一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

比亞迪半導(dǎo)體或于明年自建SiC產(chǎn)線

我快閉嘴 ? 來(lái)源:科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) ? 作者:宋子喬 ? 2020-12-24 12:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)媒體今日?qǐng)?bào)道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線,預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。

據(jù)了解,比亞迪半導(dǎo)體以IGBT和SiC為核心,擁有IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝測(cè)試以及整車(chē)應(yīng)用。目前,比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車(chē)型漢EV四驅(qū)版正是國(guó)內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車(chē)型。按照比亞迪公布的計(jì)劃,預(yù)計(jì)到 2023 年,其旗下電動(dòng)車(chē)將實(shí)現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體對(duì) IGBT的全面替代,整車(chē)性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

比亞迪半導(dǎo)體宣布自建SiC產(chǎn)線或許與其SiC產(chǎn)能不足有關(guān)。9月17日,比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平在接受專(zhuān)訪時(shí)回應(yīng)稱(chēng),目前,SiC的產(chǎn)能仍在爬坡,而漢EV后驅(qū)版的預(yù)定量非常多,遠(yuǎn)超企業(yè)預(yù)期,因此造成供貨趕不上需求的問(wèn)題。但他也表示,從第四季度開(kāi)始,SiC產(chǎn)能將能持續(xù)滿足漢EV四驅(qū)版的銷(xiāo)售需求?!?/p>

比亞迪半導(dǎo)體之外,近期,國(guó)內(nèi)其他半導(dǎo)體龍頭布局SiC的消息不斷。

此前12月17日,斯達(dá)半導(dǎo)公告擬計(jì)劃總投資2.29億元,投資建設(shè)年產(chǎn)8萬(wàn)顆車(chē)規(guī)級(jí)全SIC功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測(cè)試中心;同月,三安集成宣布已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。

另外,應(yīng)用端,電動(dòng)車(chē)龍頭公司也已經(jīng)走在了前列。特斯拉此前在Model3率先采用以24個(gè)SIC-MOSFET為功率模塊逆變器。

資料顯示,目前SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)在新能源汽車(chē)的功率控制單元(PCU)、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器等。而根據(jù)Omdia預(yù)計(jì),2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為431億美元,至2024年將突破500億美元。

安信證券12月21日發(fā)布研報(bào)稱(chēng),新能源汽車(chē)及光伏加速普及,SiC迎來(lái)大發(fā)展機(jī)遇,SiC基功率器件有望取代Si基,超400億美元市場(chǎng)待開(kāi)拓。中泰證券也在12月17日發(fā)布研報(bào),預(yù)計(jì)2021年汽車(chē)領(lǐng)域SIC有望進(jìn)入放量元年。

具體到投資機(jī)會(huì),中泰證券表示,產(chǎn)業(yè)鏈以歐美日為主,國(guó)產(chǎn)替代空間較大。國(guó)企業(yè)在襯底、外延和器件方面均有所布局,但是體量均較小。國(guó)內(nèi)SIC襯底材料廠商中,已上市公司包括:露笑科技、天科合達(dá),器件商斯達(dá)半導(dǎo)、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技等。

安信證券則稱(chēng),國(guó)內(nèi)基本已實(shí)現(xiàn)SiC襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、生產(chǎn)設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋,設(shè)備、材料廠商具備先發(fā)優(yōu)勢(shì),有望率先受益。該機(jī)構(gòu)重點(diǎn)推薦晶盛機(jī)電、建議關(guān)注華峰測(cè)控、天通股份。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    459

    文章

    52464

    瀏覽量

    440188
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28865

    瀏覽量

    237098
  • 比亞迪
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2473

    瀏覽量

    55271
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4066

    瀏覽量

    254402
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    超800億美元!功率半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng),理想、比亞迪自研SiC模塊引領(lǐng)行業(yè)變革

    有限公司副總裁馬衛(wèi)清在2025中國(guó)(深圳)集成電路峰會(huì)表示。 2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有哪些機(jī)遇?全球功率半導(dǎo)體的頭部廠商和中國(guó)廠商在占有率上有哪些變化?汽車(chē)企業(yè)自研SIC器件有哪些進(jìn)展?本文結(jié)合華潤(rùn)微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清的
    的頭像 發(fā)表于 06-27 00:09 ?7354次閱讀
    超800億美元!功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng),理想、<b class='flag-5'>比亞迪</b>自研<b class='flag-5'>SiC</b>模塊引領(lǐng)行業(yè)變革

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?334次閱讀

    比亞迪半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025

    近日,全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開(kāi)幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案亮相,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:09 ?533次閱讀

    電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

    傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,
    的頭像 發(fā)表于 05-03 15:29 ?240次閱讀
    電力電子新未來(lái):珠聯(lián)璧合,基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>SiC</b>模塊及<b class='flag-5'>SiC</b>驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

    北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

    8英寸、12英寸晶圓產(chǎn),布局SiC與65nm特色工藝,產(chǎn)品涵蓋功率器件與顯示驅(qū)動(dòng)芯片,2024年12英寸產(chǎn)達(dá)產(chǎn)后將進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)能。
    發(fā)表于 03-05 19:37

    見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!

    進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于IGBT!主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:28 ?757次閱讀
    見(jiàn)證功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>歷史:<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!

    華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

    近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì),共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:33 ?719次閱讀

    從國(guó)產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問(wèn)題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌

    可持續(xù)發(fā)展必須以器件質(zhì)量為生命,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)行業(yè)的器件質(zhì)量之所以成為生命,核心在于其直接決定了產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性和市場(chǎng)信任度。以下從技術(shù)、行業(yè)現(xiàn)象及后果三個(gè)層面進(jìn)行深度剖析: 1. 器件質(zhì)量是國(guó)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:14 ?349次閱讀

    使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

    作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對(duì)成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設(shè)計(jì)人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
    的頭像 發(fā)表于 01-26 22:10 ?538次閱讀
    使用 <b class='flag-5'>SiC</b> 功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>提升高性能開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

    星曜半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)投產(chǎn),開(kāi)啟芯片自主制造新紀(jì)元

    近日,浙江星曜半導(dǎo)體有限公司在溫州灣新區(qū)與龍灣區(qū)隆重舉行了5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)項(xiàng)目的投產(chǎn)儀式,標(biāo)志著星曜半導(dǎo)體在芯片制造領(lǐng)域邁出了具有里程碑意義的一步。 此次投產(chǎn)的5G射頻濾波器
    的頭像 發(fā)表于 12-30 10:45 ?682次閱讀

    天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

    ,但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、芯
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:39 ?1249次閱讀
    天域<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>8英寸<b class='flag-5'>SiC</b>晶圓制備與外延應(yīng)用

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?4405次閱讀

    芯動(dòng)半導(dǎo)體與羅姆簽署SiC車(chē)載功率模塊合作協(xié)議

    近日,長(zhǎng)城汽車(chē)旗下的無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“芯動(dòng)半導(dǎo)體”)與全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將以SiC為核心,共同開(kāi)發(fā)車(chē)載功率模塊,致力于提升新能源汽車(chē)(xEV
    的頭像 發(fā)表于 10-14 16:42 ?845次閱讀

    SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:19 ?3539次閱讀

    三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)投資

    據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn),并預(yù)計(jì)該產(chǎn)將于明年6月正式投入運(yùn)營(yíng)。這一舉
    的頭像 發(fā)表于 08-13 14:29 ?869次閱讀