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汽車電子MCU中使用的可行性設(shè)計方法

MCU開發(fā)加油站 ? 來源:E芯微電子 ? 作者:E芯微電子 ? 2021-02-19 14:32 ? 次閱讀
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隨著集成電路集成度的提高,越來越多的元件集成到芯片上,電路功能變得復(fù)雜,工作電壓也在降低。當(dāng)一個或多個電路里產(chǎn)生的信號或噪聲與同一個芯片內(nèi)另一個電路的運行彼此干擾時,就產(chǎn)生了芯片內(nèi)的EMC問題,最為常見的就是SSN(Simultaneous Switch Noise,同時開關(guān)噪聲)和Crosstalk(串音),它們都會給芯片正常工作帶來影響。

由于集成電路通過高速脈沖數(shù)字信號進(jìn)行工作,工作頻率越高產(chǎn)生的電磁干擾頻譜越寬,越容易引起對外輻射的電磁兼容方面問題?;谝陨锨闆r,集成電路本身的電磁干擾(EMI)與抗擾度(EMS)問題已成為集成電路設(shè)計與制造關(guān)注的課題。 集成電路電磁兼容不僅涉及集成電路電磁干擾與抗擾度的設(shè)計和測試方法,而且有必要與集成電路的應(yīng)用相結(jié)合。針對汽車電子領(lǐng)域來講,將對整車級、零部件級的電磁兼容要求強制性標(biāo)準(zhǔn),結(jié)合到集成電路的設(shè)計中,才能使電路更易于設(shè)計出符合標(biāo)準(zhǔn)的最終產(chǎn)品。作為電子控制系統(tǒng)里面最為關(guān)鍵的單元——微控制器(MCU),其EMC性能的好壞直接影響各個模塊與系統(tǒng)的控制功能。

本文在汽車電子MCU 中采用抗EMI的設(shè)計方法,依據(jù)IEC61967傳導(dǎo)測試標(biāo)準(zhǔn),對汽車電子MCU進(jìn)行電磁干擾的測試。

汽車電子MCU設(shè)計方法

下面介紹在汽車電子MCU中使用的可行性設(shè)計方法以及其他幾種抗EMI設(shè)計技術(shù)。

時鐘電路設(shè)計

由于時鐘電路產(chǎn)生的時鐘信號一般都是周期信號,其頻譜是離散的,離散譜的能量集中在有限的頻率上。又由于系統(tǒng)中各個部分的時鐘信號通常由同一時鐘分頻、倍頻得到,它們的譜線之間也是倍頻關(guān)系,重疊起來進(jìn)而增大輻射的幅值,因此說時鐘電路是一個非常大的污染源。 針對汽車電子MCU 數(shù)字前端設(shè)計,在抗EMI方面采用門控時鐘的方法改進(jìn)。任何時鐘在不需要時都應(yīng)關(guān)閉,減低工作時鐘引起的電磁發(fā)射問題。根據(jù)A8128(汽車電子MCU的型號)芯片系統(tǒng)功能設(shè)計要求,采用Run、Idle、Stop和Debug四種工作模式,在每一種工作模式下針對系統(tǒng)時鐘、外設(shè)模塊時鐘進(jìn)行適當(dāng)門控。此外,還有幾種在時鐘方面常見的抗EMI的設(shè)計方法,包括:① 降低工作頻率MCU的工作時鐘應(yīng)該設(shè)定為滿足性能要求所需的最低頻率。

從下面的測試結(jié)果可以看出,一個MCU的運行頻率由80MHz變?yōu)?0MHz,可以使頻譜寬頻范圍內(nèi)的干擾峰值產(chǎn)生幾十dBμV 的衰減,而且能夠有效的降低功耗。② 異步設(shè)計異步電路工作沒有鎖定一個固有頻率,電磁輻射大范圍均勻分布而不會集中在特定的窄帶頻譜中。這一關(guān)鍵本質(zhì)特征決定了即使異步電路使用大量的有源門電路,它所產(chǎn)生的電磁發(fā)射也要比同步電路小。③ 擴展頻譜擴展頻譜時鐘是一項能夠減小輻射測量值的技術(shù),這種技術(shù)對時鐘頻率進(jìn)行1%~2%的調(diào)制,擴散諧波分量,在CISPR16或FCC發(fā)射測試中峰值較低,但這并非真正減小瞬時發(fā)射功率。因此,對一些快速反應(yīng)設(shè)備仍可能產(chǎn)生同樣的干擾。擴展頻譜時鐘不能應(yīng)用于要求嚴(yán)格的時間通信網(wǎng)絡(luò)中,比如FDD、以太網(wǎng)、光纖等。

IO端口設(shè)計

在汽車電子MCU 的輸入輸出端口設(shè)計中,也加入了抗EMI方案,包括翻轉(zhuǎn)速率(slew rate control)和驅(qū)動強度(drive strength)控制方法。通過在所有通用P口引入可配置的翻轉(zhuǎn)速率和驅(qū)動強度寄存器,在需要的時候打開相應(yīng)功能。翻轉(zhuǎn)速率有打開和關(guān)閉兩種選擇,打開后能夠有效地平緩上升沿或者下降沿,降低瞬態(tài)電流,進(jìn)而控制芯片產(chǎn)生的電磁干擾強度。驅(qū)動強度有強驅(qū)動電流和弱驅(qū)動電流兩種選擇,在能夠滿足工作驅(qū)動強度的情況下,選擇弱電流驅(qū)動會更好的控制電磁干擾現(xiàn)象。

另外,基于GSMC 180nm工藝庫,選擇具有施密特觸發(fā)特性的IO,可以有效地平緩輸入信號中帶進(jìn)來的尖峰或者噪聲信號等,對芯片的電磁抗擾度有所幫助。

原文標(biāo)題:汽車電子MCU的抗EMI設(shè)計

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責(zé)任編輯:haq

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原文標(biāo)題:汽車電子MCU的抗EMI設(shè)計

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