我國(guó)第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來(lái)已久，但受制于技術(shù)等因素，市場(chǎng)始終不慍不火。然而今年市場(chǎng)出現(xiàn)明顯改觀，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，諸如天和通訊、吳越半導(dǎo)體分別投資60億元和37億元用于GaN的全產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，博方嘉芯、華通芯電投資25億元和29億元投入GaN射頻建設(shè)當(dāng)中。

不過(guò)，當(dāng)前第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用大多處在研發(fā)階段，尚未形成量產(chǎn)化，因此SiC處在爆發(fā)式增長(zhǎng)的前期。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2017年至2023年，SiC的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到31%，到2023年，其市場(chǎng)規(guī)模約為15億美元。在該領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)于SiC的研究起步時(shí)間與國(guó)外廠商差距較小，差距尚無(wú)第一、第二代半導(dǎo)體顯著。因此，國(guó)產(chǎn)廠商有望追上國(guó)外企業(yè)，逐步實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

與此同時(shí)，Global Market Insights數(shù)據(jù)顯示，GaN與SiC功率器件市場(chǎng)在2025年將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增速達(dá)到30%。半導(dǎo)體區(qū)別于其它材料的主要特性是帶隙能，而GaN提供的帶隙能是Si的3倍，更高的帶隙意味著較高溫度下的更佳性能電壓，因此，GaN將會(huì)成為Si的理想替代品。隨著上述設(shè)備在光伏逆變器、混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車、UPS和其他電力應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用，該市場(chǎng)已經(jīng)初步顯現(xiàn)。

因此，為了讓投資者更充分了解第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，12月17日（周四）15:30，邀請(qǐng)到方正證券科技行業(yè)首席分析師陳杭做客第二十四期“開(kāi)講”，帶來(lái)以《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析》為主題的精彩演講。
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