業(yè)界動(dòng)態(tài)

1. 國開行：2021年將新增500億元以上，加大對(duì)集成電路等股權(quán)投資

2. 斯達(dá)半導(dǎo)體計(jì)劃募資35億元，重點(diǎn)投資SiC芯片項(xiàng)目

3. 國家統(tǒng)計(jì)局：2020年集成電路產(chǎn)量 2614.7 億塊，增長29.6%

4. MEMS傳感器公司矽睿科技獲小米長江產(chǎn)業(yè)基金投資

5. SEMI：半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入超級(jí)循環(huán)

6. 英特爾專利權(quán)一審敗訴，需向VLSI Tech支付21.8億美元

7. 臨港新片區(qū)：到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1000億元

8. 全球功率半導(dǎo)體相關(guān)專利排名：美國總量第一，日企占多席位

業(yè)界動(dòng)態(tài)

1. 國開行：2021年將新增500億元以上，加大對(duì)集成電路等股權(quán)投資

3月2日，國家開發(fā)銀行董事長趙歡在國新辦新聞發(fā)布會(huì)上表示，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期2000億元已全面進(jìn)入投資階段，2021年開行準(zhǔn)備新增股權(quán)投資500億元以上，加大集成電路等產(chǎn)業(yè)的股權(quán)投資。

趙歡表示，2020年，國家開發(fā)銀行大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)的投資。開行子公司已經(jīng)圓滿完成了集成電路國家產(chǎn)業(yè)基金一期投資，支持了集成電路領(lǐng)域的重點(diǎn)企業(yè)快速發(fā)展，基金投資的財(cái)務(wù)效果也很明顯。開行按市場化運(yùn)作，去年科技領(lǐng)域的企業(yè)估值顯著上升，基金投資財(cái)務(wù)效果也非常明顯，市場化運(yùn)作非常成功。同時(shí)，開行也參與了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期的設(shè)立工作，募集了2000億元資金，現(xiàn)在已經(jīng)全面進(jìn)入了投資階段。

2. 斯達(dá)半導(dǎo)體計(jì)劃募資35億元，重點(diǎn)投資SiC芯片項(xiàng)目

3月2日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案（以下簡稱預(yù)案），計(jì)劃非公開發(fā)行股票，募集資金總額不超過35億元，其中，20億元用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，7億元用于功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目。

斯達(dá)半導(dǎo)體介紹，高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的項(xiàng)目，擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實(shí)現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

3. 國家統(tǒng)計(jì)局：2020年集成電路產(chǎn)量 2614.7 億塊，增長29.6%

2020年，我國全年規(guī)模以上工業(yè)中，高技術(shù)制造業(yè)增加值比上年增長7.1%，占規(guī)模以上工業(yè)增加值的比重為15.1%；裝備制造業(yè)增加值增長6.6%，占規(guī)模以上工業(yè)增加值的比重為33.7%。全年高技術(shù)產(chǎn)業(yè)投資比上年增長10.6%。全年新能源汽車產(chǎn)量145.6萬輛，比上年增長17.3%；集成電路產(chǎn)量2614.7億塊，增長29.6%。

4. MEMS傳感器公司矽?？萍极@小米長江產(chǎn)業(yè)基金投資

企查查信息顯示，上海矽?？萍加邢薰荆ㄒ韵潞喎Q：矽?？萍迹┙瞻l(fā)生工商變更，新增湖北小米長江產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）等多家投資方。注冊(cè)資本由74380萬元增至168761萬元，增幅達(dá)126.89%。

據(jù)了解，矽?？萍汲闪⒂?012年9月，專注于MEMS智能傳感器業(yè)務(wù)，設(shè)計(jì)和生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)傳感器產(chǎn)品，并為客戶提供相應(yīng)的智能應(yīng)用方案和服務(wù)。公司產(chǎn)品包括加速度傳感器、磁傳感器、氣壓高度計(jì)、陀螺儀、霍爾傳感器、角度傳感器、光感傳感器、組合慣性傳感器和相關(guān)智能傳感系統(tǒng)。

該公司擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，申請(qǐng)并成功授權(quán)70余項(xiàng)國際國內(nèi)發(fā)明專利，專利組合覆蓋MEMS工藝制程、傳感器設(shè)計(jì)和ASIC設(shè)計(jì)、算法和系統(tǒng)應(yīng)用軟件等。公司自2012年成立以來，以應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等消費(fèi)領(lǐng)域市場獲得了高速增長。

5. SEMI：半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入超級(jí)循環(huán)

SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）近日表示，看好5G、高效能運(yùn)算、車用等應(yīng)用將帶動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)成長，促使半導(dǎo)體設(shè)備步入超級(jí)循環(huán)周期，并將今年半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額增長率預(yù)估由原先的年增10%上修至15%。

