Intel 14nm 單核追Zen3 14nm終極CPU超頻：內(nèi)存沖到5333MHz
快就到3月份了，Intel 14nm工藝的終極CPU——代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版也要上市了，還會(huì)搭配500系芯片組。
雖然14nm工藝聽(tīng)了太多次了，不過(guò)11代酷睿架構(gòu)技術(shù)大改，采用了全新的Cypress Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，性能大大飛躍，單核性能已經(jīng)可以超越AMD Zen3架構(gòu)的銳龍5000系列，并原生支持PCIe 4.0。
但因?yàn)閮H有最多8核心16線(xiàn)程，多核性能非常吃虧，功耗也偏高。
不過(guò)對(duì)超頻玩家來(lái)說(shuō)，11代酷?？赏嫘圆诲e(cuò)，特別是內(nèi)存頻率又要上一個(gè)臺(tái)階了，目前主板默認(rèn)支持的DDR4頻率上限多在5000MHz以?xún)?nèi)，但11代酷?？蛇_(dá)DDR4-5333MHz。
華碩的Z590系列主板已經(jīng)證明了這一點(diǎn)，不過(guò)5333MHz的內(nèi)存頻率并非華碩獨(dú)有，技嘉、微星的Z590主板也會(huì)支持，意味著這個(gè)頻率是Intel實(shí)現(xiàn)的，大家都可以用。
很顯然，在11代酷睿及Z590主板上，內(nèi)存超頻很有可能是廠(chǎng)商們力推的一個(gè)重要賣(mài)點(diǎn)，內(nèi)存廠(chǎng)商理應(yīng)也會(huì)推出更高頻的內(nèi)存供玩家挑選，畢竟不需要自己超頻就能實(shí)現(xiàn)5333MHz的內(nèi)存頻率，這一點(diǎn)還是很吸引高玩的。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3495瀏覽量
188399 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3119瀏覽量
75230 -
超頻
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
100瀏覽量
15866
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
單核CPU網(wǎng)關(guān)和雙核CPU網(wǎng)關(guān)有什么區(qū)別
單核CPU網(wǎng)關(guān)與雙核CPU網(wǎng)關(guān)的核心區(qū)別在于處理能力、多任務(wù)效率、性能表現(xiàn)及適用場(chǎng)景，雙核CPU網(wǎng)關(guān)在多任務(wù)處理、復(fù)雜計(jì)算和響應(yīng)速度上具有顯著優(yōu)勢(shì)，而
廣明源172nm晶圓光清洗方案概述
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠(chǎng)的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
技嘉Z890鈦雕主板以DDR5-12762MHz登頂內(nèi)存超頻之巔 重寫(xiě)性能天花板
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級(jí)超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過(guò)采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
突破14nm工藝壁壘：天準(zhǔn)科技發(fā)布TB2000晶圓缺陷檢測(cè)裝備
TB2000已正式通過(guò)廠(chǎng)內(nèi)驗(yàn)證，將于SEMICON 2025展會(huì)天準(zhǔn)展臺(tái)（T0-117）現(xiàn)場(chǎng)正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測(cè)裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)模化量產(chǎn)檢測(cè)能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點(diǎn)后，天準(zhǔn)在高端檢測(cè)裝備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少？
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒(méi)有在355nm下的客戶(hù)應(yīng)用案例？
這個(gè)是激光器的參數(shù)：355nm，脈寬5ns，單脈沖能量60uJ，照射面積0.37cm^2，
發(fā)表于 02-20 08:42
三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
消息稱(chēng)臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià)，即日起效！
）計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià)，漲幅在
蘋(píng)果iPhone 17或沿用3nm技術(shù)，2nm得等到2026年了！
有消息稱(chēng)iPhone17還是繼續(xù)沿用3nm技術(shù)，而此前熱議的2nm工藝得等到2026年了……
DDR內(nèi)存超頻技巧與注意事項(xiàng)
青睞。 DDR內(nèi)存超頻技巧 了解內(nèi)存規(guī)格 在進(jìn)行超頻之前，首先需要了解自己內(nèi)存的規(guī)格，包括內(nèi)存類(lèi)
臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺(tái)積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平，其中3nm將達(dá)到100%，而5nm更是突破了1
聯(lián)發(fā)科與英偉達(dá)合作AI PC 3nm CPU即將流片
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，聯(lián)發(fā)科與英偉達(dá)聯(lián)手打造的AI PC 3nm CPU即將于本月進(jìn)入流片階段，預(yù)計(jì)將于明年下半年正式量產(chǎn)。這一合作標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科與英偉達(dá)在高性能計(jì)算領(lǐng)域的深度合作進(jìn)一步加深。
酷睿13/14代臺(tái)式機(jī)CPU“縮缸”問(wèn)題已解決：全面解析+解決方案
過(guò)去這幾個(gè)月，Intel酷睿13/14代臺(tái)式機(jī)處理器的“縮缸”事件可謂沸沸揚(yáng)揚(yáng)。借著Intel發(fā)布終極聲明的機(jī)會(huì)，我們嘗試對(duì)該事件做個(gè)盤(pán)點(diǎn)、總結(jié)和分析。 電子工程專(zhuān)輯雖然并沒(méi)有全線(xiàn)
雙核cpu和單核cpu的區(qū)別
雙核CPU與單核CPU在多個(gè)方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在處理能力、性能、運(yùn)行效率、功耗以及適用場(chǎng)景等方面。 一、概念與結(jié)構(gòu) 雙核CPU ：指在一個(gè)處理器上集成兩個(gè)運(yùn)算核心，通過(guò)
AMD將推出Zen5架構(gòu)CPU，效能比Zen4快40%
AMD的Zen 5 CPU架構(gòu)采用了臺(tái)積電的3納米制程。雖然目前關(guān)于Zen 5 CPU的細(xì)節(jié)尚不清楚，但預(yù)計(jì)將提高性能效率，內(nèi)建人工智能和機(jī)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論