近日,國(guó)內(nèi)首條第8.6代AMOLED顯示器件生產(chǎn)線——BOE(京東方)成都第8.6代AMOLED生產(chǎn)線項(xiàng)目提前4個(gè)月開(kāi)始工藝設(shè)備搬入,創(chuàng)下全球同世代產(chǎn)線建設(shè)效率新紀(jì)錄。
發(fā)表于 05-22 14:59
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購(gòu)三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
SamMobile報(bào)道稱(chēng);三星半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)延長(zhǎng)工時(shí)的申請(qǐng)獲得勞動(dòng)部京畿道分支機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。韓國(guó)政府允許三星半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)的員工每周工作最長(zhǎng) 64 小時(shí),具體來(lái)說(shuō),在前
發(fā)表于 04-16 11:20
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還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。 報(bào)道指出,為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進(jìn)設(shè)備
發(fā)表于 02-14 13:43
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——7.05萬(wàn)億韓元,顯示出三星電子在經(jīng)營(yíng)和盈利能力上的穩(wěn)健。 在資本支出方面,三星電子在2024年的總
發(fā)表于 02-05 14:56
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近日,三星電子在美國(guó)加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)。會(huì)上,三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī),還展示了與谷歌共
發(fā)表于 01-24 10:22
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在現(xiàn)代電子制造中,原裝物料的質(zhì)量直接影響著產(chǎn)品的性能和可靠性。因此,辨別三星原裝物料成為了許多電子產(chǎn)品制造商和采購(gòu)人員的重要任務(wù)。容樂(lè)電子作為專(zhuān)業(yè)的元器件供應(yīng)商,且是
發(fā)表于 12-13 15:29
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11月8日,據(jù)最新報(bào)道,三星電子今年對(duì)其智能手機(jī)產(chǎn)品線中的OLED面板需求預(yù)計(jì)將達(dá)到驚人的1.632億塊。然而,一個(gè)挑戰(zhàn)也隨之而來(lái):
發(fā)表于 11-08 17:06
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10月29日,三星顯示公司宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)突破:成功研發(fā)出QD-OLED顯示面板所需的量子點(diǎn)墨水再生技術(shù),并已自本月起投入量產(chǎn)線應(yīng)用。這一創(chuàng)新技術(shù)將顯著提升
發(fā)表于 10-29 15:36
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三星電子發(fā)布報(bào)告,揭示其超大尺寸電視銷(xiāo)售迎來(lái)顯著增長(zhǎng),今年前三季度,80英寸及以上電視的銷(xiāo)量較去年同期攀升了15%,這明顯反映出消費(fèi)者對(duì)大型家庭娛樂(lè)系統(tǒng)的強(qiáng)烈偏好。
發(fā)表于 10-22 15:49
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三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三
發(fā)表于 09-12 16:27
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三星電子即將在九月底震撼發(fā)布其最新折疊屏旗艦手機(jī)——W25,這款手機(jī)在技術(shù)創(chuàng)新與用戶(hù)體驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了重大飛躍。W25的核心亮點(diǎn)在于其卓越的屏下攝像頭技術(shù)與極致輕薄的機(jī)身設(shè)計(jì),為用戶(hù)開(kāi)啟了折
發(fā)表于 08-23 16:51
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三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三
發(fā)表于 08-22 17:19
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8月7日,市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)(Nvidia)測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子對(duì)此事態(tài)的反
發(fā)表于 08-07 15:23
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評(píng)論