得益于先進(jìn)的工藝，臺積電今年的營收又要創(chuàng)新高，即便是沒有了華為這樣的客戶，也絲毫不受影響。

臺積電昨日舉行南科3nm米晶圓廠上梁典禮，董事長劉德音透露，臺積電規(guī)劃的3nm廠廠房基地面積約為35公頃，當(dāng)3nm進(jìn)入量產(chǎn)時，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過每月60萬片12寸晶圓。

劉德音還表示，臺積電營收去年已經(jīng)連續(xù) 10 年創(chuàng)下紀(jì)錄，今年也將再刷新紀(jì)錄，南科營收 2019 年產(chǎn)值高達(dá)新臺幣 3，800 億元，占臺積電營業(yè)額的37%，今年預(yù)估將突破新臺幣4400億元。

報告顯示，今年臺積電營收之所以猛增，主要還是跟5nm、7nm工藝有關(guān)，因為市場需求非常的高，特別是蘋果的訂單，完全供應(yīng)不上。

為了保持領(lǐng)先，臺積電已經(jīng)下單訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)，將會在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時間表尚不清楚。同時，明年臺積電實際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺EUV光刻機(jī)。

目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點(diǎn)上制造芯片，但在未來幾個季度，該公司將增加N6（實際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。

臺積電對EUV工具的需求正在增加是因為其技術(shù)越來越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時多圖案技術(shù)的使用。
責(zé)編AJX