一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiP正持續(xù)成長以緩解因晶體管尺寸日趨物理極限的壓力

電子工程師 ? 來源:長電科技 ? 作者:長電科技 ? 2021-01-20 18:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

摩爾定律,雖命名為“定律”,但究其本質(zhì)更像是一條預(yù)言,一條在過去的 50 年間始終引導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的偉大預(yù)言。但是,現(xiàn)階段摩爾定律下工藝的無限制成長終會遭遇一道名為“物理極限”的壁壘,如何繞過壁壘以延續(xù)乃至超越摩爾定律成為了現(xiàn)如今業(yè)界的發(fā)展重心。

如果說系統(tǒng)級芯片(System on Chip,英文簡稱 SoC)技術(shù)是摩爾定律不斷發(fā)展所產(chǎn)生的重要產(chǎn)物,那么系統(tǒng)級封裝(System in Package,英文簡稱 SiP)技術(shù)便是實(shí)現(xiàn)超越摩爾定律的關(guān)鍵路徑。在“后摩爾定律”所提供的關(guān)鍵助力之下,SiP 生態(tài)系統(tǒng)正持續(xù)成長以緩解因晶體管尺寸日趨物理極限產(chǎn)生的壓力。

6cd7c568-5924-11eb-8b86-12bb97331649.png

(圖片來源:TSMC) 隨著 5G 通信機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)應(yīng)用的快速普及,系統(tǒng)級封裝 SiP 技術(shù)在短短的時間內(nèi)便已經(jīng)成為實(shí)現(xiàn)微系統(tǒng)功能多樣化、集成異構(gòu)化、體積及成本最小化的最優(yōu)方案。

對于 SiP 技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng),除了業(yè)內(nèi)人士非常熟悉的半導(dǎo)體材料和計算機(jī)輔助設(shè)計(CAD)軟件之外,IC 基板技術(shù)及與之關(guān)聯(lián)的供應(yīng)鏈同樣是 SiP 生態(tài)系統(tǒng)的重要一環(huán)。上圖所示為當(dāng)前半導(dǎo)體封測行業(yè)中常見的基板技術(shù)及其趨勢。 目前從技術(shù)發(fā)展的趨勢來看,雙面塑模成型技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合技術(shù)可以并稱為拉動系統(tǒng)級封裝技術(shù)發(fā)展的“三駕創(chuàng)新馬車”。NO.1雙面塑模成型技術(shù)雙面塑模成型技術(shù)(Double-Sided Molding Technology)之所以成為系統(tǒng)級封裝工程專家的新寵,主要有兩個原因: (一)有效減少封裝體積以節(jié)省空間。 (二)有效縮短多個裸芯(Bare Dies)及被動元件之間的連接線路以降低系統(tǒng)阻抗、提升整體電氣性能。 更小的封裝體積、更強(qiáng)的電氣性能,為雙面塑模成型技術(shù)在 SiP 領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景提供了良好的基礎(chǔ)。下圖所示為一例由長電科技成功導(dǎo)入規(guī)模量產(chǎn)的雙面塑模成型 SiP 射頻前端模塊產(chǎn)品。

長電科技的雙面封裝 SiP 產(chǎn)品采用了多項先進(jìn)工藝以確保雙面塑模成型技術(shù)的成功應(yīng)用。該產(chǎn)品采用了 C-mold 工藝,實(shí)現(xiàn)了芯片底部空間的完整填充,并有效減少了封裝后的殘留應(yīng)力, 保證了封裝的可靠性。

同時 Grinding 工藝的應(yīng)用,使封裝厚度有了較大范圍的選擇,同步實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制產(chǎn)品的厚度公差。為了去除流程中殘留的多余塑封料,長電科技還采用了 Laser ablation 工藝,以確保產(chǎn)品擁有更好的可焊性。

