常見的晶體管加速電路分析
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下：
加速電路一
在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個正的驅(qū)動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩(wěn)態(tài)。當(dāng)晶體管的驅(qū)動電壓突變?yōu)?時，還是因為電容電壓不能突變，CB兩端的電壓加到VT1的發(fā)射結(jié)上，可以形成很大的反向基極抽取電流，使VT1迅速關(guān)閉并進入問題。
加速電路二
在加速電路二中，高速開關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供一個低阻抗的通路。
加速電路三
在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。
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