12月1日，據(jù)日媒報道，比利時半導體研究機構(gòu) IMEC的CEO兼總裁Luc Van den hove在日本東京ITF論壇上透露，通過與 ASML的緊密合作將下一代高分辨率EUV技術進行了商業(yè)化。

Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微縮層面技術細節(jié)。截至目前，ASML 已經(jīng)布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未來發(fā)展路線規(guī)劃。

根據(jù)先前晶圓大工大廠臺積電和三星電子介紹，從 7nm制程技術開始，部分制程技術已經(jīng)推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光設備，5nm制程技術也達成了頻率的提升，但對于2nm以下的超精細制程技術，則還是需要能夠達成更高的分辨率和更高 NA （NA=0.55） 的曝光設備。

對此，目前 ASML 也已經(jīng)完成了做為 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光設備的基本設計，但商業(yè)化的時間則是預計最快在 2022 年左右。

該報道指出，包括日本在內(nèi)的許多半導體公司已經(jīng)退出了微縮化工藝，聲稱摩爾定律已經(jīng)走到了盡頭，或者稱它成本過高且無利可圖。

但ASML過去一直與IMEC密切合作開發(fā)光刻技術，但為了開發(fā)使用高 NA EUV 曝光設備，ASML在IMEC的園區(qū)內(nèi)成立了新的“IMEC-ASML 高 NA EUV 實驗室”，以共同開發(fā)和使用高 NA EUV 曝光設備的相關技術。

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