IGBT、FRED作為功率半導(dǎo)體器件的主要代表，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電與電能質(zhì)量管理、新能源汽車（充電樁）、軌道交通與航海航空、5G與數(shù)據(jù)中心電源、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與醫(yī)療器械等領(lǐng)域，是目前用途最廣、用量最大的高頻大功率半導(dǎo)體器件，是電氣與自動(dòng)化、電力傳輸與信息通信系統(tǒng)中的核心器件。

在當(dāng)前復(fù)雜而嚴(yán)峻的國(guó)際形勢(shì)下，積極推動(dòng)我國(guó)功率半導(dǎo)體材料、芯片、封測(cè)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程具有極其重大的意義，而研發(fā)和生產(chǎn)自主可控的IGBT、FRED芯片及模塊已成為國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)。

事實(shí)上，我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模增速快于全球，2012年-2019年我國(guó)IGBT年復(fù)合增長(zhǎng)率為14.52%。根據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，到2025年，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，2018-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.96%。

在快速增長(zhǎng)的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，宏微科技等公司發(fā)展迅猛。近年來(lái)，該公司主營(yíng)業(yè)務(wù)整體保持穩(wěn)定增長(zhǎng)趨勢(shì)，但透過招股書，發(fā)現(xiàn)，該公司的芯片業(yè)務(wù)“日漸式微”，究其背后，是其自研產(chǎn)品成本下不來(lái)，主要芯片來(lái)源于外購(gòu)。

芯片業(yè)務(wù)“日漸式微”

在招股書中，宏微科技稱，目前已成為國(guó)內(nèi)少數(shù)集芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試和技術(shù)服務(wù)于一體的全產(chǎn)品鏈企業(yè)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT、FRED大規(guī)模生產(chǎn)的國(guó)內(nèi)企業(yè)之一，同時(shí)也是國(guó)內(nèi)多家知名工業(yè)控制企業(yè)的主要IGBT模塊供應(yīng)商。

從其公開的產(chǎn)品分類及對(duì)應(yīng)的業(yè)務(wù)收入可知，宏微科技近三年及一期的業(yè)務(wù)整體保持平穩(wěn)增長(zhǎng)。公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品100余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流橋及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種。

具體來(lái)看，宏微科技不同業(yè)務(wù)發(fā)展發(fā)生了不小的變化。模塊業(yè)務(wù)近年來(lái)保持持續(xù)增長(zhǎng)，從2017年的12340.29萬(wàn)元增長(zhǎng)至19442.34萬(wàn)元。在多個(gè)業(yè)務(wù)中占比逐漸提高，由2017年的59.72%增長(zhǎng)到2019年的75.40%，足以證明模塊已然成為其主要業(yè)務(wù)構(gòu)成。

模塊業(yè)務(wù)發(fā)展情況與國(guó)內(nèi)市場(chǎng)實(shí)際情況基本相符。近年來(lái)，受益于國(guó)際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，以及下游計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子等需求的拉動(dòng)，我國(guó)電力電子產(chǎn)品，尤其是新型電力電子器件如IGBT、FRED、

MOSFET等功率半導(dǎo)體器件保持了較快的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

目前，我國(guó)已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)國(guó)，2018年市場(chǎng)需求規(guī)模達(dá)到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例超過35%。預(yù)計(jì)中國(guó)功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長(zhǎng)，2021年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到159億美元，2018年-2021年年化增速達(dá)4.83%。

與模塊業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢(shì)截然相反，宏微科技的芯片業(yè)務(wù)卻是“日漸式微”。2017年，其芯片業(yè)務(wù)發(fā)展得不錯(cuò)，當(dāng)年收入為1501.55萬(wàn)元；經(jīng)過三年后，其芯片業(yè)務(wù)收入只有一千萬(wàn)左右，在業(yè)務(wù)構(gòu)成比例中也從7.27%下滑至4.18%。

對(duì)于芯片業(yè)務(wù)收入大幅減少的原因，宏微科技在招股書中并沒有直接說明，但從招股書內(nèi)容來(lái)看，其外購(gòu)芯片比例增加明顯，背后或與客戶更愿意采用外購(gòu)芯片而減少采購(gòu)宏微科技自研芯片有關(guān)。

外購(gòu)芯片比例逐年增高

我國(guó)IGBT行業(yè)近年來(lái)規(guī)模不斷擴(kuò)大，國(guó)內(nèi)也有一批半導(dǎo)體企業(yè)正在進(jìn)入IGBT行業(yè)，但是國(guó)內(nèi)能夠自主研發(fā)設(shè)計(jì)芯片的企業(yè)較少，國(guó)內(nèi)企業(yè)仍主要依靠進(jìn)口芯片進(jìn)行生產(chǎn)，因此生產(chǎn)成本較高，進(jìn)口依賴較強(qiáng)，經(jīng)營(yíng)穩(wěn)定性較差。

