàn)、解決新架構(gòu)設計的各種問題。

正因如此，美光全新176層堆疊閃存所取代的，其實是96層堆疊。

據(jù)了解，美光176層閃存其實是基于兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當然后期很可能會加入QLC。

得益于新的閃存架構(gòu)和堆疊技術(shù)，美光將176層的厚度壓縮在了45微米，基本和早期的64層浮動柵極3D NAND差不多。

這樣，即使在一顆芯片內(nèi)封裝16個Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會超過1.5毫米，可以輕松放入智能手機、存儲卡。

傳輸速率提高至1600MT/s，而此前96/128層的都是1200MT/s，讀寫延遲相比96層改進35％，相比128層改進25％，混合負載性能相比96層改進15％。

美光表示，176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)出貨，并用于一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品，但沒有確認具體產(chǎn)品型號。
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