電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)作為芯片制造過程中的核心設備,光刻機決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機已經(jīng)成為高端芯片(7nm及以下)芯
發(fā)表于 10-17 00:13
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的應用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過度導致光刻膠過度反應,使線寬變寬;或曝光不足造成線寬變窄。采用先進的曝光
發(fā)表于 06-30 15:24
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是 ASML 在極紫外光刻(EUV)技術基礎上的革命性升級。通過將光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)從 0.33 提升至 0.55,其分辨率從 13.5nm(半節(jié)距)躍升至 8nm(半節(jié)
發(fā)表于 06-29 06:39
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ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導體行業(yè)領先供應商ASML發(fā)起,是一項面向中國半導體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在
發(fā)表于 06-23 17:04
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? EUV光刻有多強?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機
發(fā)表于 02-18 09:31
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億歐元。這一季度的新增訂單金額為71億歐元,其中EUV光刻機訂單占據(jù)了30億歐元,顯示出市場對ASML高端光刻技術的強烈需求。 回顧全年,ASML
發(fā)表于 02-10 11:14
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數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個 21 世紀,這種令人難以置信的縮小趨勢(從 90 納米到 7 納米及更?。╅_創(chuàng)了技術進步的新時代。 在過去十年
發(fā)表于 01-22 14:06
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芯片制造、價值1.5億美元的極紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv)光刻掃描
發(fā)表于 01-09 11:31
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據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設備的半導體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個階段
發(fā)表于 12-20 13:48
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,維持樂觀的長期收入前景。預期毛利率則更是利好,毛利率高達56%至60%之間。 此外,阿斯麥公司還承諾將增加派息和股票回購。 ASML的CEO??Christophe Fouquet在會議上透露:“ASML有能力將EUV技術擴展
發(fā)表于 11-15 19:48
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1. 三星將于2025 年初引進High NA EUV 光刻機,加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報道,三星電子正準備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)光刻機設備,這標
發(fā)表于 10-31 10:56
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近日,據(jù)知情人士透露,全球知名工業(yè)巨頭西門子公司正在與軟件制造商Altair Engineering就潛在收購交易進行談判。此次收購若成功,將成為西門子有史以來最大的一筆收購。
發(fā)表于 10-28 16:57
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本官方研究機構在日本設立先進半導體研發(fā)中心,以提振日本半導體設備制造與材料產(chǎn)業(yè)。 據(jù)介紹,這座新的研發(fā)中心將在未來3到5年落成,擬配備極紫外光(EUV)光刻設備。
發(fā)表于 09-05 10:57
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近日,日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)發(fā)布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術。這一創(chuàng)新技術超越了當前半導體制造業(yè)的標準界限,其設計的光刻設備
發(fā)表于 08-03 12:45
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1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機,ASML 當?shù)貑T工計劃增至600 人 ? 隨著日本準備進口其首批極紫外(EUV)光刻機,作為唯一技術
發(fā)表于 07-24 10:51
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