光刻機是芯片制造過程中，所需的最核心設(shè)備，光刻機的精度決定著芯片的上限。

目前，還有ASML有能力生產(chǎn)最先進的EUV光刻機，三星、臺積電都是ASML的客戶。但受《瓦森納協(xié)定》的制約，中國大陸沒有從ASML買來一臺EUV光刻機。

在2020年11月的世博會上，ASML展示了DUV光刻機。該DUV光刻機可以生產(chǎn)7nm芯片，中國可以從ASML采購，且不受美國制約。

那么，既然DUV光刻機能銷往中國，也能制造7nm，為什么都搶著買價格更昂貴的EUV光刻機？

首先，二者所用的準分子激光束不同，造成精度不同。

在芯片制造過程中，EUV光刻機采用的是極紫光源，波長為13.5nm，光束功率更強，精度也更高。

可以輕松制造出7nm芯片，甚至5nm、3nm。

而DUV光刻機則采用的準分子深紫外光源，干式光刻技術(shù)最高能實現(xiàn)157nm波長；浸沒式光刻技術(shù)能實現(xiàn)193nm，等效134nm的波長。DUV光刻機與EUV光刻機的差距一目了然。

在曝光過程中，波長更長的DUV光刻機光束散射、折射更多，這影響了其精度效率。

因而，DUV光刻機雖能實現(xiàn)7nm，但效果并不如EUV光刻機理想。

其次，光刻機波長決定著光刻技術(shù)的分辨率套刻精度。

頻率高、波長短的光束透鏡補償更直接，因而良品率更高，并且精度上限更高。EUV光刻機能實現(xiàn)7nm，甚至是5nm、3nm。

而DUV光刻機則需要多次曝光之后，才能實現(xiàn)7nm，無法繼續(xù)提高精度，并且多次曝光使得制造芯片的成本更高。

因此，荷蘭DUV光刻雖然能制造7nm，但EUV光刻機是最佳選擇。

中芯國際追求EUV光刻機之路

前段時間中芯國際“內(nèi)訌”風(fēng)波時，在網(wǎng)傳梁孟松辭職信中有提到，中芯國際已經(jīng)攻克的5nm、3nm關(guān)鍵技術(shù)，只等EUV光刻機。不難看出EUV光刻機的重要性。

若是中國能買到一臺EUV光刻機，那中國芯片產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)一次大跨越。

因此，中芯國際一直想要買到一臺EUV光刻機。2018年，中芯國際曾從ASML買到了一臺EUV光刻機，荷蘭政府也向ASML發(fā)放了出口許可。

然而，就在等待交付的時間里，發(fā)生了一系列的變化，美國向荷蘭政府施壓、ASML主要元件供應(yīng)商工廠起火等等。最終，中芯國際至今沒有收到這臺EUV光刻機。

近來有消息稱，中芯國際將就EUV光刻機問題，同ASML進行談判。這一次，中芯國際能否迎來EUV光刻機，就讓我們拭目以待。
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