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兩位年輕中國芯片科學(xué)家的雄心:突破AI算力瓶頸

hl5C_deeptechch ? 來源:DeepTech深科技 ? 作者:DeepTech深科技 ? 2020-12-04 14:16 ? 次閱讀
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近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院的研究團隊在 Nature 上發(fā)表了題為《通過原子厚度半導(dǎo)體材料構(gòu)建存儲和計算單元》(Logic-in-memory based on an atomically thin semiconductor)的論文。

該研究成果通過一種單一體系結(jié)構(gòu)將邏輯運算和數(shù)據(jù)存儲兩種功能模塊有效整合到了一起,這或許為更高效計算機的出現(xiàn)鋪平了道路。值得注意的是,這項技術(shù)尤其適合用于人工智能計算。

來自中國的博士生趙雁飛、王震宇等亦參與了本次論文寫作。

DeepTech 聯(lián)系到論文通訊作者 Andras Kis 及論文作者之一趙雁飛,她表示,本次研究由瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米級電子和結(jié)構(gòu)實驗室(LANES)的 Andras Kis 教授最先發(fā)起并指導(dǎo),同時 Andras Kis 也是該論文的通訊作者,博士生 Guillherme Migliato Marega 在趙雁飛等人的協(xié)作下,一起完成了上述新型計算存儲二合一芯片的制備。

圖 | 存儲器中的邏輯

關(guān)于計算和存儲,目前業(yè)界流行的做法是盡量縮短存儲單元與計算單元的通信 “路徑”。以目前排名第一的日本超算 “富岳” 所搭載的 A64FX 為例,其芯片就采用了融合 CPU+GPU 的通用架構(gòu),并且內(nèi)置了 7nm 的 HBM2 存儲器,每個芯片的內(nèi)存帶寬高達 1024 GB/s。

圖 |富岳A64FX 結(jié)構(gòu)示意圖

但問題依舊沒有從根本上解決,這些存儲單元和計算單元仍然是割裂開的,那么有沒有可能將它們 “合二為一” 呢?

我們目前用的計算機通常會在 CPU 處理數(shù)據(jù),然后把數(shù)據(jù)傳遞到硬盤、或固態(tài)硬盤進行存儲。

該模式已經(jīng)運行幾十年,但顯然存在著更高效的方式,比如人類大腦。它被稱為是世界上最強大的計算機,大腦中的神經(jīng)元,就可以同時處理和存儲信息。

基于此,Andras Kis 教授試圖通過模仿人類大腦,來研發(fā)出存儲單元和計算單元合二為一的芯片。思路確定后,該團隊采用二硫化鉬(MoS2)作為通道材料,并將其用于開發(fā)基于浮柵場效應(yīng)晶體管(FGFETs)的存儲器中邏輯器件和電路。在演示可編程或非門之后,F(xiàn)GFETs 作為適用于可重構(gòu)邏輯回路的構(gòu)建模塊,可應(yīng)用在更復(fù)雜的可編程邏輯上。

據(jù)趙雁飛介紹,在本次研究中,博士生 Guillherme Migliato Marega 搭建出測試裝置、并獨立完成了電學(xué)測量。趙雁飛則用有機金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD),制備了單層單晶體MoS2 材料。

博士生王震宇在同為通訊作者的 Aleksandra Radenovic 教授的指導(dǎo)下,進行了拉曼光譜分析和晶圓級單層 MoS2 薄膜的生長;博士后 Mukesh Tripathi 執(zhí)行了高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)測量和模擬;Guillherme Migliato Marega 和博士后 Ahmet Avsar 以及 Andras Kis 教授共同負責(zé)數(shù)據(jù)分析和總結(jié),并在所有作者的協(xié)助下撰寫出論文手稿,論文大概可分為四個要點:類腦的計算機結(jié)構(gòu)、門電路及可編程的設(shè)計、半導(dǎo)體材料的選定、以及在實驗室的樣品制作。

據(jù)悉,該芯片由二硫化鉬制成,二硫化鉬是一種由鉬和硫組成的化合物,它在制造非常小的晶體管、發(fā)光二極管LED)和太陽能電池方面具有非常大的潛力。

Andras Kis 表示,在厚度為 0.65 納米的 MoS2 片中,電子可以像在厚度為 2 納米的硅片中一樣有效移動,并且其能耗可以較后者減少 10 萬倍。

MoS2 材料具有很好的電氣特性,可以對其構(gòu)建的晶體管電導(dǎo)率進行精確且連續(xù)的控制,這是石墨烯無法比擬的。并且,二硫化鉬對浮柵場效應(yīng)晶體管中存儲的電荷非常敏感,因此研究人員可以開發(fā)出能同時用作存儲器存儲單元和可編程晶體管的電路。此外,二硫化鉬還能將多個處理功能整合到單個電路中,并根據(jù)需要進行更改。

芯片構(gòu)建于浮柵場效應(yīng)晶體管(FGFET)的基礎(chǔ)之上,這些晶體管能夠長時間存儲電荷,即能實現(xiàn)“非易失性存儲”,未來可以廣泛應(yīng)用于相機、智能手機和計算機的閃存系統(tǒng)中。

本次研究中涉及到的浮柵內(nèi)存結(jié)構(gòu)如下圖所示,它主要包含一個本地鉻 / 鈀底柵和一個薄膜鉑浮柵,這種組成使其具有連續(xù)、且光滑的表面,進而帶來金屬表面粗糙度的降低,頂部隧穿氧化層與 2D 通道交界處的電介質(zhì)紊亂也可借此降低,最終裝置性能和穩(wěn)定性得以提高。

