三星擬犧牲DRAM產(chǎn)能保住CIS芯片
芯片設(shè)計(jì)、晶圓代工、內(nèi)存閃存設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，三星的觸角囊括了多個(gè)重要的半導(dǎo)體領(lǐng)域。
不過，最新消息稱，三星計(jì)劃讓渡部分DRAM產(chǎn)能，以保障全球大缺貨的CIS芯片，以滿足這部分客戶的需求。
CIS即圖像傳感器，也就是CMOS元件，目前三星在全球的份額僅次于索尼。以小米11為例，前后四顆攝像頭，多達(dá)三顆的元件都是三星ISOCELL方案。
外界分析，此舉可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存缺貨漲價(jià)，畢竟三星高層做出此決定的考慮之一就是保DRAM的利潤(rùn)，同時(shí)搶CIS市場(chǎng)的份額。
另外幾大內(nèi)存顆粒廠商中，美光12月發(fā)生停電事故，晶圓污染影響了產(chǎn)能。SK海力士收購(gòu)Intel的閃存部門后，也無(wú)暇對(duì)DRAM進(jìn)行大舉擴(kuò)產(chǎn)，畢竟收購(gòu)花了90億美元。
2019到2020年以來(lái)，內(nèi)存的價(jià)格節(jié)節(jié)走低，也許漲價(jià)也早已是廠商們盤算的事情。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52494瀏覽量
440658 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2348瀏覽量
185614 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182344
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道
據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，
三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
三星芯片代工新掌門：先進(jìn)與成熟制程并重
制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時(shí)，韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星
三星推出業(yè)界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達(dá)42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得益于多項(xiàng)改進(jìn)與更新，該
三星或重新設(shè)計(jì)1a DRAM以提升HBM質(zhì)量
三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題，該公司在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
三星或重獲英偉達(dá)游戲芯片訂單
據(jù)外媒最新報(bào)道，三星電子有望重新獲得英偉達(dá)的未來(lái)新款游戲芯片（GPU）制造訂單，這一消息為三星的市場(chǎng)前景注入了新的活力。
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平，更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬(wàn)片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張
三星或成蘋果新CIS供應(yīng)商，挑戰(zhàn)索尼獨(dú)供地位
近日，蘋果產(chǎn)業(yè)鏈資深分析師郭明錤在社交平臺(tái)發(fā)布重要預(yù)測(cè)，指出三星有望自2026年起成為蘋果新一代iPhone的CIS（影像感測(cè)器）供應(yīng)商，這一變化將徹底打破索尼多年來(lái)對(duì)蘋果CIS的獨(dú)家供應(yīng)局面。為此，
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論