在設(shè)計晶體振蕩器回路時，我們可注意以下三點：

1、激勵功率

激勵功率說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：

激勵功率 （ P）= i 2 Re

其中 i 表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re 表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R 1 （1+Co/C L ） 如果激勵功率 （P）超出指定范圍，振蕩頻率就會漂移。這是因為一個超過指定范圍的輸入驅(qū)動會在晶體上引發(fā)應(yīng)力，導(dǎo)致溫度上升。

如果在該晶體單元上施加過量的功率驅(qū)動力，可能損壞或破壞產(chǎn)品的特性。

2、振蕩補償

除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)電阻，否則可能增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3、負(fù)載電容

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式

C L C G × C D / （C G +C D ） +C S 。

其中 CS 表示電路的浮游電容。

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