比利時imec的“Advanced RF”計劃是一項競爭前的研究計劃，旨在為5G以上和100GHz以上的設(shè)備，系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)建路線圖。

該計劃將研究使用由化合物和CMOS半導體制成的混合IC，以在100GHz以上的載頻上實現(xiàn)非常高的帶寬和能效。imec將尋求多個合作伙伴資助和參與這項工作，并共同制作原型，以展示各種電路和系統(tǒng)的潛力。它已經(jīng)是EU Taranto項目的一部分，該項目生產(chǎn)了緊湊的140GHz無線電模塊，該模塊可實現(xiàn)高達80 Gbit / s的單鏈路數(shù)據(jù)速率。

“還有6G上的確切特性和性能規(guī)格一些討論，因為實際的標準化工作尚未開始，” IMEC的的連通域副總裁 MichaelPeeters在 R＆d活動的一份聲明中說?！安贿^，顯而易見的是，下一代無線網(wǎng)絡(luò)將大大超過上一代。預(yù)計的功能包括100 Gbit / s的單鏈路吞吐量，微秒級延遲和顯著更高的能源效率——不到1納焦/位?！?/p>

“我們認為，這對于實現(xiàn)諸如人工智能（AI）等自動駕駛系統(tǒng)之間的聯(lián)合學習這樣的概念至關(guān)重要，其他用例包括在人口稠密的城市中心部署超高速，超可靠的移動熱點，沉浸式增強現(xiàn)實（AR）應(yīng)用程序和全息技術(shù)得到了支持?！?/p>

硅目前缺乏以期望的速率和能量效率進行傳輸?shù)哪芰?，因此需要添加化合物半導體電路。

“新的III-V材料（例如磷化銦（InP））可能提供了一種出路，但尚未將其集成到硅平臺上。因此，我們將專門研究III-V / CMOS混合方法。我們將研究如何將III-V材料與CMOS技術(shù)異構(gòu)結(jié)合，這些材料在可靠性方面如何發(fā)揮作用，起作用的降解機制如何，等等。在這些見解的基礎(chǔ)上，我們旨在創(chuàng)建高效，低成本的移動設(shè)備技術(shù)。-有效地在100GHz甚至更高的頻率下運行。

同樣，對于高比特率接口的當前默認選擇——正交頻域復(fù)用（OFDM），可能不再是在100GHz以上運行的6G系統(tǒng)的正確選擇。更高頻率的更多定向波束可以更加積極地利用空間復(fù)用?？赡苄枰W(wǎng)格劃分以及數(shù)據(jù)和控制的更大分離。

“人們普遍認為，未來的移動網(wǎng)絡(luò)將必須在100GHz以上的頻率下運行，才能提供100 Gbit / s或更高的數(shù)據(jù)速率。但是，到目前為止，尚缺乏清晰，成熟的基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)途徑，” imec首席執(zhí)行官Luc Van den hove說，“通過我們的Advanced RF計劃，我們的目標是將影響力擴展到超出我們在半導體領(lǐng)域的先驅(qū)角色，提供有關(guān)整個連接生態(tài)系統(tǒng)的見識和技術(shù)，不僅涉及啟用6G的方面，而且還適用于下一代Wi- Fi通訊”。
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