三星1nm時代光刻機(jī)體積將增加
近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
目前，ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub?1nm都已經(jīng)做出了清晰的路徑規(guī)劃，據(jù)了解，1nm時代的光刻機(jī)在體積方面將會增加不少。
體積增加的主要原因是光學(xué)器件增大所致，潔凈室指數(shù)也達(dá)到天花板。
據(jù)悉，在臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光設(shè)備，也就是NA=0.55。
現(xiàn)在，ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計（NXE：5000系列），預(yù)計將會在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。
ASML目前在售的兩款極紫外光刻機(jī)分別是TWINSCAN?NXE：3400B和TWINSCAN?NXE：3400C，預(yù)計3600D計劃在明年年中出貨，其生產(chǎn)效率將會提升18%。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182338 -
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1164瀏覽量
48184 -
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
725瀏覽量
42281
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機(jī)的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關(guān)，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后
發(fā)表于 05-07 06:03
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費試用
，或者M(jìn)DP軟件。
現(xiàn)有可免費試用的光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件，可實現(xiàn)最高1nm精度的大型圖形轉(zhuǎn)換，同時只需要的少量的電腦內(nèi)存就可以運行。如需要請聯(lián)系我，謝謝！
發(fā)表于 05-02 12:42
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm
發(fā)表于 04-18 10:52
三星貼片電容封裝與體積大小對照詳解
不同應(yīng)用場景的需求。本文將詳細(xì)介紹三星貼片電容的封裝類型及其對應(yīng)的體積大小，幫助讀者更好地理解和選擇適合自身需求的電容產(chǎn)品。 一、三星貼片電容封裝類型
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道
據(jù)報道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM
據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12
三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b
光刻機(jī)的分類與原理
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量
近日，據(jù)相關(guān)報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖，并計劃在這一生產(chǎn)過
用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個多世紀(jì)，摩爾定律一直推動著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長卡在193
光刻機(jī)的工作原理和分類
，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。芯片的加工過程對精度要求極高，光刻機(jī)通過一系列復(fù)雜的技術(shù)手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖
今日看點丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款Hi
發(fā)表于 10-31 10:56
?1043次閱讀
三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高
工商網(wǎng)監(jiān)
評論