1940年，貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應，1958年，美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。

從此功率半導體器件的研制及應用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨立成為電子電力學科。

作為電能/功率處理的核心器件，功率半導體器件主要用于電力設備的電能變換和電路控制，更是弱電控制與強電運行之間的溝通橋梁，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對設備正常運行起到關鍵作用。

與此同時，功率半導體器件還具有綠色節(jié)能功能，被廣泛應用于幾乎所有的電子制造業(yè)，目前使用領域正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機車、智能電網(wǎng)等領域發(fā)展。

隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應用領域的發(fā)展，功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導體新一代中的典型產(chǎn)品。

在半導體功率器件行業(yè)突飛猛進的同時，對應的測試行業(yè)也得到了飛速的發(fā)展。

眾所周知，一顆消費電子芯片最終做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過芯片設計、晶圓制造、晶圓測試、封裝、成品測試、板級封裝等這些環(huán)節(jié)。

其中測試部分主要分三大類：芯片功能測試、性能測試、可靠性測試，芯片產(chǎn)品要上市三大測試缺一不可。

功能測試，是測試芯片的參數(shù)、指標、功能，用人話說就是看你十月懷胎生下來的寶貝是騾子是馬拉出來遛遛。

性能測試，由于芯片在生產(chǎn)制造過程中，有無數(shù)可能的引入缺陷的步驟，即使是同一批晶圓和封裝成品，芯片也各有好壞，所以需要進行篩選。

可靠性測試，芯片通過了功能與性能測試，得到了好的芯片，但是芯片是否容易被靜電弄壞，在雷雨天、三伏天、風雪天能否正常工作，以及芯片能用一個月、一年還是十年等等，這些都要通過可靠性測試進行評估。

測試方法包括板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統(tǒng)級SLT測試、可靠性測試等，多策并舉。

而半導體功率器件，從研發(fā)，生產(chǎn)，后期使用，甚至產(chǎn)品維修都需要進行相應的電參數(shù)測試。

那功率器件具體都要進行哪些測試呢？

（1） 靜態(tài)參數(shù)測試：最基本的測試項目，可簡單的評估器件的性能好壞。

各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時在變頻器，焊機，軌道交通中的功率器件檢測維修，發(fā)揮了至關重要的作用。

（2）動態(tài)參數(shù)測試：動態(tài)參數(shù)的優(yōu)良決定著器件的開關性能。

通常我們希望功率半導體器件的開關速度盡可能得高、開關過程短、損耗小。但是在實際應用中，影響開關特性的參數(shù)有很多，如續(xù)流二極管的反向恢復參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數(shù)的測試，變得尤為重要。開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關性能具有極其重要的意義。

（3）極限能力測試：如浪涌電流測試，雪崩能量測試。

浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。

（4）老化可靠性壽命測試：為了保證產(chǎn)品的耐久性能，也就是產(chǎn)品使用的壽命。半導體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產(chǎn)品的長期耐久性能。

陜西開爾文測控技術有限公司成立于 2012 年，位于西安市高新區(qū)發(fā)展大道26號，是國內(nèi)自主研發(fā)高端大功率新型半導體器件測試系統(tǒng)及測試技術服務的高新技術企業(yè)，致力于新型器件（SiC, GaN，石墨烯等）材料分析、元器件檢測、可靠性評測、系統(tǒng)功能驗證等服務。

目前，測試系統(tǒng)及測試技術服務已深入國內(nèi)各大院校、航天、航空、兵器、中船、電子行業(yè)等，尤其是電力設備、電動汽車、軌道交通領域的動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造等行業(yè)，得到了廣泛的應用。

此外，公司依托CASA(第三代半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟) ,聯(lián)合西安電子科技大學，中科院微電子所等高校研究院所，成立新型半導體器件研究實驗室，致力于中國第三代新型( SiC GaN石墨烯)器件測試、可靠性實驗、材料分析等服務，同時兼顧現(xiàn)有Si基產(chǎn)品相關實驗。目前，公司已通過CNAS實驗室認證。

公司自成立以來，以技術強項和高端產(chǎn)品的實力，獲得了7項軟件著作權(quán)登記證書、11項實用新型專利，通過了陜西省民營科技企業(yè)認證、西安市民營科技企業(yè)認證、獲得了技術貿(mào)易資格認證、通過了ISO14001環(huán)境管理體系認證、OHSAS18001職業(yè)健康安全管理體系認證、ISO9001質(zhì)量管理體系認證，通過了陜西省高新企業(yè)認證，并在2016年，以《高速特大功率半導體器件IGBT測試系統(tǒng)》列入陜西省科技廳戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重大產(chǎn)品項目，項目編號2016KTCQ01-31。

公司主營產(chǎn)品

靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、可靠性參數(shù)測試系統(tǒng)、靜態(tài)參數(shù)測試適配器、靜態(tài)參數(shù)測試夾具、測試軟件、SiC/GaN全系列電參數(shù)測試系統(tǒng)、CNAS實驗室測試服務、新型材料、器件研發(fā)。

碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

半導體分立器件測試系統(tǒng)

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

特大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試與分析系統(tǒng)

碳化硅器件浪涌電流測試系統(tǒng)

功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動測試系統(tǒng)

少子壽命測試儀

責任編輯：lq