圖 | 內(nèi)存設(shè)備架構(gòu)

如下圖所示,本次研究的所有裝置部件,都以可擴展的方式進行裝配,所以沒有使用任何剝離型材料(剝離:物理、化學(xué)作用后產(chǎn)生的一種現(xiàn)象)。

圖 | 存儲器陣列的光學(xué)顯微圖示

對于將邏輯運算和數(shù)據(jù)存儲放到同一架構(gòu)的好處, Andras Kis 表示:“我們的電路設(shè)計具有多個優(yōu)勢。它可以減少與在內(nèi)存單元和處理器之間傳輸數(shù)據(jù)相關(guān)的能量損耗,減少計算操作所需的時間,并減少所需的空間。這為更小、更強大和更節(jié)能的設(shè)備打開了大門?!?/p>

存算一體化的突破之日,也是 AI 算力瓶頸的突破之日。為解決上述問題,微軟、英特爾等公司,已經(jīng)投資過該技術(shù)方向,但是目前仍未誕生可大范圍應(yīng)用的產(chǎn)品。

本次瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院由提出的新辦法,有望解決上述難題。該研究的負責(zé)人 Andras Kis 教授表示:“這種電路運行兩種功能的能力類似于人腦的工作方式,(就像)神經(jīng)元(一樣)既能夠存儲記憶又能夠進行心理計算?!?/p>

趙雁飛告訴 DeepTech,該團隊在二維材料半導(dǎo)體領(lǐng)域建樹頗多。他們曾在 2010 年設(shè)計出第一個由厚度僅為 0.7nm 的單層 MoS2 組成的晶體管芯片,隨后又發(fā)表出其他基于單層過渡金屬硫化物(TMDC)的重要成果,其中包括 2013 年發(fā)布的第一款基于 MoS2 的閃存設(shè)備。

該團隊的第一批電子芯片制備,都是基于手工剝離的 MoS2材料制成的,成功率都比較低。在當(dāng)時的知識體系和實驗條件下,研究人員并不清楚如何增強芯片可靠性。此后,該團隊發(fā)現(xiàn),用當(dāng)前的知識可以制造出結(jié)合閃存和晶體管的電路,并可做到只用閃存就能完成記憶和運算等所有工作。

來自湖北黃岡的 90 后 “芯片學(xué)者”

今年 27 歲的趙雁飛,出生于湖北黃岡,年少時隨父母在武漢學(xué)習(xí)和定居。2011 年,她考上浙江大學(xué),就讀于材料科學(xué)與工程學(xué)院,并獲得工學(xué)學(xué)士學(xué)位。

在本科后半段,浙大老師幫她獲取了很多實驗室項目參與機會,這些經(jīng)歷也幫她申請來 EPFL 留學(xué)的機會。來到 EPFL 后,她繼續(xù)材料學(xué)科的學(xué)習(xí),并于 2018 年取得理學(xué)碩士學(xué)位。在修課的同時,她曾先后加入三個實驗室,期間也在瑞士 ABB 公司的研發(fā)部門實習(xí)過半年。

她告訴 DeepTech,這些不同的經(jīng)歷給予她探尋自己科研興趣的機會,在碩士畢業(yè)論文期間,她對現(xiàn)在的導(dǎo)師 Andras Kis 教授所做的二維材料和器件領(lǐng)域產(chǎn)生了極大的好奇,因此便留在組里并最終確定了以 “提升二維材料電學(xué)性能” 為課題來攻讀她的博士學(xué)位。

論文第一作者 Guillherme Migliato Marega 和趙雁飛的經(jīng)歷頗為相似,他告訴 DeepTech,自己于 1994 年出生于巴西圣保羅的一個鄉(xiāng)村大學(xué)城圣卡洛斯,高中畢業(yè)后,進入圣保羅大學(xué)(USP)學(xué)習(xí)電子工程學(xué)專業(yè),并參與 USP 和法國里昂中央理工學(xué)院一起開設(shè)的雙學(xué)位課程,最終獲得工程師文憑。在此期間,他廣泛參與各種小型課程研究項目。在開始博士生涯的前一年,他與巴西一位教授進行了一次關(guān)于二維材料的對話。這場談話也成為他后續(xù)研究的啟蒙,自此他對此類材料可能帶來的電子應(yīng)用充滿熱情,這促使其聯(lián)系了在該領(lǐng)域開拓出 TMDC 的 Andras Kis 教授,并最終確定以 “開發(fā)最先進的內(nèi)存處理器” 為課題來攻讀他的博士學(xué)位。

這兩位來自不同國家的 90 后學(xué)者,在本次論文中表示:“內(nèi)存和邏輯的這種直接集成可以提高處理速度,為基于 2D 材料的節(jié)能電路實現(xiàn)機器學(xué)習(xí)物聯(lián)網(wǎng)和非易失性計算開辟了道路?!?/p>

談及應(yīng)用場景,趙雁飛表示,理論上講這種方法可替代手機或計算機中的處理器。即使最終無法實現(xiàn)上述目標,它也可以用于信號處理,如芯片上的圖像或聲音處理。

最后她補充道,該研究目前仍處于早期階段,本次只實現(xiàn)了小規(guī)模電路的落地。未來有待解決問題是這些電路能否大規(guī)模制造,以及是否會帶來經(jīng)濟效益。

原文標題:兩位年輕中國芯片科學(xué)家的雄心:全新通道材料實現(xiàn)存算一體化,志在突破AI算力瓶頸

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