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開(kāi)關(guān)電源“Y電容”都是這樣計(jì)算的!

電源研發(fā)精英圈 ? 來(lái)源:電源研發(fā)精英圈 ? 作者:電源研發(fā)精英圈 ? 2020-12-07 14:38 ? 次閱讀

開(kāi)關(guān)電源基本原理圖

1.一次電路(Primary Circuit) :

直接與外部電網(wǎng)電源連接的.

2.二次電路(Secondary Circuit):

位于設(shè)備內(nèi)與一次側(cè)相隔離的那部分電路.

3.Y-電容(Y-Capacitor):

跨接于一次電路與地或一,二次電路之間的高壓電容.

開(kāi)關(guān)電源接地、漏電流、耐壓測(cè)試(安規(guī))

1.接地連續(xù)性測(cè)試(Ground Continuity Test):

A.定義:

從Inlet PG 端上通過(guò)電流至使用者可接觸的接地端,確保其阻值小于規(guī)格值,達(dá)到接地保護(hù)的功用.

B.標(biāo)淮:

1.輸入電流不大于25A,(DC or AC)電壓不超過(guò)12V,時(shí)間至少3秒(TUV要求).

2.測(cè)試結(jié)果:電阻值不得大于100 mΩ.

2.接地泄漏電流測(cè)試(Earth Leakage Current Test):

A.定義:

通過(guò)一個(gè)被安規(guī)單位(UL,TUV,CSA…)認(rèn)可的“人體阻抗模擬電路”,測(cè)量當(dāng)待測(cè)物 (SPS)接通電源時(shí)在可觸到的金屬部件與地之間流經(jīng)人體的電流量.

B.標(biāo)淮:

1.輸入電壓為額定電壓上限的106%.

2.測(cè)試結(jié)果:Class I≦3.5mA;Class II≦0.25mA.

3.耐壓測(cè)試(Dielectric Withstand Voltage Test):

A.定義:

又稱高電壓介電測(cè)試,即 Hi-pot(High Potential)Test,從一次側(cè)對(duì)二次側(cè)(或一次側(cè)對(duì)地)之間實(shí)施高電壓以確定內(nèi)部絕緣層有隔離危險(xiǎn)電壓的功用.

B.標(biāo)淮:

1.輸入電壓為下列所示:

2.測(cè)試結(jié)果:不可有絕緣擊穿現(xiàn)象(Breakdown).

耐壓測(cè)試交流與直流之區(qū)別

耐壓測(cè)試之漏電流計(jì)算方法

1. DC 測(cè)試之漏電流設(shè)定:

DC 測(cè)試電流非常小(μA),一般一次側(cè)對(duì)二次側(cè)之間實(shí)施DC高電壓,漏電流設(shè)定:0μA~100μA.

2. AC 測(cè)試之漏電流理論計(jì)算:

計(jì)算公式:I =2π*f*V*Cy

其中:

f— 測(cè)試電壓頻率 ( 50Hz or 60Hz )

V— 測(cè)試電壓 ( unit : volt )

Cy—跨接于一次側(cè)與地或一,二次側(cè)之間的Y電容總和.

所以:Imin= 2π*f*V*Cymin

Imax= 2π*f*V*Cymax

Cy電容計(jì)算 ::Cy =Cy1Cy2Cy3…

若一次側(cè)地與二次側(cè)地之間跨接一顆Y電容(Cy0),則:

Y電容公差一般為 :/-20% OR /-10%

3. 實(shí)際設(shè)定AC 測(cè)試漏電流時(shí)需考慮下列因素:

1.考慮初始漏電流 :

初始漏電流即在無(wú)待測(cè)物狀態(tài)下,所測(cè)得的漏電流.

2.考慮Y電容公差 :

電源工程師在選擇同一顆容量大小的Y電容時(shí),往往有幾個(gè)型號(hào),但其公差不一樣(有的是 /-10%;有的是 /-20%),給實(shí)際漏電流設(shè)置帶來(lái)麻煩,因此我們應(yīng)該按 /-20% 公差去設(shè)定.否則須依 /-10% 公差去設(shè)定.

3.考慮實(shí)際線路中存在的分散電容,因此漏電流范圍設(shè)定:(下限取整 :上限入整)

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