近期，重磅推出了【十大“芯”突破】評選特別活動。經(jīng)過為期10天的投票，心目中的2020國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)十大“芯”突破評選結(jié)果已經(jīng)出爐，以下十大熱點話題成功入選。（排名不分先后）

長江存儲正式推出128層QLC 3D NAND 閃存

2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。

據(jù)悉，該款3D NAND閃存還創(chuàng)下了三個“最”：業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

除此之外，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）也于2020年6月20日在武漢東湖高新區(qū)開工；之后，9月10日，長江存儲正式推出致鈦系列兩款消費級固態(tài)硬盤（SSD）新品。

時創(chuàng)意、瀾起科技等廠商加速高端存儲“芯”發(fā)展

2020年8月4日，瀾起科技在回復(fù)DDR5相關(guān)配套芯片等問題時表示，公司計劃在2020年完成DDR5第一代內(nèi)存接口及其配套芯片量產(chǎn)版本芯片的研發(fā)，實際量產(chǎn)時間取決于服務(wù)器生態(tài)的成熟度。

10月，時創(chuàng)意發(fā)布采用業(yè)界先進8 Die堆疊技術(shù)打造的大容量256GB eMMC存儲芯片。據(jù)悉，時創(chuàng)意已開始啟動UFS高端手機存儲芯片的開發(fā)，預(yù)計在2021年下半年會推出256GB-1TB UFS系列芯片。

此外，嘉合勁威也已經(jīng)全面布局DDR5內(nèi)存模組，預(yù)計2021年將率先實現(xiàn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)。

紫光國芯發(fā)布基于格芯12納米低功耗工藝新IP接口

2020年11月5日，紫光國芯正式發(fā)布了基于格芯12納米低功耗工藝（GF 12LP）的GDDR6存儲控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺上架。

紫光國芯總經(jīng)理任奇?zhèn)ゲ┦勘硎荆骸?a target="_blank">人工智能（AI）和網(wǎng)絡(luò)市場正在迅速增長，因此刺激了對內(nèi)存帶寬需求的增長。借助GF 12LP平臺優(yōu)勢，我們的GDDR6 MC/PHY IP將大幅提升性能，并極大地推動GDDR6應(yīng)用的發(fā)展。”

長江存儲Xtacking生態(tài)聯(lián)盟正式成立

8月20日，長江存儲在武漢召開“融合創(chuàng)新·長存之道”Xtacking合作伙伴生態(tài)大會。國科微、嘉合勁威、聯(lián)蕓、金泰克等企業(yè)參與了此次大會。

本次大會明確了以“技術(shù)品牌創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力”為導(dǎo)向，以終端產(chǎn)品為載體，通過聯(lián)盟中上下游企業(yè)的創(chuàng)新融合，將Xtacking圖形商標打造成為性能強勁、技術(shù)創(chuàng)新、品質(zhì)可靠的高端存儲器代名詞。長江存儲Xtacking生態(tài)聯(lián)盟正式成立。

長鑫存儲與藍鉑世簽署專利許可協(xié)議

2020年4月，長鑫存儲與Rambus（藍鉑世）簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態(tài)隨機存取存儲（以下簡稱“DRAM”）技術(shù)專利的實施許可。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“與藍鉑世達成的協(xié)議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)的國際規(guī)則。”藍鉑世總裁兼首席執(zhí)行官Luc Seraphin則指出：“這份長期協(xié)議的簽署為長鑫存儲的業(yè)務(wù)發(fā)展提供權(quán)益保障，同時認可了藍鉑世廣泛的存儲技術(shù)專利組合的重要價值?！?/p>

值得一提的是，5月12日，兆易創(chuàng)新亦宣布與Rambus就RRAM （電阻式隨機存取存儲器） 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。

兆易創(chuàng)新NAND Flash和DRAM核心業(yè)務(wù)突破

2020年10月15日，兆易創(chuàng)新正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品—GD5F4GM5系列。兆易創(chuàng)新透露，從設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)，GD5F4GM5系列均為純國產(chǎn)化與自主化產(chǎn)品，并已成功量產(chǎn)。

