2021年3月31日，TrendForce集邦咨詢旗下LEDinside、WitsView聯(lián)合舉辦的2021集邦咨詢新型顯示產(chǎn)業(yè)研討會在金茂深圳JW萬豪酒店成功舉行，來自顯示領(lǐng)域的專家和國內(nèi)外800多家企業(yè)的專業(yè)人士齊聚一堂，高朋滿座，還有近千人同步收看網(wǎng)絡直播。

晶能光電江西總經(jīng)理梁伏波在會上做主題報告“全垂直LED芯片Mini超高清顯示屏應用進展”。晶能硅基Mini LED垂直RGB芯片量產(chǎn)上市，物理本質(zhì)上解決金屬遷移問題。

目前，Mini高清顯示屏RGB方案主要有三種：普通正裝，倒裝和垂直結(jié)構(gòu)。全垂直結(jié)構(gòu)的RGB方案，芯片高度一樣，都是單面出光，顯示對比度、發(fā)光角度有優(yōu)異表現(xiàn)。

三種RGB小間距顯示屏實現(xiàn)方案介紹

晶能基于獲得國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎的硅襯底藍光LED技術(shù)，開發(fā)出硅襯底垂直Mini LED藍綠芯片應用于戶內(nèi)外高清顯示屏，優(yōu)勢明顯：

芯片一致性、穩(wěn)定性以及可靠性好；

硅襯底垂直Mini LED藍綠芯片，擁有從外延結(jié)構(gòu)到芯片結(jié)構(gòu)的全球?qū)＠?，可對全球市場保證專利；

垂直結(jié)構(gòu)的藍綠芯片與紅光芯片特性相近，可以大幅降低當前多數(shù)屏幕容易出現(xiàn)的毛毛蟲異常；

封裝廠現(xiàn)有大部分設備可以無縫對接，大大降低封裝廠固定資產(chǎn)投入；

垂直芯片為方形設計，固晶窗口更大；

適應多種封裝形式：IMD，1010和 COB等。

硅襯底垂直Mini LED剖面圖

硅襯底垂直Mini LED芯片&發(fā)光圖

晶能硅襯底垂直Mini LED芯片 RGB與TS（水平芯片）-RGB性能對比：晶能硅襯底垂直Mini LED芯片5*5mil，TS為行業(yè)D公司5*6mil，硅襯底垂直Mini LED芯片因單面發(fā)光，無側(cè)光，隨著間距的變小相較于TS，光干擾更少，亮度損失越少，所以硅襯底垂直Mini LED芯片在越小間距上發(fā)光強度和顯示清晰度方面有優(yōu)勢。

普通TS-RGB

打5根線

晶能垂直-RGB

打3根線

全垂直結(jié)構(gòu)在顯示屏應用中的優(yōu)勢分析（一）：

單面出光，朗勃發(fā)光形貌，出光均勻，容易配光，散熱好，顯示效果清晰。

垂直電極結(jié)構(gòu)，電流分布更均勻，IV曲線一致性好，水平芯片因電極在同側(cè)，有電流堵塞，光斑均勻性差。

全垂直結(jié)構(gòu)在顯示屏應用中的優(yōu)勢分析（二）：

水平芯片容易發(fā)生離子遷移的幾大因素：溫度，濕度，電位差和電極材料等。

模組PCB電極或線條之間只要存在電位差，這種潛在金屬遷移趨勢就已經(jīng)形成，往往從最薄弱（即：距離最小或電位差最大的） 地方首先發(fā)生遷移，造成漏電。我們所能做的只是設法延長從開始形成遷移的趨勢到因遷移而導致產(chǎn)品失效的過程時間而已。

全垂直結(jié)構(gòu)在顯示屏應用中的優(yōu)勢分析（三）：

垂直結(jié)構(gòu)的藍綠芯片表面為全惰性金屬電極，主要性能與紅光垂直芯片一樣。普通水平芯片電極材料使用了Cr、Al、ITO ，這些材料活性較強，極容易發(fā)生金屬遷移，打金線只能延緩發(fā)生離子遷移的時間，銅線普遍應用在IC封裝中。

垂直結(jié)構(gòu)芯片正負極之間距離大于135um，相對于水平芯片正負極之間距離小于35um，即使發(fā)生金屬離子遷移后的垂直芯片燈珠命會比水平芯片高4倍以上。

垂直結(jié)構(gòu)芯片較普通水平芯片可以少打兩根線，可有效增加焊線設備產(chǎn)能30%以上，打線不良率可以降低一個數(shù)量級以上。

垂直結(jié)構(gòu)芯片較普通水平芯片散熱性能更好，燈內(nèi)溫度更低。

晶能硅襯底垂直Mini LED芯片應用方案：

全垂直方案的性能和可靠性與全倒裝方案基本一致，同時成本又與水平方案相當。用Micro的技術(shù)路線與硅襯底垂直Mini LED芯片相結(jié)合，在降低技術(shù)難度的同時，可以讓4K、8K Mini超高清顯示的LED大屏幕產(chǎn)品走進千家萬戶成為可能。總的來說，4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術(shù)的驅(qū)動下勢不可擋，晶能硅襯底垂直Mini LED芯片有機會提供一個超高性價比光源解決方案。
編輯：lyn