據(jù)了解，宏微科技芯片的采購(gòu)主要通過自主研發(fā)設(shè)計(jì)并委托芯片代工企業(yè)制造加工，以及向英飛凌等國(guó)外生產(chǎn)廠商直接采購(gòu)兩種方式。

報(bào)告期內(nèi)，宏微科技主要原材料芯片采購(gòu)金額隨宏微科技產(chǎn)品產(chǎn)量的增加，宏微科技采購(gòu)的芯片金額隨之增加。

從招股書可知，外購(gòu)芯片采購(gòu)金額從2017年的3，776.68萬(wàn)元增長(zhǎng)到2019年的6，200.62萬(wàn)元，外購(gòu)芯片占采購(gòu)總額比例從25.38%增至34.17%。從外購(gòu)芯片比例來(lái)看，宏微科技2019年對(duì)外購(gòu)芯片的依賴程度較高。

對(duì)于外購(gòu)芯片比例持續(xù)增長(zhǎng)，宏微科技沒有直接說明，與之有關(guān)的解釋是“根據(jù)客戶的實(shí)際需求，采購(gòu)指定廠商的芯片?！?/p>

不過，從招股書中，筆者發(fā)現(xiàn)，宏微科技聲稱其芯片性能已與英飛凌基本接近。據(jù)悉，其最新研發(fā)的宏微第四代IGBTM4i750V280A芯片與英飛凌科技國(guó)內(nèi)新能源車主流使用的車用HybridPackDrive模塊中所用EDT2芯片做橫向?qū)Ρ瓤芍?，宏微科技的芯片產(chǎn)品在擊穿耐壓、短路極限時(shí)間方面與英飛凌芯片基本相同，在損耗、電流密度方面與英飛凌芯片相接近。

“隨著公司第四代IGBT平臺(tái)的逐漸成熟，公司同時(shí)著力推進(jìn)產(chǎn)品的平臺(tái)化和產(chǎn)業(yè)化，完善并完成進(jìn)口芯片替代工作?！?/p>

然而，早在2017年推出宏微第三代IGBTM3i1200V系列產(chǎn)品時(shí)，其產(chǎn)品性能和英飛凌的產(chǎn)品性能接近。但從近三年的情況來(lái)看，其國(guó)產(chǎn)替代程度并沒有進(jìn)一步推進(jìn)，采購(gòu)國(guó)外芯片反而越來(lái)越高。

自研芯片成本仍較高

對(duì)于國(guó)外芯片采購(gòu)比例較高，宏微科技的解釋主要有以下兩方面，一方面是采購(gòu)規(guī)模增加可以降低采購(gòu)單價(jià)；另一方面是其自研芯片的成本問題。

在招股書中，宏微科技稱，報(bào)告期內(nèi)主要原材料采購(gòu)價(jià)格總體相對(duì)穩(wěn)定，其中芯片（外購(gòu)）采購(gòu)價(jià)格逐年下降，2017年度至2019年度隨著采購(gòu)規(guī)模的增加采購(gòu)單價(jià)總體有所下降。

可知，2017-2019年，宏微科技自研IGBT芯片的采購(gòu)成本分別為6.73元/粒、6.21元/粒和6.17元/粒；國(guó)內(nèi)IGBT企業(yè)斯達(dá)半導(dǎo)同期的自研芯片成本分別為5.16元/粒、4.77元/粒和5.25元/粒（2019年1-6月數(shù)據(jù)）。

數(shù)據(jù)對(duì)比明顯看出，宏微科技的自研芯片成本雖然在逐年下降，但仍遠(yuǎn)高于斯達(dá)半導(dǎo)的產(chǎn)品成本。

值得一提的是，報(bào)告期內(nèi)，斯達(dá)半導(dǎo)自主研發(fā)的IGBT及快恢復(fù)二極管芯片采購(gòu)金額占當(dāng)期IGBT及快恢復(fù)二極管芯片采購(gòu)總額比例為20.26%、32.08%、45.30%和52.71%。逐年增高的數(shù)據(jù)也反映了斯達(dá)半導(dǎo)自研芯片逐步替代進(jìn)口芯片，不斷提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，并通過原客戶渠道擴(kuò)張市場(chǎng)占有量。

行業(yè)人士指出，IGBT芯片是IGBT模塊中最核心的原材料，研發(fā)難度較大，市場(chǎng)上可選擇的供應(yīng)商資源較少，客戶驗(yàn)證周期較長(zhǎng)。因此，宏微科技自研芯片的成本無(wú)法有效與國(guó)內(nèi)龍頭持平，導(dǎo)致客戶采用外購(gòu)芯片的比例增加或是其芯片業(yè)務(wù)逐年下降的主要原因。
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