這項技術(shù)看似稀松平常,實(shí)則機(jī)關(guān)暗藏,每一項創(chuàng)新技術(shù)的成功落地都要經(jīng)歷許多挑戰(zhàn)。雙面塑模成型(Double-Sided Molding Technology)技術(shù)的落地主要面臨著以下三大挑戰(zhàn): (一)塑模成型過程中的翹曲問題。 (二)背面精磨(Back Grinding)過程中的管控風(fēng)險。 (三)激光灼刻(Laser Ablating)及錫球成型(Solder Ball Making)中的管控風(fēng)險。 面對全新工藝所帶來的諸多挑戰(zhàn),長電科技選擇直面困難,攻克一系列技術(shù)難題,并成功于 2020 年 4 月通過全球行業(yè)領(lǐng)先客戶的認(rèn)證,實(shí)現(xiàn)了雙面封裝 SiP 產(chǎn)品的量產(chǎn)。 在這項全新突破的工藝中,長電科技嚴(yán)格把控生產(chǎn)流程,采用高度自動化的先進(jìn)制程,將在雙面塑模成型過程可能發(fā)生的各類風(fēng)險隱患進(jìn)行了有效降低。

原文標(biāo)題:詳解 SiP 技術(shù)體系中的三駕創(chuàng)新馬車(一)

文章出處:【微信公眾號:長電科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238099
  • SiP
    SiP
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    526

    瀏覽量

    106479
  • 長電科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    377

    瀏覽量

    32925

原文標(biāo)題:詳解 SiP 技術(shù)體系中的三駕創(chuàng)新馬車(一)

文章出處:【微信號:gh_0837f8870e15,微信公眾號:長電科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    晶體管架構(gòu)的演變過程

    芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?829次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過程

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    先進(jìn)的晶體管架構(gòu),是納米片晶體管(Nanosheet FET)的延伸和發(fā)展,主要用于實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度,滿足未來半導(dǎo)體工
    發(fā)表于 06-20 10:40

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    智能計算新紀(jì)元:具記憶功能的晶體管問世

    在當(dāng)今電子工業(yè)中,對更快、更高效組件的需求巨大,滿足現(xiàn)代計算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限,它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間,尤其是在需要數(shù)十億個
    的頭像 發(fā)表于 03-11 11:34 ?394次閱讀
    智能計算新紀(jì)元:具記憶功能的<b class='flag-5'>晶體管</b>問世

    互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?3192次閱讀
    互補(bǔ)場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的結(jié)構(gòu)和作用

    如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優(yōu)勢比較

    壞,引腳是否彎曲或斷裂。 2. 極性測試 二極測試 :使用萬用表的二極測試功能,檢查晶體管的基極和發(fā)射極之間的正向和反向電壓降。 3. 電流增益測試 直流電流增益 :測量晶體管在不
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?1184次閱讀

    晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數(shù)字電路中的作用

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 :
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:46 ?1696次閱讀

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1032次閱讀

    達(dá)林頓晶體管概述和作用

    結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)通過級聯(lián)多個晶體管,實(shí)現(xiàn)了更高的電流增益和更廣泛的應(yīng)用場景。達(dá)林頓晶體管最早由英國物理學(xué)家吉姆·達(dá)林頓(或稱為悉尼·達(dá)靈頓,具體名字可能資料不同而有所差異)在1953年
    的頭像 發(fā)表于 09-29 15:42 ?1799次閱讀

    晶體管的輸出特性是什么

    晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號、電源電壓、溫度以及
    的頭像 發(fā)表于 09-24 17:59 ?1756次閱讀

    晶體管的基本工作模式

    晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性,通過控制輸入電壓或電流來實(shí)現(xiàn)對輸出電流的控制。下面將詳
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:40 ?1909次閱讀

    CMOS晶體管尺寸規(guī)則

    CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計領(lǐng)域,它涉及到多個方面的考量,包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)、
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4259次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?7826次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?4017次閱讀