SEMI產(chǎn)業(yè)研究總監(jiān)曾瑞榆則指出，今年晶圓代工營收可望成長超過10%，包含5G、高效能運(yùn)算、車用與物聯(lián)網(wǎng)為主要成長動(dòng)能。他也預(yù)期晶圓代工產(chǎn)能吃緊情況可能延續(xù)至下半年，晶圓廠產(chǎn)能利用率均逼近滿載，尤其8吋產(chǎn)能更是不足，預(yù)期8吋產(chǎn)能吃緊情況在今、明年可能都不會(huì)緩解。

6. 英特爾專利權(quán)一審敗訴，需向VLSI Tech支付21.8億美元

美國一家聯(lián)邦法院于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二裁定英特爾侵犯VLSI科技公司兩項(xiàng)芯片制造相關(guān)專利，需賠償21.75億美元。這是美國歷史上罰款最重的專利侵權(quán)訴訟之一，英特爾稱將上訴。

據(jù)悉，英特爾否認(rèn)侵權(quán)和另一項(xiàng)專利無效的主張均被法院否決。不過英特爾依舊在聲明中表示，“公司強(qiáng)烈反對(duì)陪審團(tuán)的裁決。我們打算上訴，并且相信我們會(huì)獲勝?！?/p>

彭博社稱，該案的一項(xiàng)專利最初于2012年授予飛思卡爾半導(dǎo)體公司，另一項(xiàng)于2012年授予SigmaTel，而后飛思卡爾半導(dǎo)體收購了SigmaTel，并于2015年被恩智浦收購。兩項(xiàng)專利已于2019年轉(zhuǎn)讓給VLSI。

7. 臨港新片區(qū)：到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1000億元

近日，中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)發(fā)布了集成電路產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)規(guī)劃（2021-2025）?！兑?guī)劃》顯示，到2025年，推進(jìn)重大項(xiàng)目落地建設(shè)，基本形成新片區(qū)集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地的基礎(chǔ)框架；到2035年，構(gòu)建起高水平產(chǎn)業(yè)生態(tài)，成為具有全球影響力的“東方芯港”。

產(chǎn)業(yè)規(guī)模：到2025年，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1000億元，芯片制造、裝備材料主導(dǎo)地位進(jìn)一步加強(qiáng)，芯片設(shè)計(jì)、封裝測試形成規(guī)?；?。

技術(shù)創(chuàng)新：到2025年，先進(jìn)工藝、成熟工藝、特色工藝進(jìn)入國際前列，EDA工具、光刻膠、大硅片等關(guān)鍵“卡脖子”技術(shù)產(chǎn)業(yè)化取得突破，2種以上關(guān)鍵裝備進(jìn)入全球領(lǐng)先制造企業(yè)采購體系。

企業(yè)培育：到2025年，引進(jìn)培育5家以上國內(nèi)外領(lǐng)先的芯片制造企業(yè)；形成5家年收入超過20億元的設(shè)備材料企業(yè)；培育10家以上的上市企業(yè)，圍繞5G、CPU、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、無人駕駛等細(xì)分領(lǐng)域發(fā)展壯大一批獨(dú)角獸設(shè)計(jì)企業(yè)。

人才集聚：匯聚超過2-5萬名碩士以上學(xué)歷的集成電路從業(yè)人員。

8. 全球功率半導(dǎo)體相關(guān)專利排名：美國總量第一，日企占多席位

隨著5G商用落地，工業(yè)4.0的持續(xù)推進(jìn)，功率半導(dǎo)體作為碳中和的重要技術(shù)受到廣泛關(guān)注。對(duì)比目前的Si功率器件，SiC和GaN等功率半導(dǎo)體具備處理高電壓、大電流的能力，且體積更小，耗電量也大幅降低。

根據(jù)日本運(yùn)營知識(shí)產(chǎn)權(quán)庫的Astamuse發(fā)布的數(shù)據(jù)，在2000年至2017年期間，全球37個(gè)國家共申請(qǐng)了4.7428萬件功率半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)專利。按國家劃分，美國的相關(guān)專利達(dá)1.3973萬件位于第一位，其次是日本的1.2872萬件，中國的8403件。

從企業(yè)專利數(shù)量來看，日本的三菱電機(jī)排名第一，為1304件，其次是德國英飛凌（983件），瑞薩電子（802件），東芝（456件）。富士電機(jī)（409件）排在第六，日立制作所（398件）為第七名。

責(zé)任編輯：lq6