而在DRAM研發(fā)進展方面，根據(jù)此前發(fā)布的《非公開發(fā)行A股股票申請文件一次反饋意見的回復(fù)》顯示，兆易創(chuàng)新計劃2021年量產(chǎn)首款芯片。昨日（2月4日），兆易創(chuàng)新在互動平臺表示，預(yù)計上半年公司會有自研DRAM產(chǎn)品推出。據(jù)兆易創(chuàng)新此前透露，其自研第一個產(chǎn)品會是DDR3 4Gb容量，面向利基市場。

金泰克、朗科等廠商推出國產(chǎn)存儲“芯”品

過去的2020年，國內(nèi)存儲廠商的發(fā)展可圈可點，一系列國產(chǎn)存儲產(chǎn)品相繼推出。

如金泰克推出了驍帥系列內(nèi)存和C320 SSD產(chǎn)品，其中驍帥系列內(nèi)存采用長鑫存儲新一代顆粒，C320 SSD則搭配長江存儲3D NAND TLC顆粒。

而嘉合勁威旗下光威于2020年5月發(fā)布了弈Pro系列國產(chǎn)電腦存儲產(chǎn)品，其中光威弈Pro DDR4臺式機內(nèi)存條是首款真正意義上的純國產(chǎn)DDR4內(nèi)存條。

6月，朗科純國產(chǎn)化SSD產(chǎn)品 —“朗系列”正式面世，從主控芯片、閃存顆粒到生產(chǎn)制造所有的環(huán)節(jié)均由中國企業(yè)完成。

12月，佰維工業(yè)級國產(chǎn)SSD IM911系列正式量產(chǎn)入市，該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了主控、固件算法等流程國產(chǎn)化，為國產(chǎn)存儲生態(tài)再添生力軍。

此外，宏旺半導(dǎo)體積極參與北斗導(dǎo)航芯片的國產(chǎn)化運用，銓興科技等廠商亦在加速國產(chǎn)化替代。

兆易創(chuàng)新市值破千億

2020年2月13日，兆易創(chuàng)新股票漲幅超9%，股價創(chuàng)歷史新高，每股報收為317.96元，總市值達到1020.73億元，成為第六家市值破千億的半導(dǎo)體公司。

盡管到2020年12月31日，兆易創(chuàng)新總市值有所回落，但依然在千億元上下浮動。

據(jù)悉，兆易創(chuàng)新主要產(chǎn)品分為閃存芯片產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品以及2019年新增加的指紋傳感器產(chǎn)品。并且廣泛應(yīng)用于手持移動終端、消費類電子產(chǎn)品、個人電腦及周邊、網(wǎng)絡(luò)、電芯設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等領(lǐng)域，客戶涵蓋蘋果、華為、OPPO等全球一線品牌客戶。

佰維存儲、德明利等廠商加速邁進資本市場

近年來，IPO上市是半導(dǎo)體廠商發(fā)展的戰(zhàn)略布局之一，尤其是科創(chuàng)板，成為了企業(yè)向另一個臺階邁進的重要跳板。

存儲行業(yè)作為集成電路領(lǐng)域的重要組成部分，也有不少企業(yè)向資本市場發(fā)起了沖擊。

如東芯半導(dǎo)體的科創(chuàng)板申請狀態(tài)已更新為“已問詢”，普冉半導(dǎo)體科創(chuàng)板申請也已經(jīng)獲得上市委會議通過，華瀾微已接受科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)，德明利的創(chuàng)業(yè)板上市申請亦獲得了上交所受理。

此外，佰維存儲、江波龍也計劃在A股上市，目前均已接受上市輔導(dǎo)。

聯(lián)蕓科技聯(lián)合11家SSD品牌發(fā)布NVMe主控芯片

2020年6月1日，聯(lián)蕓科技聯(lián)合十一家一線SSD品牌，面向全球發(fā)布NVMe主控芯片及解決方案，為固態(tài)存儲生態(tài)帶來更多樣性的選擇。

參與此次聯(lián)動的一線SSD品牌包括：威剛科技、宇瞻科技、阿斯加特、佰維存儲、七彩虹、?？荡鎯?、宜鼎國際、金勝電子、朗科科技、臺電&銘瑄、金泰克半導(dǎo)體等。

此次聯(lián)蕓科技面向全球強勢發(fā)布的新品主控包括MAP1001及MAP1002兩款芯片。 產(chǎn)品全面覆蓋工業(yè)控制SSD、高端競技應(yīng)用SSD、筆電PC專用SSD等眾多應(yīng)用場景。
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