近期，科技部官網(wǎng)顯示，在國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“納米科技”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)的支持下，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究團(tuán)隊(duì)成功構(gòu)建了尺寸小于1納米、由單個(gè)分子構(gòu)成的晶體管器件，并實(shí)現(xiàn)了功能調(diào)控。利用可控?zé)g電極的方法構(gòu)造納米金屬電極對(duì)，把單個(gè)酞菁錳分子嵌入其中。同時(shí)，利用門(mén)電極對(duì)其中的多個(gè)分子軌道能量進(jìn)行靜電調(diào)控，最終首次在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了二階近藤效應(yīng)的演化方式，驗(yàn)證了數(shù)字重正化群計(jì)算方法中預(yù)言的線(xiàn)性關(guān)系，并利用這一關(guān)系獲得該類(lèi)分子器件中兩個(gè)電子的交換相互作用的類(lèi)型和大小。研究發(fā)現(xiàn)，器件的電子傳輸行為受器件內(nèi)外電子的多體量子關(guān)聯(lián)效應(yīng)和分子內(nèi)部有效交換作用雙重調(diào)控影響。

據(jù)悉，該項(xiàng)研究成果為未來(lái)亞納米器件功能原理探索拓展了思路，證明了亞納米信息器件中，信息的傳輸行為有不同的可能性和豐富的潛在功能，為強(qiáng)關(guān)聯(lián)物理現(xiàn)象（非常規(guī)超導(dǎo)、量子臨界等）的研究提供了新的平臺(tái)。

隨著摩爾定律的不斷延伸，芯片制程能否由納米進(jìn)入亞納米是如今人們關(guān)注的重點(diǎn)。如今，單分子晶體管器件研究取得重要進(jìn)展，也為芯片制程走向亞納米提供了更多可行性。然而，也有聲音稱(chēng)，由于傳統(tǒng)的硅基晶體管的尺寸已達(dá)到瓶頸，為進(jìn)一步減小晶體管尺寸，基于單個(gè)有機(jī)分子來(lái)替代硅作為晶體管材料，成為電子器件微型化潛在技術(shù)方案，因此在未來(lái)亞納米芯片的發(fā)展中，傳統(tǒng)硅基器件或?qū)⑼顺鰵v史舞臺(tái)。

北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院教授馮士維認(rèn)為，目前，針對(duì)單分子晶體管器件的研究還處于非?；A(chǔ)的階段，技術(shù)需要更多時(shí)間來(lái)進(jìn)行完善。在未來(lái)進(jìn)入亞納米之后的高性能微電子芯片技術(shù)中，硅基器件的發(fā)展也異常關(guān)鍵，仍需要在硅基器件方面尋求更多突破。與此同時(shí)，硅基器件的發(fā)展并非已經(jīng)到達(dá)瓶頸，在3D集成等方面，仍有較大發(fā)展的空間，這同時(shí)也是如今芯片技術(shù)爭(zhēng)相競(jìng)速的焦點(diǎn)，在未來(lái)芯片進(jìn)入亞納米級(jí)后也同樣如是。

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